薄膜晶体管基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管基板及其制作方法，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。避免源漏极刻蚀时金属氧化物沟道受到酸腐蚀增加半导体缺陷，有效防止铜在高温等条件向下扩散至金属氧化物沟道内。无需额外添加阻挡层材料，降低了生产成本的同时，减少阻挡层材料残留导致短路等风险。

Thin Film Transistor Substrate and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板及其制作方法
本专利技术涉及显示面板领域，特别涉及一种薄膜晶体管基板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是目前市场上应用最为广泛的显示产品，其本身具有高亮度、长寿命、广视角、大尺寸显示等优点，并且液晶显示器相关的生产工艺技术十分成熟，产品良率高，生产成本相对较低，市场接受度高。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)基板是液晶显示器能够实现显示效果的重要一环。在形成薄膜晶体管基板中的金属氧化物时，氧化铟镓锌(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)由于其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，实现更快的刷新率，大大提高像素的行扫描速率。但目前底栅型氧化铟镓锌在制作过程因选择比等问题，导致刻蚀工艺会对氧化铟镓锌有损伤，造成氧化铟镓锌表面缺陷，影响器件漏电流及阈值电压和稳定性。另外，在形成薄膜晶体管基板中的源漏极时，当源漏极采用铜(Cu)结构，因其与基板或者氧化硅及氮化硅附着力差，铜扩散至沟道等问题，需要额外添加进行阻挡层材料。一方面增加了刻蚀成本，另一方面会有钼(Mo)等阻挡层残留，造成短路等风险。因此，有必要提供一种新的薄膜晶体管基板及其制作方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于专利技术一种薄膜晶体管基板及其制作方法，通过剥离工艺形成源漏极，避免刻蚀工艺对金属氧化物沟道造成损伤；源漏极使用铜和铟锡氧化物的层叠结构，防止铜扩散至金属氧化物沟道内，进而引起风险。为实现上述目的，本专利技术提供一种薄膜晶体管基板，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。进一步地，所述栅极层为层叠结构，其材质为铜和钼。进一步地，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层和所述基板的表面；以及所述金属氧化物层的材质为氧化铟镓锌。进一步地，所述第一金属层的材质为铜；以及所述第二金属层的材质为铟锡氧化物。进一步地，还包括：钝化层，沉积于所述源漏极上，所述钝化层覆盖所述栅极绝缘层、所述源漏极和所述金属氧化物层的表面。本专利技术还提供一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括如下步骤：S1、提供一基板；S2、形成栅极层于所述基板上；S3、形成栅极绝缘层于所述栅极层上；S4、形成金属氧化物层于所述栅极绝缘层上；S5、形成光阻层于所述金属氧化物层上；S6、对所述光阻层进行修饰灰化，以使所述金属氧化物层上预计形成源漏极的区域形成缺口；S7、形成金属层于所述光阻层及所述缺口上，所述金属层采用层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上；S8、剥离覆盖在所述光阻层上的所述金属层，并剥离所述光阻层，剩余的覆盖在所述缺口上的所述金属层作为所述源漏极。进一步地，所述S2步骤包括：所述栅极层通过溅射成膜制成；所述栅极层为层叠结构，其材质为铜和钼；以及对所述栅极层进行黄光工艺，之后通过湿法刻蚀形成栅极图案。进一步地，所述栅极绝缘层通过化学气相沉积制成，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层和所述基板的表面；所述金属氧化物层通过溅射成膜制成；以及所述金属氧化物层的材质为氧化铟镓锌。进一步地，所述第一金属层的材质为铜；以及所述第二金属层的材质为铟锡氧化物。进一步地，所述步骤S8后还包括如下步骤：S9、形成钝化层于所述源漏极上；所述钝化层覆盖所述栅极绝缘层、所述源漏极和所述金属氧化物层的表面。本专利技术的优点在于，提供了一种薄膜晶体管基板及其制作方法，通过剥离工艺形成源漏极，不使用刻蚀工艺，避免源漏极刻蚀时金属氧化物沟道受到酸腐蚀增加半导体缺陷，进而影响器件漏电流及阈值电压和稳定性；源漏极使用铜和铟锡氧化物的层叠结构，形成图案后铜在铟锡氧化物表面，有效防止铜在高温等条件向下扩散至金属氧化物沟道内；通过使用铜和铟锡氧化物的层叠结构，无需额外添加阻挡层材料，降低了生产成本，同时减少阻挡层材料残留导致短路等风险。附图说明图1所示为本专利技术一实施例中的薄膜晶体管基板的结构示意图；图2所示为本专利技术一实施例中的薄膜晶体管基板的制作方法的流程示意图；图3所述为图2中S1步骤对应的结构示意图；图4所述为图2中S2步骤对应的结构示意图；图5所述为图2中S3步骤对应的结构示意图；图6所述为图2中S4步骤对应的结构示意图；图7所述为图2中S5步骤对应的结构示意图；图8所述为图2中S6步骤对应的结构示意图；图9所述为图2中S7步骤对应的结构示意图；图10所述为图2中S7步骤对应的结构示意图；图11所述为图2中S8步骤对应的结构示意图；图12所述为图11中S8步骤之后的S9步骤对应的结构示意图；部件编号如下：1、基板；2、栅极层；3、栅极绝缘层；4、金属氧化物层；5、金属层；6、钝化层；7、光阻层；8、源漏极；501、第一金属层；502、第二金属层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面参考图1至图10描述本专利技术实施例薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制作方法。本专利技术提供了一种薄膜晶体管基板，图1所示为本专利技术一实施例中的薄膜晶体管基板的结构示意图。薄膜晶体管基板包括:基板1、栅极层2、栅极绝缘层3、金属氧化物层4、源漏极5和钝化层6。基板1作为薄膜晶体管基板的底部。基板1例如但不限于为玻璃基板。栅极层2形成于基板1上。优选地，在本实施例中，栅极层2形成于基板1的中间。栅极层2通过溅射成膜工艺制成。栅极层2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述栅极层为层叠结构，其材质为铜和钼。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层和所述基板的表面；以及所述金属氧化物层的材质为氧化铟镓锌。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一金属层的材质为铜；以及所述第二金属层的材质为铟锡氧化物。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还包括：钝化层，形成于所述源漏极上，所述钝化层覆盖所述栅极绝缘层、所述源漏极和所述金属氧化物层的表面。6.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供一基板；S2、形成栅极层于所述基板上；S3、形成栅极绝缘层于所述栅极层上；S4、形成金属氧化物层于所述栅极绝缘层上；S5、形成光阻层于所述金属氧化物层上；S6、对所述光阻层进行修饰灰化，...

【专利技术属性】
技术研发人员：章仟益，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44