【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀方法
本专利技术涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀方法。
技术介绍
等离子体刻蚀是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是，低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团；活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应，并形成挥发性的反应生成物；反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。在平行电极等离子体反应腔体中，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上，在这种情况，一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可大大加快表面的化学反应以及反应生成物的脱附，从而导致很高的刻蚀速率，正是由于离子轰击的存在，才使得各向异性刻蚀得以实现。在现有4mask工艺中，为实现一次光刻工艺完成有缘半导体层和源漏电极层的两层图案制作，会先对基板进行灰化工艺去除薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)沟道处的光刻胶，完全暴露出光刻胶下面的金属层，再通过另一部刻蚀...
【技术保护点】
1.一种等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述方法至少包括：S10：提供一块待刻蚀基板，将所述基板放置于反应腔体内；S20：向所述反应腔体内导入主刻蚀气体、用于调节刻蚀比的辅助刻蚀气体以及用于稀释并吸附刻蚀副产物和其他未参加反应物质的稀释气体；S30：待刻蚀结束后，向所述反应腔体内导入残留电荷去除气体，用于去除附着在所述基板表面的残留电荷；S40：通过真空系统将所述反应腔体内剩余的刻蚀气体以及所述刻蚀副产物排出。
【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述方法至少包括：S10：提供一块待刻蚀基板，将所述基板放置于反应腔体内；S20：向所述反应腔体内导入主刻蚀气体、用于调节刻蚀比的辅助刻蚀气体以及用于稀释并吸附刻蚀副产物和其他未参加反应物质的稀释气体；S30：待刻蚀结束后，向所述反应腔体内导入残留电荷去除气体，用于去除附着在所述基板表面的残留电荷；S40：通过真空系统将所述反应腔体内剩余的刻蚀气体以及所述刻蚀副产物排出。2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀气体为NF3。3.如权利要求2所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述辅助刻蚀气体为CHF3。4.如权利要求3所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述稀释气体为He、Ar或N2中的一种。5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述稀释气体的流量大于所述主刻蚀气体的流量。6.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张永柯，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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