一种超薄自旋阀器件的设计方法技术

本发明专利技术公开了一种超薄自旋阀器件的设计方法，它涉及电子器件技术领域。包括自由层、钉扎层和反铁磁层，自由层与钉扎层相邻，钉扎层和反铁磁层相邻，所述的自由层、钉扎层均采用二维稀土半金属磁性材料。反铁磁层采用FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等传统材料。本发明专利技术应用二维稀土半金属磁性材料制作超薄自旋阀，提高自旋阀的灵敏度，将自旋阀厚度降低到2nm以下，是现在普遍使用的自旋阀厚度的1/3。取消了绝缘层，进而简化自旋制备的工艺流程。

A Design Method of Ultrathin Spin Valve Device

【技术实现步骤摘要】
一种超薄自旋阀器件的设计方法
本专利技术涉及的是电子器件
，具体涉及一种超薄、高开关比自旋阀器件的设计方法。
技术介绍
众所周知，当前的智能手机和移动硬盘的存储空间越来越大，极大地改善了人们的生活水平。这主要受益于自旋阀这一重要的电子器件。目前通用的自旋阀结构如图1所示，它由一层自旋方向可调的铁磁层、一层隔离层、一层自旋方向固定的铁磁层以及一层反铁磁层所组成。铁磁层材料通常为Fe。反铁磁层通常选择FeMn、IrMn、NiMn、PtMn、CoO和NiO等。反铁磁层与铁磁层形成异质结，相互之间存在较强的磁耦合作用，可以有效地固定钉扎层的自旋方向。两铁磁层之间的非磁隔离层可有效减小或消除铁磁层之间的磁耦合作用，从而调控自由层的自旋。目前普遍使用MgO作为绝缘层材料。随着MgO厚度的减小，器件开关比会减小。因此，在降低磁阻器件厚度与能耗的同时，还保持较高的开关比是磁存储与自旋阀领域的一个关键问题。目前，该类器件的开关比在400％左右，进一步提高开关比与器件灵敏度是该领域的另一个关键问题。目前，广泛应用于磁存储与磁传感领域的自旋阀器件由两个铁磁层中间夹着一层绝缘层所以及一层反铁磁层组成，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄自旋阀器，其特征在于，包括自由层(1)、钉扎层(2)和反铁磁层(3)，自由层(1)与钉扎层(2)相邻，钉扎层(2)和反铁磁层(3)相邻，所述的自由层(1)和钉扎层(2)均采用二维稀土磁性材料。

【技术特征摘要】
1.一种超薄自旋阀器，其特征在于，包括自由层(1)、钉扎层(2)和反铁磁层(3)，自由层(1)与钉扎层(2)相邻，钉扎层(2)和反铁磁层(3)相邻，所述的自由层(1)和钉扎层(2)均采用二维稀土磁性材料。2.根据权利要求1所述的一种超薄自旋阀器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建辉，梁兴，赵怀远，王安萍，张绍政，
申请(专利权)人：衢州学院，
类型：发明
国别省市：浙江,33