【技术实现步骤摘要】
存储器控制器及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月12日提交的申请号为10-2018-0028831的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置。特别地,实施例涉及一种存储器控制器及其操作方法。
技术介绍
存储器装置可被形成为串水平布置的二维结构,或者被形成为串垂直布置的三维结构。为克服二维半导体存储器装置中集成度的限制,设计了三维半导体存储器装置。三维半导体存储器装置可包括垂直堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元。存储器控制器控制存储器装置的操作。
技术实现思路
实施例提供了一种能够提高存储器装置的操作可靠性的存储器控制器。实施例还提供了一种能够提高存储器装置的操作可靠性的存储器控制器的操作方法。根据本公开的一个方面,提供了一种用于控制存储器装置的操作的存储器控制器,该存储器控制器包括:请求接收电路,其被配置成从主机接收清除请求和与清除请求相对应的逻辑地址,并且响应于接收的清除请求生成控制信号;以及数据特性存储电路,其被配置成存储冷数据列表,并且响应于来自请求接收电路的控制信号更新冷数据列表。数据特性存储电路可更新冷数据列表,以表示存储在与接收的清除请求相对应的逻辑地址处的数据是冷数据。存储器控制器可进一步包括写入缓冲器,其被配置成存储从主机接收的写入数据。请求接收电路可控制写入缓冲器,使得与接收的清除请求相对应的写入数据被优先输出到存储器装置。存储器控制器可进一步包括损耗均衡控制电路,其被配置成基于存储在数据特性存储电路中的冷数据列表来控制存储器装置的损耗均衡操作。冷数据列表可被配置成存储与接 ...
【技术保护点】
1.一种存储器控制器,所述存储器控制器用于控制存储器装置的操作,所述存储器控制器包括:请求接收电路,从主机接收清除请求和与所述清除请求相对应的逻辑地址,并且响应于接收的清除请求生成控制信号;以及数据特性存储电路,存储冷数据列表,并且响应于来自所述请求接收电路的所述控制信号更新所述冷数据列表。
【技术特征摘要】
2018.03.12 KR 10-2018-00288311.一种存储器控制器,所述存储器控制器用于控制存储器装置的操作,所述存储器控制器包括:请求接收电路,从主机接收清除请求和与所述清除请求相对应的逻辑地址,并且响应于接收的清除请求生成控制信号;以及数据特性存储电路,存储冷数据列表,并且响应于来自所述请求接收电路的所述控制信号更新所述冷数据列表。2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述数据特性存储电路更新所述冷数据列表,以表示存储在与所述接收的清除请求相对应的逻辑地址处的数据是冷数据。3.根据权利要求1所述的存储器控制器,进一步包括写入缓冲器,所述写入缓冲器存储从所述主机接收的写入数据,其中所述请求接收电路控制所述写入缓冲器,使得与所述接收的清除请求相对应的写入数据被优先输出到所述存储器装置。4.根据权利要求1所述的存储器控制器,进一步包括损耗均衡控制电路,所述损耗均衡控制电路基于存储在所述数据特性存储电路中的所述冷数据列表来控制所述存储器装置的损耗均衡操作。5.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述冷数据列表存储与所述接收的清除请求相对应的逻辑地址条目,其中当所述冷数据列表中不存在与所述接收的清除请求相对应的逻辑地址条目时,所述数据特性存储电路生成与所述接收的清除请求相对应的逻辑地址条目,并且更新所述冷数据列表以将与所生成的逻辑地址条目相对应的数据的特性设置为冷数据。6.根据权利要求5所述的存储器控制器,其中当所述冷数据列表中存在与所述接收的清除请求相对应的逻辑地址条目时,所述数据特性存储电路更新所述冷数据列表以将与所述逻辑地址条目相对应且与所述接收到的清除请求相对应的数据的特性改变为正常数据。7.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中当被改变为正常数据的与所述逻辑地址条目相对应的所述数据的特性在阈值时间内未被改变回冷数据时,所述数据特性存储电路更新所述冷数据列表以删除所述逻辑地址条目。8.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中当被改变为正常数据的与所述逻辑地址条目相对应的所述数据的特性在阈值时间内未被再次改变时,所述数据特性存储电路更新所述冷数据列表以将与所述逻辑地址条目相对应的数据的特性改变为冷数据。9.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中当与包括在所述冷数据列表中的逻辑地址条目相对应的数据被删除时,所述数据特性存储电路更新所述冷数据列表以删除所述逻辑地址条目。10.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述冷数据列表存储与多个逻辑地址区域相关的清除写入数量,其中所述多个逻辑地址区域与所述存储器装置的使用区域相对应...
【专利技术属性】
技术研发人员:金世玹,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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