磁性装置、使用其的磁性存储器及用于提供其的方法制造方法及图纸

本发明专利技术阐述一种磁性装置、一种使用所述磁性装置的存储器及一种用于提供所述磁性装置的方法。磁性装置包括磁性结及邻近磁性结的混合顶盖层。混合顶盖层包括绝缘层、不连续的氧化物层及贵金属层。不连续的氧化物层位于绝缘层与贵金属层之间。绝缘层位于磁性结与贵金属层之间。在一个方面，磁性结包括参考层、可能是隧道势垒层的非磁性分隔层以及自由层。

Magnetic devices, magnetic memory using them, and methods for providing them

【技术实现步骤摘要】
磁性装置、使用其的磁性存储器及用于提供其的方法[相关申请的交叉参考]本申请主张在2018年3月2日提出申请的申请号为62/637,586且名称为具有混合氧化物层及贵金属层的垂直磁性结/磁性单元(PERPENDICULARMAGNETICJUNCTION/MAGNETICCELLHAVINGHYBRIDOXIDEANDNOBLEMETALLAYERS)的临时专利申请的权利，所述临时专利申请被转让给本申请的受让人且并入本申请供参考。
本公开涉及一种磁性装置、一种使用所述磁性装置的存储器及一种用于提供所述磁性装置的方法。
技术介绍
由于磁性存储器(尤其是磁性随机存取存储器(magneticrandomaccessmemory，MRAM))在操作期间具有高读取/写入速度、优异耐用性、非易失性及低功耗的潜力，因此它们得到越来越多的关注。磁性随机存取存储器可利用磁性材料作为信息记录介质来存储信息。一种类型的磁性随机存取存储器是自旋转移力矩磁性随机存取存储器(spintransfertorquemagneticrandomaccessmemory，STT-MRAM)。自旋转移力矩磁性随机存取存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性装置，存在于衬底上且能够用于磁性器件中，所述磁性装置包括：磁性结；以及混合顶盖层，邻近所述磁性结，所述混合顶盖层包括绝缘层、不连续的氧化物层及贵金属层，所述不连续的氧化物层位于所述绝缘层与所述贵金属层之间，所述绝缘层位于所述磁性结与所述贵金属层之间。

【技术特征摘要】
2018.03.02 US 62/637,586;2018.05.14 US 15/979,3111.一种磁性装置，存在于衬底上且能够用于磁性器件中，所述磁性装置包括：磁性结；以及混合顶盖层，邻近所述磁性结，所述混合顶盖层包括绝缘层、不连续的氧化物层及贵金属层，所述不连续的氧化物层位于所述绝缘层与所述贵金属层之间，所述绝缘层位于所述磁性结与所述贵金属层之间。2.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述磁性结还包括：参考层；非磁性分隔层；以及自由层，能够在多种稳定的磁性状态之间切换，所述非磁性分隔层存在于所述参考层与所述自由层之间，所述自由层具有高垂直磁各向异性能以及比所述垂直磁各向异性能小的平面外退磁能。3.根据权利要求2所述的磁性装置，其中所述自由层及所述参考层中的至少一者具有高垂直磁各向异性能以及比所述垂直磁各向异性能小的平面外退磁能。4.根据权利要求2所述的磁性装置，其中所述混合顶盖层邻接所述自由层，且所述自由层位于所述混合顶盖层与所述非磁性分隔层之间。5.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述贵金属层包含Ru、Pt、Ir、Rh、Pd及Os中的至少一者。6.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述贵金属层具有至少十埃的厚度。7.根据权利要求6所述的磁性装置，其中所述厚度为至少二十埃且不大于一百埃。8.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述不连续的氧化物层包括氧化物岛及金属岛。9.根据权利要求8所述的磁性装置，其中所述金属岛包含Mo、W、Nb及Zr中的至少一者。10.根据权利要求8所述的磁性装置，其中所述不连续的氧化物层包含氧化钼、氧化钨、氧化铌、氧化锆、Mg-Al氧化物、Mg-Ti氧化物及Mg-Zr氧化物中的至少一者。11.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述不连续的氧化物具有至少0.5埃且不大于三埃的厚度。12.根据权利要求1所述的磁性装置，其中所述绝缘层包含氧化镁-氧化铝、氧化铝镁、氧化钛掺杂的氧化镁以及氧化锆掺杂的氧化镁中的至少一者。13.根据权利要求2所述的磁性装置，其中所述自由层包含FeB、FeB-X、FeCoB、FeCoB-X、不含B的Fe、Fe-X、FeCo及FeCo-X中的至少一者，其中X选自Be、Ni、Mo、Mg、Zr、Ta、V、Cr、W、Hf、Nb及Tb。14.一种磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：全洪植，唐学体，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR