The invention provides a method for removing impurity graphene on the surface of metal substrates by using non-surfactant solution, including using hydrochloric acid and hydrogen peroxide aqueous solution system as spraying liquid to spray onto one side of metal substrates that need to remove impurity graphene. The method provided by the invention is to remove impurity graphene on the surface of the metal substrate and thinning the metal substrate. In the process of removing impurity graphene, no harmful surfactant is added to the environment, and the thickness of the thin metal substrate is uniform.
【技术实现步骤摘要】
一种利用无表面活性剂溶液去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法
本专利技术属于石墨烯生产铜箔刻蚀领域，具体涉及一种利用无表面活性剂溶液去除铜箔表面杂质石墨烯的方法。
技术介绍
随着石墨烯材料的发现，因近乎完美的性能，在光学、电学、力学、材料学、微纳加工、能源、生物医药和药物传递等各个领域的应用引起人们的广泛关注，石墨烯薄膜的制备与应用得到了大量研究。石墨烯薄膜是一种应用广泛的柔性透明导电膜，CVD气相沉积法制备石墨烯薄膜是研究较为成熟的一种方法。通过CVD气相沉积法制备的石墨烯薄膜需要对金属衬底进行刻蚀，现有技术中有两种金属衬底的刻蚀方法。一种是由专利申请号201611079865.7公开的一种CVD薄膜及其刻蚀处理方法，该方法通过在CVD腔室内通入刻蚀气体对CVD薄膜进行刻蚀，使得薄膜的成膜和刻蚀均能通过CVD设备实现，减少产品在不同岗位之间的流通次数，从而能提高生产效率。另一种是湿法刻蚀的方法，在CVD气相沉积法制备石墨烯的过程中，铜基底两侧各生长一层石墨烯，因铜箔表面有杂质石墨烯附着，如果不去除铜箔表面的杂质石墨烯，就会使后期刻蚀铜箔的过程中容易造成脏污，脏污会令...
【技术保护点】
1.一种用于去除CVD石墨烯金属衬底表面杂质石墨烯的盐酸‑双氧水溶液体系，其特征在于：所述溶液体系由盐酸和双氧水组成，其中，HCL含量为15～40g/L，H2O2含量为0.05～0.2mol/L。
【技术特征摘要】
1.一种用于去除CVD石墨烯金属衬底表面杂质石墨烯的盐酸-双氧水溶液体系，其特征在于：所述溶液体系由盐酸和双氧水组成，其中，HCL含量为15～40g/L，H2O2含量为0.05～0.2mol/L。2.根据权利要求1所述的用于去除CVD石墨烯金属衬底表面杂质石墨烯的盐酸-双氧水溶液体系，其特征在于，HCL含量为20g/L，H2O2含量为0.1mol/L。3.根据权利要求1或2所述的用于去除CVD石墨烯金属衬底表面杂质石墨烯的盐酸-双氧水溶液体系，其特征在于，所述溶液体系的温度为29-31℃。4.一种利用无表面活性剂溶液去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法，其特征在于，利用权利要求1-3任一项所述的盐酸-双氧水溶液体系作为喷淋液，向金属衬底需要去除杂质石墨烯的一面喷淋喷淋液；优选地，喷淋压力为1.1-1.2kg/cm2。5.根据权利要求4所述的利用无表面活性剂溶液去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法，其特征在于，在喷淋前将生长有石墨烯的金属衬底需要保留的石墨烯的表面上贴合保护膜。6.根据权利要求4所述的利用无表面活性剂溶液去除金属衬底表面杂质石墨烯的...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩合坤，李涛，
申请(专利权)人：无锡第六元素电子薄膜科技有限公司，无锡格菲电子薄膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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