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本发明提供一种等离子体刻蚀方法，所述方法至少包括：提供一块待刻蚀基板，将所述基板放置于反应腔体内；向所述反应腔体内导入主刻蚀气体、辅助刻蚀气体以及稀释气体；待刻蚀结束后，向所述反应腔体内导入残留电荷去除气体，用于去除附着在所述基板表面的残留...
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