【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和方法
本文描述的专利技术构思的实施方式涉及基板处理装置和方法，更具体地，涉及用于在高压气氛中处理基板的装置和方法。
技术介绍
为了制造半导体器件，通过诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积等各种工序在基板上形成期望的图案。在这些工序中使用各种处理液，并且在这些工序过程中产生污染物和颗粒。在每个工序之前和之后必须进行用于从基板去除污染物和颗粒的清洁工序。在清洁工序中，通常用化学品和漂洗液处理基板，然后干燥。干燥工序是用于干燥残留在基板上的漂洗液的工序。在干燥工序中，将基板上的漂洗液用有机溶剂例如异丙醇(IPA)(其表面张力低于漂洗液的表面张力)替换，然后除去有机溶剂。然而，由于在基板上形成的图案之间的临界尺寸(CD)的按比例缩小，不容易去除残留在图案之间的空间中的有机溶剂。最近，已经使用通过使用超临界流体去除残留在基板上的有机溶剂的工艺。超临界工艺在与外部隔绝的高压空间中进行，以满足超临界流体的特定条件。图1是说明一般超临界处理装置的截面图。参考图1，用于执行超临界处理的处理腔室具有第一主体2和第二主体4。第一主体2和第二主体4组合在一起以在内部形成...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，所述装置包括：腔室，所述腔室具有第一主体和第二主体，所述第一主体和所述第二主体彼此结合以在内部形成处理空间；致动器，所述致动器被构造成移动所述第一主体和所述第二主体之间的相对位置，以能够在闭合位置与打开位置之间进行位置变化，其中在所述闭合位置，所述处理空间与外部隔绝，并且在所述打开位置，所述处理空间向所述外部敞开；基板支撑单元，所述基板支撑单元被构造成在所述处理空间中支撑所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元被构造成将气体供应到所述处理空间中以处理所述基板；和控制器，所述控制器被构造成控制所述致动器，其中所述控制器控制所述致动器以在发生从所述打开位置...
【技术特征摘要】
2018.04.30 KR 10-2018-00497781.一种基板处理装置，所述装置包括：腔室，所述腔室具有第一主体和第二主体，所述第一主体和所述第二主体彼此结合以在内部形成处理空间；致动器，所述致动器被构造成移动所述第一主体和所述第二主体之间的相对位置，以能够在闭合位置与打开位置之间进行位置变化，其中在所述闭合位置，所述处理空间与外部隔绝，并且在所述打开位置，所述处理空间向所述外部敞开；基板支撑单元，所述基板支撑单元被构造成在所述处理空间中支撑所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元被构造成将气体供应到所述处理空间中以处理所述基板；和控制器，所述控制器被构造成控制所述致动器，其中所述控制器控制所述致动器以在发生从所述打开位置到所述闭合位置的位置变化时顺序地执行：以第一速度移动所述第一主体或所述第二主体的高速闭合步骤，和以低于所述第一速度的第二速度移动所述第一主体或所述第二主体的低速闭合步骤。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器控制所述致动器以在发生从所述闭合位置到所述打开位置的位置变化时顺序地执行：以第三速度移动所述第一主体或所述第二主体的低速打开步骤和以高于所述第三速度的第四速度移动所述第一主体或所述第二主体的高速打开步骤。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述装置还包括：夹紧构件，所述夹紧构件被构造成在所述闭合位置将所述腔室夹紧；和可移动构件，所述可移动构件被构造成将所述夹紧构件移动至夹紧位置或松开位置，其中在所述夹紧位置，所述夹紧构件夹紧所述第一主体和所述第二主体，在所述松开位置，所述夹紧构件与所述第一主体及所述第二主体分离，并且其中所述控制器控制所述气体供应单元和所述可移动构件以执行：将所述夹紧构件移动至所述夹紧位置的夹紧步骤、在所述腔室处于所述闭合位置的情况下通过将所述气体供应到所述处理空间中来处理所述基板的处理步骤、以及在所述低速闭合步骤和所述低速打开步骤之间将所述夹紧构件移动至所述松开位置的松开步骤。4.根据权利要求3所述的装置，其中在所述处理步骤中，所述控制器控制所述致动器以施加第一压力以使所述第一主体和所述第二主体朝向彼此移动，并控制所述气体供应单元以通过供应到所述处理空间中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李相旼，朴舟楫，金鹏，李钟斗，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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