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本发明公开了一种快速无杂质还原氧化石墨烯的方法,包含如下步骤:步骤一、将氧化石墨烯放置于真空烘箱中,在常温环境下对烘箱抽真空;步骤二、设置真空烘箱温度为150~300℃,对氧化石墨烯进行加热;步骤三、烘箱温度保持0.5~5h,使氧化石墨烯充...该专利属于上海利物盛纳米科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海利物盛纳米科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种快速无杂质还原氧化石墨烯的方法,包含如下步骤:步骤一、将氧化石墨烯放置于真空烘箱中,在常温环境下对烘箱抽真空;步骤二、设置真空烘箱温度为150~300℃,对氧化石墨烯进行加热;步骤三、烘箱温度保持0.5~5h,使氧化石墨烯充...