【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于控制流体的流体控制阀。
技术介绍
例如，晶片处理诸如蚀刻和薄膜生长在半导体生产工艺中完成。 如果外界物质诸如粒子在晶片处理过程中粘附在晶片上，这种外界物 质会引起各种问题不期望的杂质散布在晶片上，封闭在薄膜之间的 外界物质引起图案缺陷，或由于不期望的杂质散布在硅和绝缘薄膜上 不能够获得希望的电特性。为了防止这些问题，在晶片处理之前采用 一种清洗工艺从晶片除去外界物质而不会损坏晶片。清洗工艺中，用化学溶液诸如硫酸与过氧化氢的混合物、氨与过 氧化氢的混合物、或盐酸与过氧化氢的混合物借助化学方法溶解和除 去外界物质。用流体控制阀对晶片供应这种化学溶液。采用具有高氧 化效力的过氧化氢作为化学溶液。近年来，在高温下对晶片供应化学 溶液以便对晶片供应处于活性状态的化学溶液。所以，多数情况下流 体控制阀易于暴露在高腐蚀性的环境中。如果在外部设有由金属螺丝固定的阀主体和阀筒的流体控制阀用 在上述高腐蚀性的环境中，则金属螺丝可能会腐蚀而无法提供原始紧固强度。因此，例如特开2002-022055A号公报(在图16中示出)的 流体控制阀1100设置为未使用金属...
【技术保护点】
一种流体控制阀，包括： 隔膜； 树脂阀主体，其包括阀座，所述隔膜将与所述阀座接触或脱离； 树脂阀上体，其与所述阀主体螺纹接合；以及 保持部件，其分别与所述阀主体和所述阀上体接合以保持所述阀主体和所述阀上体之间的螺纹接合。
【技术特征摘要】
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