过滤装置及过滤在半导体制造中使用的流体的方法制造方法及图纸

本公开提供一种过滤装置，包括一壳体、一过滤元件、及一电场产生单元。壳体具有一入口及一出口，其中入口允许一流体流入壳体，而出口允许流体流出壳体。过滤元件设置于入口与出口之间，用以通过一吸附方式过滤流过过滤元件之流体中的杂质。电场产生单元配置用以产生一电场，使得前述杂质沿着电场的方向移动至过滤元件上。

【技术实现步骤摘要】
过滤装置及过滤在半导体制造中使用的流体的方法
本公开涉及一种半导体技术，具体涉及一种用于过滤在半导体制造中使用到的各种流体的过滤装置及过滤方法。
技术介绍
半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机、及其他电子设备。半导体装置的制造通常涉及多道处理程序，例如包括光刻、蚀刻、离子注入、掺杂、退火、及封装等制造过程(以下简称作工艺)。在这些工艺中，可能使用到各种不同类型的流体或化学品，例如包括水、光致抗蚀剂、显影液、蚀刻液、研磨液、工艺或清洁用气体等。这些流体通常经过过滤之后才被输送至半导体制造设备以供使用。虽然现有的过滤系统及过滤方法已经足以应付其需求，然而仍未全面满足。因此，需要提供一种可改善过滤流体中杂质的效果的方案。
技术实现思路
本公开一些实施例提供一种过滤装置，包括一壳体、一过滤元件、及一电场产生单元。壳体具有一入口及一出口，其中入口允许一流体流入壳体，而出口允许流体流出壳体。过滤元件设置于入口与出口之间，用以通过一吸附方式过滤流过过滤元件的流体中的杂质。电场产生单元配置用以产生一电场，使得前述杂质沿着电场的方向移动至过滤元件上。本公开一些实施例提供一种过滤装置，包括一壳体、一过滤元件、一电场产生单元、及一电极安装机构。壳体配置成允许一流体流入及流出。过滤元件设置于壳体中前述流体的流动路线上，用以通过一吸附方式过滤流体中的杂质。电场产生单元配置用以产生一电场，使得前述杂质沿着电场的方向移动至过滤元件上，其中电场产生单元包括一第一电极、一第二电极、及用于在第一电极与第二电极之间产生电场的一电源。电极安装机构配置用以将第一电极及第二电极安装至壳体上。本公开一些实施例提供一种过滤在半导体制造中使用的一流体的方法，包括将一流体流过一过滤元件。过滤方法还包括产生一电场，使得流体中的杂质沿着电场的方向移动至过滤元件上。此外，过滤方法包括通过过滤元件吸附前述杂质以过滤流体。附图说明图1显示根据一些实施例的一过滤系统的示意图。图2A显示根据一些实施例，图1中的过滤装置(14)的剖面示意图。图2B显示图2A中的过滤元件的局部立体示意图。图2C显示根据一些实施例，过滤元件可以和过滤装置的盖体及槽体的底壁不平行的示意图。图3A、图3B显示根据一些实施例，图1中的过滤装置(14)的剖面示意图。图4显示根据一些实施例，图1中的过滤装置(15)的剖面示意图。图5显示流体中的部分杂质可以被过滤元件吸附的示意图。图6显示根据一些实施例，过滤装置还包括一电场产生单元的示意图。图7显示流体中的杂质在受到交流电场的作用下会产生摆动行为的示意图。图8显示根据一些实施例，电场产生单元的电极配置成不平行于过滤元件的示意图。图9显示根据一些实施例，电场产生单元的电极设置于壳体中的示意图。图10显示根据一些实施例，电场产生单元的电极的其他配置方式的示意图。图11显示根据一些实施例的一过滤在半导体制造中使用的一流体的方法的流程图。附图标记说明：10～过滤系统；11～储存槽；12～半导体制造机台；13～管路系统；14～过滤装置；15～过滤装置；140～壳体；141～槽体；141A～侧壁；141B～底壁；142～盖体；142A～入口；142B～出口；142C～排气口；143～过滤元件；143A～开孔；143B～表面；143C～表面；150～壳体；151～槽体；152～盖体；152A～入口；152B～出口；153～过滤元件；153A～开孔；153B～表面；153C～表面；154～电场产生单元；1541～第一电极；1542～第二电极；1543～电源；155～支架；156～隔板；200～过滤方法；201～203～操作；C～流体；E～电场；P1～部分/第一部分/外侧部分；P2～部分/第二部分/内侧部分；P1’、P2’～隔室；X1、X2、X3～杂质；α～夹角。具体实施方式以下公开内容提供许多不同的实施例或较佳范例以实施本案的不同特征。当然，本公开也可以许多不同形式实施，而不局限于以下所述的实施例。以下公开内容配合附图详细叙述各个构件及其排列方式的特定范例，是为了简化说明，使公开得以更透彻且完整，以将本公开的范围完整地传达予本领域普通技术人员。在下文中所使用的空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，是为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中绘示的方位之外，这些空间相关用词也意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，而在此所使用的空间相关用词也可依此相同解释。必须了解的是，未特别图示或描述的元件可以本领域普通技术人员所熟知的各种形式存在。此外，若实施例中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的情况，也可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使得上述第一特征与第二特征未直接接触的情况。以下不同实施例中可能重复使用相同的元件标号和/或文字，这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例和/或结构之间有特定的关系。在附图中，结构的形状或厚度可能扩大，以简化或便于标示。图1显示根据本公开一些实施例的一过滤系统10的示意图。过滤系统10可以用于过滤在半导体制造的多道工艺中使用到的各种流体C(或化学品)，例如包括水、光致抗蚀剂、显影液、蚀刻液、研磨液、工艺或清洁用气体等。如图1所示，过滤系统10包括一储存槽11，用于在流体C被输送至一半导体制造机台12以供制造使用之前，提供储存及保护的功能。在一些实施例中，半导体制造机台12可以是一化学气相沉积机台、一物理气相沉积机台、一蚀刻机台、一热氧化机台、一离子注入机台、一化学机械研磨机台、一快速升温退火机台、一光刻机台、一扩散机台、或者执行其他类型的工艺的半导体制造机台。根据所储存流体C的不同特性，储存槽11可以选用各种适合的材料，以避免例如储存槽11的材料与流体C发生反应而导致流体C的变质或污染。举例来说，当流体C是一负型显影液(negativetonedeveloper，NTD)时，储存槽11可以选用不含聚乙烯(polyethylene，PE)或高密度聚乙烯的一材料，例如为聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)或过氟烷基化物(perfluoroalkoxy，PFA)等氟基聚合物(fluorine-basedpolymer)，借此避免负型显影液受到聚乙烯的污染。然而，当流体C为水或去离子水时，储存槽11也可以选用例如聚乙烯等塑胶材质，以降低材料成本。再者，在半导体制造机台12开始执行工艺之前，储存在储存槽11的流体C可以经由一系列的管路系统13被输送至半导体制造机台12。在一些实施例中，管路系统13包括多个管道、泵、阀、及流量计等元件，用于将流体C在既定的时间内以既定的流量输送至半导体制造机台12。管路系统13的运作可以由一控制系统(图未示)来控制，且该控制系统可以为一独立的电脑控制系统或者耦合于半导体制造机台12的工艺控制系统中。在一些实施例中，如图1所示，管路系统13中设置有多个过滤装置14及15，用于过滤流体C中的杂质(例如，流体C在调配或输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过滤装置，包括：一壳体，具有一入口及一出口，该入口允许一流体流入该壳体，而该出口允许该流体流出该壳体；一过滤元件，设置于该入口与该出口之间，用以通过一吸附方式过滤流过该过滤元件之该流体中的杂质；以及一电场产生单元，配置用以产生一电场，使得所述多个杂质沿着该电场的方向移动至该过滤元件上。

【技术特征摘要】
1.一种过滤装置，包括：一壳体，具有一入口及一出口，该入口允许一流体流入该壳体，而该出口允许该流体流出该壳体；一过滤元件，设置于该入口与该出口之间，用以通过一吸附方式过滤流过该过滤元件之该流体中的杂质；以及一电场产生单元，配置用以产生一电场，使得所述多个杂质沿着该电场的方向移动至该过滤元件上。2.如权利要求1所述的过滤装置，其中该电场产生单元包括一第一电极、一第二电极、及用于在该第一电极与该第二电极之间产生该电场的一电源，该第一电极设置于该过滤元件靠近该入口的一侧，而该第二电极设置于该过滤元件靠近该出口的另一侧。3.如权利要求2所述的过滤装置，其中该第一电极与该第二电极设置于该壳体之外。4.如权利要求2所述的过滤装置，其中该第一电极与该第二电极的至少其中一者设置于该壳体之中。5.如权利要求1所述的过滤装置，其中该过滤元件还具有多个开孔，用于允许该流体流过该过滤元件，以及过滤该流体中尺寸大于所述多个开孔的杂质。6.一种过滤装置，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建惟，张庆裕，赖韦翰，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71