The utility model provides a pipeline structure, which includes: an input unit, including a first input unit and a second input unit; a storage unit, which is connected with the input unit; a first channel, which is connected with the first input unit and the storage unit; a filter unit, which is located in the first channel; a second channel, which is connected with the second input unit and the storage unit; an adjustment sheet Element, which connects the first path and the second path, is located between the input unit and the filter unit; the pipeline structure provided by the utility model ensures that when the filter unit is replaced, there will be no chemical solution causing harm to the staff, and the safe use coefficient of the pipeline structure is improved.
【技术实现步骤摘要】
管路结构
本技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种管路结构。
技术介绍
在半导体工艺中,于晶圆上加工制作各种电路元件结构,而使晶圆成为有特定电性功能之IC产品。对于计算机产品而言,晶圆的品质影响着整个计算机的性能。随着集成电路芯片特征尺寸的缩小,芯片制造业对晶圆表面洁净度的要求越来越高,这使得湿法工艺,即湿法刻蚀和湿法清洗工艺在集成电路生产中扮演着越来越重要的角色,是影响芯片成品率的重要环节。在利用湿法工艺对晶圆进行处理时,需要使用到过滤单元对湿法工艺中的化学药液进行过滤洁净处理,随着时间的延续,需要对过滤单元进行更换,但是与过滤单元中连接的管路中通常会存有化学药液,这样在更换过滤单元时管路中存留的化学药液就会流出从而对工作人员造成伤害。如何保证在更换过滤单元的过程中,不会有化学药液对工作人员造成伤害,这是目前急需解决的问题。
技术实现思路
本技术解决的问题是提供一种管路结构,保证在更换过滤单元时,不会有化学药液对工作人员造成伤害,提高管路结构的安全使用系数。为解决上述问题,本技术提供一种管路结构,包括:输入单元,包括第一输入单元和第二输入单元;储存单元,与所述输入单元连接;第一通路,连接所述第一输入单元与所述储存单元;过滤单元,位于所述第一通路上;第二通路,连接所述第二输入单元与所述储存单元;调节单元,连接所述第一通路和所述第二通路,位于所述输入单元与所述过滤单元之间。可选的,所述调节单元包括三通阀或引流管和控制阀组合。可选的,所述调节单元为三通阀时,所述第二通路包括第二通路主管和第二通路支管,所述第二通路主管与所述第二通路支管一体成型。可选的,所述三通阀的任 ...
【技术保护点】
1.一种管路结构,其特征在于,包括:输入单元,包括第一输入单元和第二输入单元;储存单元,与所述输入单元连接;第一通路,连接所述第一输入单元与所述储存单元;过滤单元,位于所述第一通路;第二通路,连接所述第二输入单元与所述储存单元;调节单元,连接所述第一通路和所述第二通路,位于所述输入单元与所述过滤单元之间。
【技术特征摘要】
1.一种管路结构,其特征在于,包括:输入单元,包括第一输入单元和第二输入单元;储存单元,与所述输入单元连接;第一通路,连接所述第一输入单元与所述储存单元;过滤单元,位于所述第一通路;第二通路,连接所述第二输入单元与所述储存单元;调节单元,连接所述第一通路和所述第二通路,位于所述输入单元与所述过滤单元之间。2.如权利要求1所述的管路结构,其特征在于,所述调节单元包括三通阀或引流管和控制阀组合。3.如权利要求2所述的管路结构,其特征在于,所述调节单元为三通阀时,所述第二通路包括第二通路主管和第二通路支管,所述第二通路主管与所述第二通路支管一体成型。4.如权利要求3所述的管路结构,其特征在于,所述三通阀的任意两个流道口位于所述第一输入单元与所述过滤单元之间,所述三通阀的第三流道口与所述第二通路支管连接。5.如权利要求2所述的管路结构,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:周至军,高英哲,张文福,李丹,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。