The subject of the invention is to provide an etching solution or etching method which can remove only the resin composition layer without defects caused by excessive heat in the process of removing the resin composition including alkali insoluble resin and inorganic filler. Etching solution, in the etching solution for resin composition containing alkali insoluble resin and 50-80% by mass of inorganic filler, the etching solution contains 15-45% by mass of alkali metal hydroxide, more preferably further contains 5-40% by mass of ethanolamine compound. In addition, the etching method uses the etching solution to remove the resin composition including the alkali insoluble resin and the inorganic filler.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于树脂组合物的蚀刻液和蚀刻方法
本专利技术涉及用于包含碱不溶性树脂和50~80质量%的无机填充材料的树脂组合物的蚀刻液和蚀刻方法。
技术介绍
近年来,伴随电子设备的小型化、高性能化,在电路基板中,强烈要求形成微细配线、降低热膨胀系数。其中,作为绝缘材料的低热膨胀系数化的手段,已知将绝缘材料高填充化、即提高绝缘材料中的无机填充材料的含量的方法。进一步,作为绝缘材料,提出了使用包含环氧树脂、苯酚酚醛清漆系固化剂、苯氧基树脂、氰酸酯树脂等、且耐湿性优异的碱不溶性树脂。这些包含无机填充材料和碱不溶性树脂的绝缘性的树脂组合物具有耐热性、介电特性、机械强度、耐化学药品性等优异的物性,被广泛用作在电路基板的外层表面上使用的阻焊剂、在多层增层配线板中使用的层间绝缘材料。图1是将除了在电路基板上焊接的连接垫3之外的部分用树脂组合物层4覆盖的阻焊剂图案的概略截面结构图。图1所示的结构被称为SMD(SolderMaskedDefined,焊接掩膜限定)结构,其特征在于,树脂组合物层4的开口部与连接垫3相比更小。图2所示的结构被称为NSMD(NonSolderMaskedDefined,非焊接掩膜限定)结构,其特征在于,树脂组合物层4的开口部与连接垫3相比更大。图1中的树脂组合物层4的开口部通过去除树脂组合物层中的一部分而形成。作为去除含有包含无机填充材料和碱不溶性树脂的树脂组合物而得到的树脂组合物层的加工方法,可以使用钻孔、激光、等离子体、喷砂等公知的方法。此外,根据需要,还可以组合这些方法。其中,二氧化碳激光、准分子激 ...
【技术保护点】
1.蚀刻液,其特征在于,在用于包含碱不溶性树脂和50~80质量%的无机填充剂的树脂组合物的蚀刻液中,该蚀刻液含有15~45质量%的碱金属氢氧化物。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170406 JP 2017-076148;20171226 JP 2017-248831;201.蚀刻液,其特征在于,在用于包含碱不溶性树脂和50~80质量%的无机填充剂的树脂组合物的蚀刻液中,该蚀刻液含有15~45质量%的碱金属氢氧化物。
2.根据权利要求1所述的用于树脂组合物的蚀刻液,其特征在于,碱金属氢氧化物是选自氢氧化钾、氢氧化钠、和氢氧化锂中的至少1种化合物。
3.根据权利要求1或2所述的用于树脂组合物的蚀刻液,其特征在于,无机填充材料是选自二氧化硅、玻璃、粘土、和氢氧化铝中的至少1种。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的蚀刻液,其特征在于,前述蚀刻液含有5~40质量%的乙醇胺化合物。
5.根据权利要求4所述的蚀刻液,其特征在于,乙醇胺化合物是选自乙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和N-乙基二乙醇胺中的至少1种化合物。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:丰田裕二,田边昌大,
申请(专利权)人:三菱制纸株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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