掩模条材料属性的获取方法、装置和掩模板的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供一种掩模条材料属性的获取方法、装置和掩模板的制作方法，涉及显示技术领域，可以快速而简便的获取掩模条的材料属性。一种掩模条材料属性的获取方法，包括：根据掩模条模型，制作一模拟图形，模拟图形与掩模条模型上的重复单元的形状、尺寸均相同；其中，重复单元包括至少一个蒸镀孔；根据模拟图形，构建等效图形，等效图形的形状为长方体；长方体的长、宽和高与模拟图形的长、宽和高分别相等；设定多组测试参数，每组测试参数均包括模拟图形的所有表面的位移约束值；根据每组测试参数，提取模拟图形表面上的反力；根据模拟图形表面上的反力以及对应的等效图形表面的面积，计算得到模拟图形的材料属性。

Material Attribute Acquisition Method, Device of Mask Bar and Manufacturing Method of Mask Bar

【技术实现步骤摘要】
掩模条材料属性的获取方法、装置和掩模板的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种掩模条材料属性的获取方法、装置和掩模板的制作方法。
技术介绍
制备高质量有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示装置的一种核心技术是通过蒸镀方式将有机材料按照预定程序蒸镀到玻璃基板上，利用精细掩模板(FineMetalMask，FMM)上的图案形成红绿蓝器件。精细掩模板的结构复杂，成本高昂，实现其精确设计可以保证产品良率。其中，精细掩模板包括掩模板框架和多个掩模条。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种掩模条材料属性的获取方法、装置和掩模板的制作方法，可以快速而简便的获取掩模条的材料属性。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，本专利技术的实施例提供了一种掩模条材料属性的获取方法，包括：根据掩模条模型，制作一模拟图形，所述模拟图形与所述掩模条模型上的重复单元的形状、尺寸均相同；其中，所述重复单元包括至少一个蒸镀孔；根据所述模拟图形，构建等效图形，所述等效图形的形状为长方体；所述长方体的长、宽和高与所述模拟图形的长、宽和高分别相等；设定多组测试参数，每组所述测试参数均包括所述模拟图形的所有表面的位移约束值；根据每组所述测试参数，提取所述模拟图形表面上的反力；根据所述模拟图形表面上的反力以及对应的所述等效图形表面的面积，计算得到所述模拟图形的材料属性；所述材料属性包括杨氏模量、泊松比和剪切模量。可选地，多组所述测试参数包括第一组所述测试参数、第二组所述测试参数、第三组所述测试参数、第四组所述测试参数、第五组所述测试参数和第六组所述测试参数；第一组所述测试参数中，所述模拟图形的右侧表面的法向位移约束值为第一预设值，其余五个表面的法向位移约束值为零；所述第一方向为所述右侧表面的法向，所述第一预设值为正应变与所述模拟图形沿第一方向的长度的乘积；第二组所述测试参数中，所述模拟图形的上表面的法向位移约束值为第二预设值，其余五个表面的法向位移约束值为零；所述第二方向为所述上表面的法向，所述第二预设值为所述正应变与所述模拟图形沿第二方向的长度的乘积；第三组所述测试参数中，所述模拟图形的前侧表面的法向位移约束值为第三预设值，其余五个表面的法向位移约束值为零；所述第三方向为所述前侧表面的法向，所述第三预设值为所述正应变与所述模拟图形沿第三方向的长度的乘积，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直；第四组所述测试参数中，所述右侧表面在所述第二方向上的位移约束值为所述第二预设值，所述上表面在所述第一方向上的位移约束值为所述第一预设值，左侧表面在所述第二方向上的位移约束值为0，下表面在所述第一方向上的位移约束值为0，所述前侧表面和后侧表面的法向位移约束值为0；第五组所述测试参数中，所述前侧表面在所述第一方向上的位移约束值为所述第一预设值，所述右侧表面在所述第三方向上的位移约束值为所述第三预设值，所述后侧表面在所述第一方向上的位移约束值为0，所述左侧表面在所述第三方向上的位移约束值为0，所述上表面和所述下表面的法向位移约束值为0；第六组所述测试参数中，所述上表面在所述第三方向上的位移约束值为所述第三预设值，所述前侧表面在所述第二方向上的位移约束值为所述第二预设值，所述下表面在所述第三方向上的位移约束值为0，所述后侧表面在所述第二方向上的位移约束值为0，所述左侧表面和所述右侧表面的法向位移为0。可选地，所述正应变在0.01％～0.02％范围内取值。可选地，根据每组所述测试参数，提取所述模拟图形表面上的反力，包括：根据第一组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述右侧表面、所述上表面和所述前侧表面的反力；根据第二组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述右侧表面、所述上表面和所述前侧表面的反力；根据第三组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述右侧表面、所述上表面和所述前侧表面的反力；根据第四组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述右侧表面的反力；根据第五组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述前侧表面的反力；根据第六组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述上表面的反力。可选地，根据所述模拟图形表面上的反力以及对应的所述等效图形表面的面积，计算得到所述模拟图形的材料属性，包括：根据第一组所述测试参数提取的各表面反力，将所述右侧表面的反力除以所述等效图形上相同位置处的第一表面的面积，得到常数Q11；将所述上表面的反力除以所述等效图形上相同位置处的第二表面的面积，得到常数Q12；将所述前侧表面的反力除以所述等效图形上相同位置处的第三表面的面积，得到常数Q13；根据第二组所述测试参数提取的各表面反力，将所述右侧表面的反力除以所述第一表面的面积，得到常数Q21；将所述上表面的反力除以所述第二表面的面积，得到常数Q22；将所述前侧表面的反力除以所述第三表面的面积，得到常数Q23；根据第三组所述测试参数提取的各表面反力，将所述右侧表面的反力除以所述第一表面的面积，得到常数Q31；将所述上表面的反力除以所述第二表面的面积，得到常数Q32；将所述前侧表面的反力除以所述第三表面的面积，得到常数Q33；根据第四组所述测试参数提取的各表面反力，将所述右侧表面的反力除以所述第一表面的面积，得到常数Q66；根据第五组所述测试参数提取的各表面反力，将所述前侧表面的反力除以所述第三表面的面积，得到常数Q55；根据第六组所述测试参数提取的各表面反力，将所述上表面的反力除以所述第二表面的面积，得到常数Q44；根据Q11、Q12、Q13、Q21、Q22、Q23、Q31、Q32、Q33、Q66、Q55、Q44，计算得到所述模拟图形的材料属性。可选地，根据Q11、Q12、Q13、Q21、Q22、Q23、Q31、Q32、Q33、Q66、Q55、Q44，计算得到所述模拟图形的材料属性，包括：根据Q11、Q12、Q13、Q21、Q22、Q23、Q31、Q32、Q33、Q66、Q55、Q44，建立刚度矩阵根据所述刚度矩阵，计算所述刚度矩阵的逆矩阵，得到柔度矩阵根据所述柔度矩阵与材料属性的关系式计算得到所述材料属性。其中，E1、E2、E3为杨氏模量，ν12、ν13、ν23为泊松比，G23、G31、G12为剪切模量。另一方面，本专利技术的实施例还提供一种掩模板的制作方法，包括：将由如上所述的掩模条材料属性的获取方法得到的所述材料属性，施加给掩模条模型；对所述掩模条模型进行模拟张网，并沿所述掩模条模型的延伸方向，调整拉力大小，直至所述掩模条模型平坦；分别获取沿所述掩模条模型的延伸方向的伸长率和沿垂直于所述掩模条模型的延伸方向的收缩率，在掩模条实际制作过程中，对掩模条进行补偿。又一方面，本专利技术的实施例还提供一种掩模条材料属性的获取装置，包括：构建模块，配置为根据掩模板模型，制作一模拟图形，所述模拟图形与所述掩模条模型上的重复单元形状、尺寸均相同；其中，所述重复单元包括至少一个蒸镀孔；构建模块，还配置为根据所述模拟图形，构建等效图形，所述等效图形的形状为长方体；所述长方体的长、宽和高与所述模拟图形的长、宽和高分别相等；设定模块，配置为设定多组测试参数，每组所述测试参数均包括所述模拟图形的所有表面的位移约束值；提取模块，配置为根据每组所述测试参数，提取所述模拟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模条材料属性的获取方法，其特征在于，包括：根据掩模条模型，制作一模拟图形，所述模拟图形与所述掩模条模型上的重复单元的形状、尺寸均相同；其中，所述重复单元包括至少一个蒸镀孔；根据所述模拟图形，构建等效图形，所述等效图形的形状为长方体；所述长方体的长、宽和高与所述模拟图形的长、宽和高分别相等；设定多组测试参数，每组所述测试参数均包括所述模拟图形的所有表面的位移约束值；根据每组所述测试参数，提取所述模拟图形表面上的反力；根据所述模拟图形表面上的反力以及对应的所述等效图形表面的面积，计算得到所述模拟图形的材料属性；所述材料属性包括杨氏模量、泊松比和剪切模量。

【技术特征摘要】
1.一种掩模条材料属性的获取方法，其特征在于，包括：根据掩模条模型，制作一模拟图形，所述模拟图形与所述掩模条模型上的重复单元的形状、尺寸均相同；其中，所述重复单元包括至少一个蒸镀孔；根据所述模拟图形，构建等效图形，所述等效图形的形状为长方体；所述长方体的长、宽和高与所述模拟图形的长、宽和高分别相等；设定多组测试参数，每组所述测试参数均包括所述模拟图形的所有表面的位移约束值；根据每组所述测试参数，提取所述模拟图形表面上的反力；根据所述模拟图形表面上的反力以及对应的所述等效图形表面的面积，计算得到所述模拟图形的材料属性；所述材料属性包括杨氏模量、泊松比和剪切模量。2.根据权利要求1所述的掩模条材料属性的获取方法，其特征在于，多组所述测试参数包括第一组所述测试参数、第二组所述测试参数、第三组所述测试参数、第四组所述测试参数、第五组所述测试参数和第六组所述测试参数；第一组所述测试参数中，所述模拟图形的右侧表面的法向位移约束值为第一预设值，其余五个表面的法向位移约束值为零；第一方向为所述右侧表面的法向，所述第一预设值为正应变与所述模拟图形沿第一方向的长度的乘积；第二组所述测试参数中，所述模拟图形的上表面的法向位移约束值为第二预设值，其余五个表面的法向位移约束值为零；第二方向为所述上表面的法向，所述第二预设值为所述正应变与所述模拟图形沿第二方向的长度的乘积；第三组所述测试参数中，所述模拟图形的前侧表面的法向位移约束值为第三预设值，其余五个表面的法向位移约束值为零；第三方向为所述前侧表面的法向，所述第三预设值为所述正应变与所述模拟图形沿第三方向的长度的乘积，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直；第四组所述测试参数中，所述右侧表面在所述第二方向上的位移约束值为所述第二预设值，所述上表面在所述第一方向上的位移约束值为所述第一预设值，左侧表面在所述第二方向上的位移约束值为0，下表面在所述第一方向上的位移约束值为0，所述前侧表面和后侧表面的法向位移约束值为0；第五组所述测试参数中，所述前侧表面在所述第一方向上的位移约束值为所述第一预设值，所述右侧表面在所述第三方向上的位移约束值为所述第三预设值，所述后侧表面在所述第一方向上的位移约束值为0，所述左侧表面在所述第三方向上的位移约束值为0，所述上表面和所述下表面的法向位移约束值为0；第六组所述测试参数中，所述上表面在所述第三方向上的位移约束值为所述第三预设值，所述前侧表面在所述第二方向上的位移约束值为所述第二预设值，所述下表面在所述第三方向上的位移约束值为0，所述后侧表面在所述第二方向上的位移约束值为0，所述左侧表面和所述右侧表面的法向位移约束值为0。3.根据权利要求2所述的掩模条材料属性的获取方法，其特征在于，所述正应变在0.01％～0.02％范围内取值。4.根据权利要求2所述的掩模条材料属性的获取方法，其特征在于，根据每组所述测试参数，提取所述模拟图形表面上的反力，包括：根据第一组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述右侧表面、所述上表面和所述前侧表面的反力；根据第二组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述右侧表面、所述上表面和所述前侧表面的反力；根据第三组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述右侧表面、所述上表面和所述前侧表面的反力；根据第四组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述右侧表面的反力；根据第五组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述前侧表面的反力；根据第六组所述测试参数，提取所述模拟图形的所述上表面的反力。5.根据权利要求4所述的掩模条材料属性的获取方法，其特征在于，根据所述模拟图形表面上的反力以及对应的所述等效图形表面的面积，计算得到所述模拟图形的材料属性，包括：根据第一组所述测试参数提取的各表面反力，将所述右侧表面的反力除以所述等效图形上相同位置处的第一表面的面积，得到常数Q11；将所述上表面的反力除以所述等效图形上相同位置处的第二表面的面积，得到常数Q12；将所述前侧表面的反力除以所述等效图形上相同位置处的第三表面的面积，得到常数Q13；根据第二组所述测试参数提取的各表面反力，将所述右侧表面的反力除以所述第一表面的面积，得到常数Q21；将所述上表面的反力除以所述第二表面的面积，得到常数Q22；将所述前侧表面的反力除以所述第三表面的面积，得到常数Q23；根据第三组所述测试参数提取的各表面反力，将所述右侧表面的反力除以所述第一表面的面积，得到常数Q31；将所述上表面的反力除以所述第二表面的面积，得到常数Q32；将所述前侧表面的反力除以所述第三表面的面积，得到常数Q33；根据第四组所述测试参数提取的各表面反力，将所述右侧表面的反力除以所述第一表面的面积，得到常数Q66；根据第五组所述测试参数...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓江涛，杨晓宇，嵇凤丽，徐鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11