电压比较器电路制造技术

一种电压比较器电路，包括一电压输入端、一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管、一第二晶体管及一电压输出端，所述电压输入端依次通过所述第一电阻器及第二电阻器后接地，所述第一电阻器与第二电阻器之间的节点与所述第一晶体管的基极相连，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接一直流电源及所述第二晶体管的基极，所述第二晶体管的发射极接所述直流电源，所述第二晶体管的集电极与所述电压输出端相连。所述电压比较器电路可实现比较器的基本功能，且设计简单，成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电压比较器电路。
技术介绍
目前，在各种电子产品的设计中经常会使用到电压比较器，如LM339电压比较器芯片。 电压比较器的基本原理为将一输入电压，即待比较电压接到电压比较器的同相输入端，在 电压比较器的反相输入端接一个参考电压(门限电平)。当输入电压大于参考电压时，电压 比较器输出为高电平，当输入电压小于参考电压时，电压比较器输出为低电平。现在市面上所销售的电压比较器虽然功能完备，但价格过高，对于要求不是很苛刻的电 子产品的电路来说，并不需要如此功能完备的电压比较器，况且过高的价格还会导致电子产 品的成本提高。此外，由于电压比较器都是IC (集成电路)制程元件，故制造商还必须承担 IC缺货的风险，如果只是由于电压比较器缺货而导致生产线停产，那么这种间接损失往往会很咼。
技术实现思路
鉴于以上内容，有必要提供一种结构简单、易于实现及成本较低的电压比较器电路。 一种电压比较器电路，包括一电压输入端、 一第一电阻器、 一第二电阻器、 一第一晶体 管、 一第二晶体管及一电压输出端，所述电压输入端依次通过所述第一电阻器及第二电阻器 后接地，所述第一电阻器与第二电阻器之间的节点与所述第一晶体管的基极相连，所述第一 晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接一直流电源及所述第二晶体管的基极， 所述第二晶体管的发射极接所述直流电源，所述第二晶体管的集电极与所述电压输出端相连相较现有技术，所述电压比较器电路通过对接入所述电压输入端的电压进行比较，可对 应在所述电压输出端输出高电平或低电平，进而可实现比较器的基本功能。所述电压比较器 仅应用了若干电阻器及晶体管常见的电子元件，电路设计简单，成本较低，且电阻器、晶体 管等电子元件又极易获得，生产过程中不会因缺货而停产。附图说明下面参考附图结合具体实施方式对本专利技术作进一步的说明。 图l为本专利技术电压比较器电路的较佳实施方式的电路图。具体实施例方式请参考图l，本专利技术电压比较器电路的较佳实施方式包括一电压输入端Uin、 一第一电阻 器R1、 一第二电阻器R2、 一第三电阻器R3、 一第四电阻器R4、 一第五电阻器R5、 一第一晶体 管Q1、 一第二晶体管Q2、 一直流电源VCC及一电压输出端Uo。本实施方式中，所述第一晶体 管Q1为一NPN型晶体管，所述第二晶体管Q2为一PNP型晶体管。所述电压输入端Uin依次通过所述第一电阻器Rl及第二电阻器R2后接地，所述第一电阻 器R1与第二电阻器R2之间的节点A通过所述第三电阻器R3与所述第一晶体管Q1的基极相连。 所述第一晶体管Q1的发射极接地，集电极通过所述第四电阻器R4连接至所述直流电源VCC， 集电极还通过所述第五电阻器R5与所述第二晶体管Q2的基极相连。所述第二晶体管Q2的发射 极接所述直流电源VCC，集电极与所述电压输出端Uo相连。所述电压输入端Uin用于连接一输 入电压V (相当于待比较电压)，所述电压输出端Uo用于连接一负载10的电压输入端，以提 供电压给所述负载IO。为说明本专利技术电压比较器电路的工作原理，现以一发光二极管D及一限流电阻器R6作为 所述负载10加以举例说明。将所述发光二极管D的阳极(即电压输入端)通过所述限流电阻 器R6与所述电压输出端Uo相连，阴极接地，将所述输入电压V接到电压比较器电路的电压输 入端Uin。当所述输入电压V经所述第一 电阻器R1及第二电阻器R2分压后，若所述第一 电阻器R1与 第二电阻器R2之间的节点A处的电压大于所述第一晶体管Q1基极与发射极之间的电压(相当 于参考电压)时，则所述第一晶体管Q1导通，并使所述第二晶体管Q2的基极为低电平，故所 述第二晶体管Q2也导通，此时所述电压输出端Uo输出为高电平，所述发光二极管D得电并发 光。反之，当所述输入电压V经所述第一电阻器R1及第二电阻器R2分压后，若所述第一电阻 器R1与第二电阻器R2之间的节点A处的电压小于所述第一晶体管Q1基极与发射极之间的电压 时，则所述第一晶体管Q1截止，并使所述第二晶体管Q2的基极为高电平，故所述第二晶体管 Q2也截止，此时所述电压输出端Uo输出为低电平，所述发光二极管D不发光。通过适当的调整所述第一电阻器R1、第二电阻器R2、第三电阻器R3、第四电阻器R4及第 五电阻器R5的电阻值，可使所述电压比较器电路应用在不同的电子产品上。如果应用到的电 子产品对电压比较器电路的要求更低时，也可去掉所述第三电阻器R3、第四电阻器R4及第五 电阻器R5，以便进一步的降低成本。本专利技术电压比较器电路仅应用若干电阻器、晶体管即可很容易实现电压比较器的基本功 能，电路设计简单，且成本较低。而且电阻器、晶体管等电子元件又极易获得，生产过程中不会出现缺货现象。权利要求权利要求1一种电压比较器电路，包括一电压输入端、一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管、一第二晶体管及一电压输出端，所述电压输入端依次通过所述第一电阻器及第二电阻器后接地，所述第一电阻器与第二电阻器之间的节点与所述第一晶体管的基极相连，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接一直流电源及所述第二晶体管的基极，所述第二晶体管的发射极接所述直流电源，所述第二晶体管的集电极与所述电压输出端相连。2.如权利要求l所述的电压比较器电路，其特征在于所述电压比较 器电路还包括一第三电阻器，所述第三电阻器串联于所述第一电阻器与第二电阻器之间的节 点与所述第一晶体管的基极之间。3.如权利要求l所述的电压比较器电路，其特征在于所述电压比较 器电路还包括一第四电阻器，所述第四电阻器串联于所述第一晶体管的集电极与所述直流电 源之间。4.如权利要求l所述的电压比较器电路，其特征在于所述电压比较 器电路还包括一第五电阻器，所述第五电阻器串联于所述第 一 晶体管的集电极与所述第二晶 体管的基极之间。5.如权利要求l所述的电压比较器电路，其特征在于所述第一晶体 管为一NPN型晶体管，所述第二晶体管为一PNP型晶体管。全文摘要一种电压比较器电路，包括一电压输入端、一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管、一第二晶体管及一电压输出端，所述电压输入端依次通过所述第一电阻器及第二电阻器后接地，所述第一电阻器与第二电阻器之间的节点与所述第一晶体管的基极相连，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接一直流电源及所述第二晶体管的基极，所述第二晶体管的发射极接所述直流电源，所述第二晶体管的集电极与所述电压输出端相连。所述电压比较器电路可实现比较器的基本功能，且设计简单，成本较低。文档编号H03K5/22GK101378253SQ20071020155公开日2009年3月4日 申请日期2007年8月31日 优先权日2007年8月31日专利技术者侯全才, 廖羿岚 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压比较器电路，包括一电压输入端、一第一电阻器、一第二电阻器、一第一晶体管、一第二晶体管及一电压输出端，所述电压输入端依次通过所述第一电阻器及第二电阻器后接地，所述第一电阻器与第二电阻器之间的节点与所述第一晶体管的基极相连，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接一直流电源及所述第二晶体管的基极，所述第二晶体管的发射极接所述直流电源，所述第二晶体管的集电极与所述电压输出端相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯全才，廖羿岚，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[]