The invention discloses a fast impurity free reduction method of graphene oxide, which comprises the following steps: Step 1: place graphene oxide in a vacuum oven and vacuumize the oven under normal temperature environment; step 2: set the vacuum oven temperature to 150-300 \u2103, and heat the graphene oxide; step 3: keep the oven temperature for 0.5-5h to fully heat graphene oxide Step 4: stop heating, open the vacuum valve and collect the powder to get reduced graphene oxide after the oven temperature drops to room temperature.
【技术实现步骤摘要】
一种快速无杂质还原氧化石墨烯的方法
本专利技术涉及石墨烯相关的
，提供了一种快速、低能耗且无杂质的还原氧化石墨烯的方法。
技术介绍
石墨烯具有优异的力学、电学、光学和热学等性能，在近些年的研究中，被广泛的应用到了材料、电子、化学、能源和生物医药等领域。石墨烯常用的制备方法有机械剥离法、化学气相沉积法、固相外延生长法和化学氧化还原法等。前三种方法所制备得到的石墨烯具有相对完整的结构，但制备过程复杂且成本昂贵；虽然化学氧化还原法得到的石墨烯片层有些许缺陷，但其生产成本低廉也能够实现工厂的连续、大规模生产，在实际应用过程中，化学氧化还原法所得的石墨烯也表现出更好的亲和性和稳定性。在生产过程中，氧化石墨烯的制备一般通过Hummers等方法进行，但氧化石墨烯的还原确是一个较难解决的问题。目前，常用且研究最多的是通过硼氢化钠对氧化石墨烯进行还原，虽然已有大量的研究克服了该还原过程中的能耗高、耗时长等缺点，但因硼氢化钠等试剂的使用，该还原过程中会引入大量杂质，从而降低了所得到的石墨烯的质量，对石墨烯后续的应用也产生了很多限制。
【技术保护点】
1.一种快速无杂质还原氧化石墨烯的方法，其特征在于：包含如下步骤：/n步骤一、将氧化石墨烯放置于真空烘箱中，在常温环境下对烘箱抽真空；/n步骤二、设置真空烘箱温度为150～300℃，对氧化石墨烯进行加热；/n步骤三、烘箱温度保持0.5～5h，使氧化石墨烯充分受热；/n步骤四、停止加热，待烘箱温度降至室温后，打开真空阀并收集粉体，得到还原氧化石墨烯。/n
【技术特征摘要】
1.一种快速无杂质还原氧化石墨烯的方法，其特征在于：包含如下步骤：
步骤一、将氧化石墨烯放置于真空烘箱中，在常温环境下对烘箱抽真空；
步骤二、设置真空烘箱温度为150～300℃，对氧化石墨烯进行加热；
步骤三、烘箱温度保持0.5～5h，使氧化石墨烯充分受热；
步骤四、停止加热，待烘箱温度降至室温后，打开真空阀并收集粉体，得到还原氧化石墨烯。
2.根据权利要求1所述的一种快速无杂质还原氧化石墨烯的方法，其特征在于：步骤一中所述氧化石墨烯为通过Brodie法、Staudenmaier法或Hummers法制备得到的氧化石墨烯粉体，或者是通过干燥经Brodie法、Staudenmaier法或Hummers法得到的氧化石墨烯浆液所得到的氧化石墨烯粉体。
3.根据权利要求1所述的一种快速无杂质还原氧化石墨烯的方法，其特征在于：步骤一所述的真空烘箱的压强为200～20000Pa。
4.根据权利要求3所述的一种快速无杂质还...
【专利技术属性】
技术研发人员：段亚强，张燕萍，赵志国，
申请(专利权)人：上海利物盛纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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