光接收器件、光接收器件制造方法、摄像器件和电子设备技术

本发明专利技术提供一种光接收器件，其包括：多个光电转换层，所述多个光电转换层布置于从平面图看时相互不同的各个区域中并且包括第一光电转换层和第二光电转换层；绝缘膜，其将所述多个光电转换层彼此分开；第一无机半导体材料，其包含于所述第一光电转换层中；以及与所述第一无机半导体材料不同的第二无机半导体材料，其包含于所述第二光电转换层中。

Manufacturing method, camera device and electronic equipment of optical receiver device, optical receiver device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光接收器件、光接收器件制造方法、摄像器件和电子设备
本公开涉及例如用于红外线传感器等的光接收器件及其制造方法，还涉及摄像器件和电子设备。
技术介绍
近年来，在红外区域具有灵敏度的图像传感器(红外线传感器)已经商业化。例如，如专利文献1所记载的，在用于红外线传感器的光接收器件中，使用了例如包含诸如InGaAs(砷化铟镓)等III-V族半导体的光电转换层，并且在该光电转换层中，通过吸收红外线来产生电荷(进行光电转换)。引用列表专利文献专利文献1：日本专利申请特开No.2014-127499
技术实现思路
关于前述光接收器件或摄像器件的器件结构，已经提出了各种提案，但是还期望进一步扩宽能够光电转换的波长带域。因此，本专利技术期望提供能够在宽的波长带域中进行光电转换的光接收器件、光接收器件制造方法、摄像器件和电子设备。根据本公开一个实施例的一种光接收器件包括：多个光电转换层，所述多个光电转换层布置于从平面图看时相互不同的各个区域中并且包括第一光电转换层和第二光电转换层；绝缘膜，其将所述多个光电转换层彼此分开；第一无机半导体材料，其包含于所述第一光电转换层中；以及与所述第一无机半导体材料不同的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光接收器件，其包括：多个光电转换层，所述多个光电转换层布置于从平面图看时相互不同的各个区域中并且包括第一光电转换层和第二光电转换层；绝缘膜，其将所述多个光电转换层彼此分开；第一无机半导体材料，其包含于所述第一光电转换层中；以及与所述第一无机半导体材料不同的第二无机半导体材料，其包含于所述第二光电转换层中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.24 JP 2017-0101871.一种光接收器件，其包括：多个光电转换层，所述多个光电转换层布置于从平面图看时相互不同的各个区域中并且包括第一光电转换层和第二光电转换层；绝缘膜，其将所述多个光电转换层彼此分开；第一无机半导体材料，其包含于所述第一光电转换层中；以及与所述第一无机半导体材料不同的第二无机半导体材料，其包含于所述第二光电转换层中。2.根据权利要求1所述的光接收器件，其中，所述第一光电转换层的厚度与所述第二光电转换层的厚度不同。3.根据权利要求1所述的光接收器件，其还包括：第三光电转换层，所述第三光电转换层设置在所述第一光电转换层的厚度方向上，并且从平面图看时与所述第一光电转换层的一部分重叠，其中，所述第三光电转换层包括与所述第一无机半导体材料不同的第三无机半导体材料。4.根据权利要求1所述的光接收器件，其中，所述第一光电转换层或所述第二光电转换层或它们两者被构造成通过吸收红外区域中的波长的光来产生电荷。5.根据权利要求1所述的光接收器件，其中，所述第一光电转换层或所述第二光电转换层或它们两者被构造成通过吸收可见区域中的波长的光来产生电荷。6.根据权利要求1所述的光接收器件，其中，所述第一无机半导体材料或所述第二无机半导体材料或它们两者包括Ge、InGaAs、Ex.InGaAs、InAsSb、InAs、InSb和HgCdTe中的一种。7.根据权利要求1所述的光接收器件，其还包括：第一电极，其与所述第一光电转换层和所述第二光电转换层中的每一者电气连接；以及ROIC(读出集成电路)基板，其与各个所述第一电极电气连接。8.根据权利要求7所述的光接收器件，其还包括：第一接触层，所述第一接触层设置在所述第一电极与所述第一光电转换层之间以及所述第一电极与所述第二光电转换层之间。9.根据权利要求8所述的光接收器件，其中，多个所述第一接触层的与所述第一电极接触的表面是彼此齐平的。10.根据权利要求7所述的光接收器件，其还包括：与所述第一电极相对的第二电极，并且所述第一光电转换层和所述第二光电转换层每一者都插入在所述第一电极与所述第二电极之间。11.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤卓，藤井宣年，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP