One need only two and the current source for the bandgap voltage comparator can be used to detect low voltage state logic circuit in the integrated circuit, the integrated circuit can use the battery, fuel battery, solar battery power supply. In the band gap low voltage detection system, independent high and low voltage abrupt points can be programmed. Prior to determining the voltage level normal state signal, the power on reset delay may be used. A bandgap voltage comparator low voltage detection system may be powered down to power saving and can be re powered so as to rapidly determine whether a desired voltage level is present.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及具有低电压检测和通电复位(reset)的半导体集成电路，更具体地说，涉及一种利用具有低电压阈值的带隙电压比较器的集成电路，其在很宽的温度范围内具有长期的电压稳定性。各种电气装置，例如蜂窝式电话、膝上型计算机、无键和无线输入装置以及其它基于集成电路的产品，可以例如利用电池、燃料电池、太阳能电池、发电机等供电，它们需要稳定和精确的电压基准以便有效和可预测工作。重要的是，在这些电池供电的装置中在所有可能的工作条件下采用精确和可靠的方式将电子电路起动和关断。在起动(通电)过程中，在开始其工作之前必须达到一最小电压值，以及在工作过程中，当电压下降低于一临界值时装置必须停止或禁止进一步工作。执行这些功能的典型应用是通电复位(POR)和功率下降(powerlow)复位(突卸载复位(BOR))。POR和BOR电路通常结合电压比较器电路利用一精确的电压基准，以确定是否达到一装置可以正常工作时的临界电压值。在集成电路中使用的典型的电压基准已置入式(buried)齐纳和带隙基准。置入式齐纳基准是一种十分稳定和精确的电压基准，然而，其通常工作在约5伏或者更高并为实...
【技术保护点】
一种带隙电压比较器包含：第一和第二晶体管，用于形成第一电流镜，其中第二晶体管按二极管连接；第三和第四晶体管，用于形成第二电流镜，其中第三晶体管按连接二极管；第一、第二、第三和第四晶体管都包含发射极、基极和集电极；具有第一和第 二端的第一电阻，其中第一端连接到第二晶体管的基极和集电极以及第一晶体管的基极；第一电阻的第二端连接到第一电压节点；具有第一和第二端的第二电阻，其中第一端连接到第三晶体管的基极和集电极以及第四晶体管的基极；第二电阻的第二端连接到第 一电阻的第一端；以及第一、第二、第三和第四晶体管的发射极连接到第二电压节点。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：莱顿伊格，威廉斯米特，
申请(专利权)人：密克罗奇普技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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