The utility model discloses a double ion beam co sputtering nano film device, which comprises a vacuum chamber, left and right ion sources, workpiece components, left and right target platforms, auxiliary sources, air extraction system, film thickness measuring instrument, etc. Because of the use of two main sputtering sources, two targets and one auxiliary source, up to eight targets can be installed all the time to realize the continuous sputtering of multilayer films without destroying the vacuum. At the same time, due to the existence of auxiliary sources, the coating parts can be stripped and cleaned in situ before the film preparation, which makes the film have strong adsorption capacity, good uniformity, compactness, small internal stress, and greatly improves the film quality.
【技术实现步骤摘要】
双离子束共溅射纳米膜设备
本技术涉及薄膜
,尤其涉及一种双离子束共溅射纳米膜设备。
技术介绍
离子束溅射淀积镀膜技术为科学研究与生产提供了薄膜涂覆的新工艺、新技术,为当今迅速发展的薄膜集成电路、薄膜传感器、磁性薄膜器件、高温合金导体薄膜等广泛的应用领域提供了新的技术手段。随着离子束镀膜技术的飞速发展,以及应用领域的不断扩展和延伸,离子束溅射沉积镀膜设备得到了很大的提高。然而现在这类设备,仍以单离子束溅射为主,虽然近年来出现了三离子束溅射机器,但这类机器具备最多三组元合金或化合物薄膜淀积功能,共溅射淀积三组元成分以上的合金或化合物薄膜受到限制,同时无制备多层连续薄膜的能力。另外,这类设备没有辅源,薄膜溅射设备制备的薄膜还存在吸附能力差、均匀性不好、膜质疏松、内应力大等缺陷。因此,开发一种能连续制备多层薄膜的双离子束共溅射纳米膜设备及其重要。
技术实现思路
本技术的目的在于针对上述问题,提供一种双离子束共溅射纳米膜设备,以实现多层高质量连续薄膜的共溅射沉积,膜质吸附能力强、均匀性好、致密、内应力小等优点。为解决以上技术问题,本技术的技术方案是:一种双离子束共溅射纳米膜设备,包括:真空室,一种金属壳体,本底真空不低于1×10-5Pa。左侧离子源和右侧离子源,分别安装在所述真空室的左右上方,是一种聚焦离子源,可产生聚焦的左侧离子束和右侧离子束。工件组件,安装在所述真空室的正上方,由电机驱动旋转轴,实现安装在所述旋转轴下部的镀膜工件行星旋转。左侧靶台和右侧靶台,分别安装在所述真空室的左右中部位置,所述左侧离子束和右侧离子束正好聚焦在左侧靶台和右侧靶台上表面。辅源, ...
【技术保护点】
1.一种双离子束共溅射纳米膜设备,其特征在于,包括:真空室(1),一种金属壳体,本底真空不低于1×10
【技术特征摘要】
1.一种双离子束共溅射纳米膜设备,其特征在于,包括:真空室(1),一种金属壳体,本底真空不低于1×10-5Pa;左侧离子源(3)和右侧离子源(2),分别安装在所述真空室(1)的左右上方,是一种聚焦离子源,可产生聚焦的左侧离子束(31)和右侧离子束(21);工件组件(4),安装在所述真空室(1)的正上方,由电机驱动旋转轴(41),实现安装在所述旋转轴(41)下部的镀膜工件(42)行星旋转;左侧靶台(5)和右侧靶台(6),分别安装在所述真空室(1)的左右中部位置,所述左侧离子束(31)和右侧离子束(21)正好聚焦在左侧靶台(5)和右侧靶台(6)上表面;辅源(7),...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:伟业智芯北京科技有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
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