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本发明公开了一种超薄自旋阀器件的设计方法，它涉及电子器件技术领域。包括自由层、钉扎层和反铁磁层，自由层与钉扎层相邻，钉扎层和反铁磁层相邻，所述的自由层、钉扎层均采用二维稀土半金属磁性材料。反铁磁层采用FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等...
该专利属于衢州学院所有，仅供学习研究参考，未经过衢州学院授权不得商用。

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