The utility model provides a reaction gas supply device for the preparation of graphene by CVD method and a cold fireplace for the preparation of graphene by CVD method. The reaction gas supply device includes an air inlet pipe, an air outlet device and a flow limiting device. The air inlet pipe and the air outlet device are sealed and communicated. The air outlet device is a hollow box body, and the surface of the box body is provided with a plurality of air outlets, and the flow limiting device includes a shell, a second ring and a third ring A port, a second port and a gas channel, wherein the air outlet device is arranged at the first port of the current limiting device, and the side with an air outlet is matched with the shape of the first port of the current limiting device, the air flow enters the air outlet device from the air inlet pipe, and then flows into the gas channel of the current limiting device from the air outlet of the air outlet device, and the gas flows from the first port to the second port. The cold wall furnace comprises the reaction gas supply device and the furnace wall. The reaction gas supply device can make the gas uniformly pass through the graphene growth substrate, and realize the batch growth and uniform growth of graphene.
【技术实现步骤摘要】
一种用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置
本专利技术大致涉及一种用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置及CVD法制备石墨烯的冷壁炉，属于工程制造领域。
技术介绍
目前石墨烯电热膜在医疗、理疗等相关行业发展迅速，在远红外以及相关的加热器件的发展上备受关注，但是由于石墨烯制造的特性，石墨烯在生长过程中，至为关键的两个质量因素，一个是热场的均匀性，一个是流场的均匀性。目前热场均匀性的难点已基本解决，类似管式炉(电阻丝加热)，冷壁炉(石墨电极加热)，热场方面均能满足石墨烯的生长条件，而由于流场目前未能有很有效的方案去解决气体无法均匀通过多层基底的问题，导致石墨烯生长面积和质量受到了很大限制，无法保证整面基底都能完整的生长出石墨烯，且生长出的石墨烯阻值不均匀，良率较低，密度较低，导致其性能不佳以及应用受到很大的限制。目前常见的冷壁炉的反应气供应装置有2种：第一种是单孔进气装置，如图1、图2所示，此装置采用单孔进气方式，未考虑整体气流在真空环境下的流动情况，此方案实际应用中，石墨烯生长面积受进气孔孔径的限制较大，且石墨...
【技术保护点】
1.一种用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，包括进气管、出气装置和限流装置，所述进气管与出气装置密封连通，所述出气装置为空心的盒体，盒体表面设有多个出气孔，所述限流装置包括壳体、第一端口、第二端口和气体通道，其中，所述出气装置设置于限流装置的第一端口，且其带有出气孔的一面与所述限流装置的第一端口的形状相适配，气流从进气管进入出气装置，再由出气装置的出气孔排入限流装置的气体通道中，气体由第一端口流向第二端口。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，包括进气管、出气装置和限流装置，所述进气管与出气装置密封连通，所述出气装置为空心的盒体，盒体表面设有多个出气孔，所述限流装置包括壳体、第一端口、第二端口和气体通道，其中，所述出气装置设置于限流装置的第一端口，且其带有出气孔的一面与所述限流装置的第一端口的形状相适配，气流从进气管进入出气装置，再由出气装置的出气孔排入限流装置的气体通道中，气体由第一端口流向第二端口。
2.根据权利要求1所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述限流装置为直筒结构。
3.根据权利要求2所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述限流装置的形状为圆柱体或长方体。
4.根据权利要求3所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述限流装置的形状为长方体。
5.根据权利要求1所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述第一端口与所述出气装置设置有出气孔的面密封连接。
6.根据权利要求1所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述盒体包括盒壁和由盒壁围成的腔室，可以为长方体、圆柱体、球体。
7.根据权利要求6所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述盒体为长方体。
8.根据权利要求6所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述盒壁的厚度范围是10-30mm。
9.根据权利要求8所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述盒壁的厚度范围是20mm。
10.根据权利要求1所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述进气管为至少两个。
11.根据权利要求8所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述盒壁包括盖板和无盖壳体，盖板和无盖壳体密封连接，所述多个出气孔设置于盖板上。
12.根据权利要求11所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述盖板和所述无盖壳体连接方式为内嵌式或覆盖式。
13.根据权利要求11所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述第一端口与所述盖板形状和面积均相同。
14.根据权利要求1所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述出气孔的设置方式为点阵排布、蜂窝结构、栅格板结构、圆形发散排布。
15.根据权利要求14所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述出气孔的设置方式为点阵排布方式。
16.根据权利要求1所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述出气孔为圆形。
17.根据权利要求16所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述出气孔的内径为1-3mm。
18.根据权利要求17所述的用于CVD法制备石墨烯的反应气供应装置，其特征在于，所述出气孔的内径为2mm。
19.根据权利要求16所述的用于CVD...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡泽平，刘海滨，季恒星，谭化兵，
申请(专利权)人：无锡第六元素电子薄膜科技有限公司，无锡格菲电子薄膜科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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