一种PIN二极管级联限幅的电路装置制造方法及图纸

技术编号:22353321 阅读:47 留言:0更新日期:2019-10-19 19:22
本实用新型专利技术公开了一种PIN二极管级联限幅的电路装置,由壳体(10)、壳体(10)内部的腔体(20)和壳体(10)四周安装的第一射频绝缘子(1)、第二射频绝缘子(2)、第三射频绝缘子(3)、第四射频绝缘子(4)、第五射频绝缘子(5)和第六射频绝缘子(6)组成,腔体(20)中的第一射频信号通道(7)和第二射频信号通道(8)。本实用新型专利技术将PIN二极管既作为开关使用,又作为限幅管使用,避免了在装配过程中可能存在的将两种二极管装错的问题,同时也方便了采购和库存管理。

A circuit device of PIN diode cascade limiting

【技术实现步骤摘要】
一种PIN二极管级联限幅的电路装置一种PIN二极管级联限幅的电路装置
本技术涉及微波领域,尤其涉及一种PIN二极管级联限幅的电路装置。
技术介绍
在通常的微波组件产品中,二极管作为一个大类,有专门的开关二极管和限幅二极管,通常情况下两种器件针对不同的应用有所侧重。因此如果一个电路需要同时具备开关和限幅功能,就需在器件选型和库存管理时,选择和维护两个器件。由于二极管封装大致相同,在生产装配时,存在搞混的可能性,如果用错了二极管,将导致电路出现故障,无法正常工作。PIN二极管属于二极管这一大类,除了具备二极管最基本的单向导通的功能外,其性能参数也有比如可承受电压(击穿电压)、Iregion、恢复时间和热阻等,在特定的使用环境中,为作为限幅二极管使用提供了依据。
技术实现思路
为了解决上述问题,本技术提出一种PIN二极管级联限幅的电路装置。一种PIN二极管级联限幅的电路装置,由壳体、壳体内部的腔体和壳体四周安装的第一射频绝缘子、第二射频绝缘子、第三射频绝缘子、第四射频绝缘子、第五射频绝缘子和第六射频绝缘子组成,腔体内部有第一射频信号通道和第二射频信号通道,所述第一射频信号通道输入端连接至第一射频绝缘子,输出端连接至第二射频绝缘子和第三射频绝缘子;所述第二射频信号通道输入端连接至第四射频绝缘子,输出端连接至第五射频绝缘子和第六射频绝缘子。所述第一射频信号通道包括第一微带线、第二微带线和第三微带线;所述第一微带线输入端连接至第一射频绝缘子,输出端分别连接至第二微带线输入端和第三微带线输入端;所述第二微带线输出端和所述第三微带线输出端分别连接至第二射频绝缘子和第三射频绝缘子。所述第一微带线粘接有第一隔直电容和第一偏置线圈一端,所述第一偏置线圈另一端连接有第一去耦电容,所述第一去耦电容另一端粘接于腔体。所述第二微带线粘接有第一PIN二极管、第二PIN二极管、第三PIN二极管、第四PIN二极管和第五PIN二极管;所述第二微带线还粘接有第二隔直电容和第三隔直电容,所述第三隔直电容另一端连接有第一负载,所述第一负载另一端粘接于腔体;所述第二微带线连接有第六PIN二极管、第七PIN二极管和第八PIN二极管,所述第六PIN二极管另一端、第七PIN二极管另一端和第八PIN二极管另一端分别粘接于腔体;所述第二微带线还连接有第二偏置线圈、第三偏置线圈和第四偏置线圈,所述第二偏置线圈另一端连接有第二去耦电容,所述第二去耦电容另一端粘接于腔体,所述第三偏置线圈另一端连接有第三去耦电容,所述第三去耦电容另一端粘接于腔体,所述第四偏置线圈另一端连接有第四去耦电容,所述第四去耦电容另一端粘接于腔体。所述第三微带线粘接有第九PIN二极管、第十PIN二极管、第十一PIN二极管、第十二PIN二极管和第十三PIN二极管;所述第三微带线还粘接有第四隔直电容和第五隔直电容,所述第五隔直电容另一端连接有第二负载,所述第二负载另一端粘接于腔体;所述第三微带线连接有第十四PIN二极管、第十五PIN二极管和第十六PIN二极管,所述第十四PIN二极管另一端、第十五PIN二极管另一端和第十六PIN二极管另一端分别粘接于腔体;所述第三微带线还连接有第五偏置线圈、第六偏置线圈和第七偏置线圈,所述第五偏置线圈另一端连接有第五去耦电容,所述第五去耦电容另一端粘接于腔体,所述第六偏置线圈另一端连接有第六去耦电容,所述第六去耦电容另一端粘接于腔体,所述第七偏置线圈另一端连接有第七去耦电容,所述第七去耦电容另一端粘接于腔体。所述第二射频信号通道与第一射频信号通道电路结构相同。所述第一负载和第二负载用于吸收信号能量。所述第六PIN二极管、第七PIN二极管、第八PIN二极管、第十四PIN二极管、第十五PIN二极管和第十六PIN二极管与微带线之间由金丝键合连接。所述第二偏置线圈、第三偏置线圈、第四偏置线圈、第五偏置线圈、第六偏置线圈和第七偏置线圈与微带线之间由金丝键合连接。所述第六PIN二极管、第七PIN二极管、第八PIN二极管、第十四PIN二极管、第十五PIN二极管和第十六PIN二极管作为开关使用。所述第一PIN二极管、第二PIN二极管、第三PIN二极管、第四PIN二极管、第五PIN二极管、第九PIN二极管、第十PIN二极管、第十一PIN二极管、第十二PIN二极管和第十三PIN二极管作为限幅器使用。本技术的有益效果在于:本技术将PIN二极管既作为开关使用,又作为限幅管使用,相比于现有技术,节省了器件采购和维护成本,生产装配中也不存在装错的问题,同时也方便了采购和库存管理。附图说明图1是本技术电路装置图;图2是电路装置图A部分;图3是电路装置图B部分。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案,下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的详细说明。如图1所示,一种PIN二极管级联限幅的电路装置,由壳体10、壳体10内部的腔体20和壳体10四周安装的第一射频绝缘子1、第二射频绝缘子2、第三射频绝缘子3、第四射频绝缘子4、第五射频绝缘子5和第六射频绝缘子6组成,腔体20内部有第一射频信号通道7和第二射频信号通道8,所述第一射频信号通道7输入端连接至第一射频绝缘子1,输出端连接至第二射频绝缘子2和第三射频绝缘子3;所述第二射频信号通道8输入端连接至第四射频绝缘子4,输出端连接至第五射频绝缘子5和第六射频绝缘子6。所述第一射频信号通道7包括第一微带线9、第二微带线11和第三微带线12;所述第一微带线9输入端连接至第一射频绝缘子1,输出端分别连接至第二微带线11输入端和第三微带线12输入端;所述第二微带线11输出端和所述第三微带线12输出端分别连接至第二射频绝缘子2和第三射频绝缘子3。如图2、3所示,所述第一微带线9粘接有第一隔91直电容91和第一偏置线圈92一端,所述第一偏置线圈92另一端连接有第一去耦电容93,所述第一去耦电容93另一端粘接于腔体20。所述第二微带线11粘接有第一PIN二极管21、第二PIN二极管22、第三PIN二极管23、第四PIN二极管24和第五PIN二极管25;所述第二微带线11还粘接有第二隔直电容47和第三隔直电容48,所述第三隔直电容48另一端连接有第一负载49,所述第一负载49另一端粘接于腔体20;所述第二微带线11连接有第六PIN二极管26、第七PIN二极管27和第八PIN二极管28,所述第六PIN二极管26另一端、第七PIN二极管27另一端和第八PIN二极管28另一端分别粘接于腔体20;所述第二微带线11还连接有第二偏置线圈41、第三偏置线圈42和第四偏置线圈43,所述第二偏置线圈41另一端连接有第二去耦电容44,所述第二去耦电容44另一端粘接于腔体20,所述第三偏置线圈42另一端连接有第三去耦电容45,所述第三去耦电容45另一端粘接于腔体20,所述第四偏置线圈43另一端连接有第四去耦电容46,所述第四去耦电容46另一端粘接于腔体20。所述第三微带线12粘接有第九PIN二极管31、第十PIN二极管32、第十一PIN二极管33、第十二PIN二极管34和第十三PIN二极管35;所述第三微带线12还粘接有第四隔直电容57和第五隔直电容58,所述第五隔直电容57另一端连接有第二负载59,所述第二负载59另一端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PIN二极管级联限幅的电路装置,由壳体(10)、壳体(10)内部的腔体(20)和壳体(10)四周安装的第一射频绝缘子(1)、第二射频绝缘子(2)、第三射频绝缘子(3)、第四射频绝缘子(4)、第五射频绝缘子(5)和第六射频绝缘子(6)组成,其特征在于:腔体(20)内部有第一射频信号通道(7)和第二射频信号通道(8),所述第一射频信号通道(7)输入端连接至第一射频绝缘子(1),输出端连接至第二射频绝缘子(2)和第三射频绝缘子(3);所述第二射频信号通道(8)输入端连接至第四射频绝缘子(4),输出端连接至第五射频绝缘子(5)和第六射频绝缘子(6)。

【技术特征摘要】
1.一种PIN二极管级联限幅的电路装置,由壳体(10)、壳体(10)内部的腔体(20)和壳体(10)四周安装的第一射频绝缘子(1)、第二射频绝缘子(2)、第三射频绝缘子(3)、第四射频绝缘子(4)、第五射频绝缘子(5)和第六射频绝缘子(6)组成,其特征在于:腔体(20)内部有第一射频信号通道(7)和第二射频信号通道(8),所述第一射频信号通道(7)输入端连接至第一射频绝缘子(1),输出端连接至第二射频绝缘子(2)和第三射频绝缘子(3);所述第二射频信号通道(8)输入端连接至第四射频绝缘子(4),输出端连接至第五射频绝缘子(5)和第六射频绝缘子(6)。2.如权利要求1所述的一种PIN二极管级联限幅的电路装置,其特征在于:所述第一射频信号通道(7)包括第一微带线(9)、第二微带线(11)和第三微带线(12);所述第一微带线(9)输入端连接至第一射频绝缘子(1),输出端分别连接至第二微带线(11)输入端和第三微带线(12)输入端;所述第二微带线(11)输出端和所述第三微带线(12)输出端分别连接至第二射频绝缘子(2)和第三射频绝缘子(3)。3.如权利要求2所述的一种PIN二极管级联限幅的电路装置,其特征在于:所述第一微带线(9)粘接有第一隔91直电容(91)和第一偏置线圈(92)一端,所述第一偏置线圈(92)另一端连接有第一去耦电容(93),所述第一去耦电容(93)另一端粘接于腔体(20)。4.如权利要求2所述的一种PIN二极管级联限幅的电路装置,其特征在于:所述第二微带线(11)粘接有第一PIN二极管(21)、第二PIN二极管(22)、第三PIN二极管(23)、第四PIN二极管(24)和第五PIN二极管(25);所述第二微带线(11)还粘接有第二隔直电容(47)和第三隔直电容(48),所述第三隔直电容(48)另一端连接有第一负载(49),所述第一负载(49)另一端粘接于腔体(20);所述第二微带线(11)连接有第六PIN二极管(26)、第七PIN二极管(27)和第八PIN二极管(28),所述第六PIN二...

【专利技术属性】
技术研发人员:骆芃宇李元元杨磊
申请(专利权)人:成都嘉泰华力科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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