一种硅基底的清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种硅基底清洗方法，包括如下步骤：提供硅基底，进行超声；对所述超声后的硅基底用HPM试剂处理，再用水漂洗、超声得第一硅基底；对所述第一硅基底用无水乙醇进行擦拭，再超声得第二硅基底；对所述第二硅基底用SPM试剂处理，再用水漂洗、超声、烘干得到可重复使用的硅基底。清洗后硅片表面颜色均匀一致，无斑点、灰印问题；二次碳纳米管生长试验表明CNTs产量仅较新硅片低4.5％，阵列高度较新硅片低2.9％，基本达到目标要求。

A Cleaning Method for Silicon Substrate

【技术实现步骤摘要】
一种硅基底的清洗方法
本专利技术涉及硅片清洗工艺，尤其涉及一种用于生长碳纳米管的硅基底的清洗方法。
技术介绍
现有技术中，一般采用传统的工业标准湿法清洗工艺(RCA清洗方法)对硅基底进行清洗。该方法由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出，主要去除硅片表面的金属、有机物等，也可以及去除小颗粒等污染物。RCA按照碱-强酸-弱酸的顺序进行清洗，一般是第一步加入碱性溶液为SC-1，所述SC-1溶液包括H2O2和NH4OH，去除硅片表面的有机沾污(有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除)；第二步加强酸溶液DHF溶解氧化膜；第三步加弱酸溶液为SC-2，所述SC-2溶液包括HCl和H2O2，去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。利用RCA清洗法，一方面氧化层作为促进金属催化剂与硅基底紧密结合的媒介，会被腐蚀破坏硅基底表面的氧化层，容易引入外延缺陷，不利于金属催化剂与硅基底结合，进而影响碳纳米管的生长；另一方面该方法清洗效果不好，很难将碳纳米管根部与硅基底表面镶嵌的金属催化剂的残留物彻底去除，导致基板重复利用率降低。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种硅基底的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：提供生长碳纳米管后的硅基底，进行第一次超声；对经第一次超声后的所述硅基底用HPM试剂处理，再用水漂洗、第二次超声，由此得到第一硅基底；对所述第一硅基底用有机溶剂进行擦拭，再进行第三次超声，由此得到第二硅基底；对所述第二硅基底用SPM试剂处理，再经水漂洗、第四次超声、烘干得到可重复使用的硅基底。

【技术特征摘要】
1.一种硅基底的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：提供生长碳纳米管后的硅基底，进行第一次超声；对经第一次超声后的所述硅基底用HPM试剂处理，再用水漂洗、第二次超声，由此得到第一硅基底；对所述第一硅基底用有机溶剂进行擦拭，再进行第三次超声，由此得到第二硅基底；对所述第二硅基底用SPM试剂处理，再经水漂洗、第四次超声、烘干得到可重复使用的硅基底。2.根据权利要求1所述的硅基底的清洗方法，其特征在于，所述对超声后的硅基底用HPM试剂处理步骤中，处理温度为65-75℃，处理时间为10-20分钟。3.根据权利要求1所述的硅基底的清洗方法，其特征在于，所述对第二硅基底用SPM试剂处理步骤中，处理温度为105-115℃，处理时间为10-20分钟。4.根据权利要求1所述的硅基底的清洗方法，其特征在于，所述超声步骤中，设置超声频率为40-50Hz...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓飞，
申请(专利权)人：深圳烯湾科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44