【技术实现步骤摘要】
一种减小失调电压的比较器、存储芯片及存储器
本技术涉及一种比较器，特别是一种减小失调电压的比较器、存储芯片及存储器。
技术介绍
比较器在闪存设计中广泛采用，但是随着半导体制程的提高，传统形式的比较器的失调电压变得更加严重，按照通常的做法，在不改变比较器结构的前提下，采用动态校准等方法来减小失调电压，但这需要额外的硬件开销，使得闪存的成本增加，不利于企业发展。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供了一种减小失调电压的比较器、存储芯片及存储器，利用浮栅管的特性和调试优势，使比较器的失调电压大大减小。本技术解决其问题所采用的技术方案是：一种减小失调电压的比较器，包括次级放大电路和作为输入对管的第一浮栅管和第二浮栅管，所述第一浮栅管的漏极和第二浮栅管的漏极分别连接到所述次级放大电路。进一步，还包括源极电压控制MOS管，所述第一浮栅管和第二浮栅管的源极相连接并接到所述源极电压控制MOS管的漏极，所述源极电压控制MOS管的源极连接数字地。进一步，所述次级放大电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管共源极，所述第一MOS管的漏极...
【技术保护点】
1.一种减小失调电压的比较器，其特征在于：包括次级放大电路和作为输入对管的第一浮栅管和第二浮栅管，所述第一浮栅管的漏极和第二浮栅管的漏极分别连接到所述次级放大电路。
【技术特征摘要】
1.一种减小失调电压的比较器，其特征在于：包括次级放大电路和作为输入对管的第一浮栅管和第二浮栅管，所述第一浮栅管的漏极和第二浮栅管的漏极分别连接到所述次级放大电路。2.根据权利要求1所述的一种减小失调电压的比较器，其特征在于：还包括源极电压控制MOS管，所述第一浮栅管和第二浮栅管的源极相连接并接到所述源极电压控制MOS管的漏极，所述源极电压控制MOS管的源极连接数字地。3.根据权利要求1所述的一种减小失调电压的比较器，其特征在于：所述次级放大电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管共源极，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别连接所述第三MOS管的漏极和第四MOS管的漏极，所述第三MOS管的源极和第四MOS管的源极分别连接第一浮栅管的漏极和第二浮栅管的漏极，所述第一MOS管的栅极和第三MOS管的栅极均连接到所述第二MOS管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：马亮，张登军，查小芳，赵士钰，刘大海，杨小龙，安友伟，李迪，张亦锋，逯钊琦，
申请(专利权)人：珠海博雅科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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