一种宽带高隔离射频开关制造技术

一种宽带高隔离射频开关，包括开关盒体，开关盒体设置有上腔体和下腔体，上腔体内设置有开关电路，下腔体设置有驱动电路；开关电路与驱动电路之间通过高温导线连接，开关电路包括射频通路；射频通路并联有第一匹配电路、第二匹配电路和第三匹配电路；射频通路还并联有第一偏置电路和第二偏置电路。本实用新型专利技术电路结构简单，体积小。通过上腔体和下腔体将输出两路射频信号隔开，隔离度高。并具有宽频带范围内插入损耗小等优点。

A Broadband High Isolation Radio Frequency Switch

【技术实现步骤摘要】
一种宽带高隔离射频开关
本技术涉及微波控制
，具体来说，涉及一种宽带高隔离射频开关。
技术介绍
微波射频开关是微波控制电路中的基本部件，是实现在各种恶劣环境和特定的空间内将微波信号进行切换的特定功能模块，它在相控阵雷达、电子对抗、微波通信、卫星通信以及微波测量等方面有着广泛的应用。随着电子技术的不断进步，现代雷达通信、制导武器和电子对抗等系统对微波控制电路的性能指标提出了愈来愈高的要求，主要表现在：信号频段的不断上升、占用带宽的不断扩大、电路体积的不断缩小、关断时隔离度的不断提高等，因此研究一种低插损、宽频带、高隔离度、小型化的微波开关已显得至关重要。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种宽带高隔离射频开关，能够克服目前现有技术存在的上述不足。为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种宽带高隔离射频开关，包括开关盒体，所述开关盒体设置有上腔体和下腔体，所述上腔体内设置有开关电路，所述下腔体设置有驱动电路；所述开关电路与所述驱动电路之间通过高温导线连接。进一步的，所述开关电路包括射频通路；所述射频通路并联有第一匹配电路、第二匹配电路和第三匹配电路；所述射频通路还并联有第一偏置电路和第二偏置电路。进一步的，所述射频通路包括PIN二极管D1、PIN二极管D2、PIN二极管D3、PIN二极管D4、PIN二极管D5和PIN二极管D6；所述PIN二极管D2的正极连接所述PIN二极管D1的负极和所述PIN二极管D3的负极，所述PIN二极管D3的正极连接所述PIN二极管D4的正极，所述PIN二极管D4的负极连接所述PIN二极管D5的正极和所述PIN二极管D6的负极；所述PIN二极管D1的正极连接有电容C1，所述PIN二极管D6的正极连接有电容C8；所述PIN二极管D2的负极和所述PIN二极管D5的负极均接地。进一步的，所述第一匹配电路包括电感L1，所述电感L1第一端连接有电阻R1和电容C2，所述电阻R1和所诉电容C2接地，所述电感L1第二端连接于所述电容C1和所述PIN二极管D1的正极之间，所述第一匹配电路通过所述电感L1并联于所述电容C1和所述PIN二极管D1的正极之间；所述第二匹配电路包括电感L5，所述电感L5第一端连接有电阻R3和电容C7，所述电阻R3和所述电容C7接地，所述电感L5第二端连接于所述电容C8和所述PIN二极管D6的正极之间，所述第二匹配电路通过所述电感L5并联于所述电容C8和所述PIN二极管D6的正极之间；所述第三匹配电路包括电感L3，所述电感L3第一端连接有电阻R2和电容C4，所述电阻R2和所述电容C4接地，所述电感L1第二端连接于所述PIN二极管D3的正极和所述PIN二极管D4的正极之间，所述第三匹配电路通过所述电感L3并联于所述PIN二极管D3的正极和所述PIN二极管D4的正极之间。进一步的，所述第一偏置电路包括电感L2，所述电感L2第一端连接有电容C3和DCBias1接口，所述电容C3接地，所述电感L2第二端连接所述PIN二极管D2的正极，所述第一偏置电路通过所述电感L2并联于所述PIN二极管D2的正极；所述第二偏置电路包括电感L4，所述电感L4第一端连接有电容C6和DCBias2接口，所述电容C6接地，所述电感L4第二端连接所述PIN二极管D5的正极，所述第二偏置电路通过所述电感L4并联于所述PIN二极管D5的正极。进一步的，所述驱动电路设置有NON-INVOUT接口和INVOUT接口，所述NON-INVOUT接口连接所述DCBias2接口，所述INVOUT接口连接所述DCBias1接口。进一步的，所述开关盒体的上腔体和下腔体的宽度为6mm。进一步的，所述开关盒体的上腔体和下腔体的深度为5mm。进一步的，所述开关盒体的上腔体和下腔体的深度为5mm。本技术的有益效果：本技术电路结构简单，体积小。通过上腔体和下腔体将输出两路射频信号隔开，隔离度高。并具有宽频带范围内插入损耗小等优点。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是开关电路的电路图；图2是驱动电路的电路图；图3是开关整体的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，根据本技术实施例所述的一种宽带高隔离射频开关，包括开关盒体，所述开关盒体设置有上腔体和下腔体，所述上腔体内设置有开关电路，所述下腔体设置有驱动电路；所述开关电路与所述驱动电路之间通过高温导线连接。在本技术的一个具体实施例中，所述开关电路包括射频通路；所述射频通路并联有第一匹配电路、第二匹配电路和第三匹配电路；所述射频通路还并联有第一偏置电路和第二偏置电路。在本技术的一个具体实施例中，所述射频通路包括PIN二极管D1、PIN二极管D2、PIN二极管D3、PIN二极管D4、PIN二极管D5和PIN二极管D6；所述PIN二极管D2的正极连接所述PIN二极管D1的负极和所述PIN二极管D3的负极，所述PIN二极管D3的正极连接所述PIN二极管D4的正极，所述PIN二极管D4的负极连接所述PIN二极管D5的正极和所述PIN二极管D6的负极；所述PIN二极管D1的正极连接有电容C1，所述PIN二极管D6的正极连接有电容C8；所述PIN二极管D2的负极和所述PIN二极管D5的负极均接地。在本技术的一个具体实施例中，所述第一匹配电路包括电感L1，所述电感L1第一端连接有电阻R1和电容C2，所述电阻R1和所诉电容C2接地，所述电感L1第二端连接于所述电容C1和所述PIN二极管D1的正极之间，所述第一匹配电路通过所述电感L1并联于所述电容C1和所述PIN二极管D1的正极之间；所述第二匹配电路包括电感L5，所述电感L5第一端连接有电阻R3和电容C7，所述电阻R3和所述电容C7接地，所述电感L5第二端连接于所述电容C8和所述PIN二极管D6的正极之间，所述第二匹配电路通过所述电感L5并联于所述电容C8和所述PIN二极管D6的正极之间；所述第三匹配电路包括电感L3，所述电感L3第一端连接有电阻R2和电容C4，所述电阻R2和所述电容C4接地，所述电感L1第二端连接于所述PIN二极管D3的正极和所述PIN二极管D4的正极之间，所述第三匹配电路通过所述电感L3并联于所述PIN二极管D3的正极和所述PIN二极管D4的正极之间。在本技术的一个具体实施例中，所述第一偏置电路包括电感L2，所述电感L2第一端连接有电容C3和DCBias1接口，所述电容C3接地，所述电感L2第二端连接所述PIN二极管D2的正极，所述第一偏置电路通过所述电感L2并联于所述PIN二极管D2的正极；所述第二偏置电路包括电感L4，所述电感L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽带高隔离射频开关，包括开关盒体，其特征在于，所述开关盒体设置有上腔体和下腔体，所述上腔体内设置有开关电路，所述下腔体设置有驱动电路；所述开关电路与所述驱动电路之间通过高温导线连接。

【技术特征摘要】
1.一种宽带高隔离射频开关，包括开关盒体，其特征在于，所述开关盒体设置有上腔体和下腔体，所述上腔体内设置有开关电路，所述下腔体设置有驱动电路；所述开关电路与所述驱动电路之间通过高温导线连接。2.根据权利要求1所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述开关电路包括射频通路；所述射频通路并联有第一匹配电路、第二匹配电路和第三匹配电路；所述射频通路还并联有第一偏置电路和第二偏置电路。3.根据权利要求2所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述射频通路包括PIN二极管D1、PIN二极管D2、PIN二极管D3、PIN二极管D4、PIN二极管D5和PIN二极管D6；所述PIN二极管D2的正极连接所述PIN二极管D1的负极和所述PIN二极管D3的负极，所述PIN二极管D3的正极连接所述PIN二极管D4的正极，所述PIN二极管D4的负极连接所述PIN二极管D5的正极和所述PIN二极管D6的负极；所述PIN二极管D1的正极连接有电容C1，所述PIN二极管D6的正极连接有电容C8；所述PIN二极管D2的负极和所述PIN二极管D5的负极均接地。4.根据权利要求3所述的宽带高隔离射频开关，其特征在于：所述第一匹配电路包括电感L1，所述电感L1第一端连接有电阻R1和电容C2，所述电阻R1和所诉电容C2接地，所述电感L1第二端连接于所述电容C1和所述PIN二极管D1的正极之间，所述第一匹配电路通过所述电感L1并联于所述电容C1和所述PIN二极管D1的正极之间；所述第二匹配电路包括电感L5，所述电感L5第一端连接有电阻R3和电容C7，所述电阻R3和所述电容C7接地...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘奎鹏，
申请(专利权)人：北京大华恒威通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11