一种显示面板及其制备方法、检测方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:22003585 阅读:41 留言:0更新日期:2019-08-31 06:20
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、检测方法、显示装置,用以提高对晶体管电学特性检测的准确度。本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面板具有显示区和包围所述显示区的非显示区;所述显示区包括显示像素电路;所述非显示区包括至少一个测试像素电路,所述测试像素电路与所述显示像素电路的电路结构相同,所述测试像素电路包括多个晶体管,至少一个所述晶体管的电极分别与不同的测试垫电连接。

A display panel and its preparation method, detection method and display device

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制备方法、检测方法、显示装置
本申请涉及显示
,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、检测方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展,有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示面板因其自发光、广视角、高对比度、低功耗、高反应速度等优点,已经越来越多地被应用于各种电子设备中。目前,很多不良问题都出现在显示面板的显示区(AA区),薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)像素驱动电路是OLED显示面板的重要组成部分,因显示面板是由多层薄膜堆叠而成,像素驱动电路被膜层覆盖,AA区TFT的电学特性无法直接测量。现有技术想要对OLED显示面板像素驱动电路中TFT电学特性的监控,主要通过在测试区设置测试元件组(TestElementGroup,TEG),TEG包括TFT,对TEG中的TFT的电学特性进行测量来表征AA去TFT的电学特性,然而TEG中TFT是彼此独立的,而AA区中的TFT是彼此互联的,又有周围物理因素例如寄生电容耦合等的影响,再加上工艺制成的不稳定性,TEG区TFT很难真实地表征AA区TFT的特性。综上,现有技术TEG中的TFT无法真实表征AA区TFT的特性。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、检测方法、显示装置,用以提高对晶体管电学特性检测的准确度。本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面板具有显示区和包围所述显示区的非显示区;所述显示区包括显示像素电路;所述非显示区包括至少一个测试像素电路,所述测试像素电路与所述显示像素电路的电路结构相同,所述测试像素电路包括多个晶体管,至少一个所述晶体管的电极分别与不同的测试垫电连接。本申请实施例提供的显示面板,非显示区包括与显示像素电路的电路结构相同的测试像素电路,即测试像素电路包括的多个晶体管电连接,从而可以模拟显示区显示像素电路中的晶体管的电学特性,测试像素电路中晶体管的电学特性与显示像素电路晶体管的电学特性非常接近,使得测试像素电路中的晶体管的电学特性可以表征显示像素电路中晶体管的电学特性,可以提高对晶体管电学特性检测的准确度,并且由于晶体管的电极与测试垫电连接,从而无需增加额外工艺便可以利用电学测试设备对晶体管的电极进行电学测试,可以实现批量检测。可选地,所述非显示区还包括:环境像素电路,所述环境像素电路与所述显示像素电路的电路结构相同,多个所述环境像素电路包围一个所述测试像素电路。本申请实施例提供的显示面板,在非显示区还包括包围测试像素电路的环境像素电路,从而可以真实的模拟显示像素电路的环境条件,使得测试像素电路中的晶体管可以真实的表征显示像素电路中的晶体管,对测试像素电路中的晶体管的电极进行电学测试,电学测试结果可以真实的反应出显示像素电路中的晶体管的电学特性,提高对晶体管电学特性检测的准确度。可选地,每个所述测试像素电路被八个所述环境像素电路包围,一个所述测试像素电路和包围的八个所述环境像素电路呈3乘3的阵列排布,且所述测试像素电路位于阵列中心位置。可选地,所述测试像素电路中的每一所述晶体管的电极分别与不同的测试垫电连接。可选地,所述测试像素电路的数量与包含的晶体管数量相同,不同的测试像素电路中的一个不同所述晶体管的电极分别与不同的测试垫电连接。可选地,所述测试像素电路包括:在衬底基板上依次层叠设置的有源层,第一绝缘层,第一栅极电极层,第二绝缘层,第二栅极电极层,第三绝缘层,源漏电极层,第四绝缘层,测试电极层,以及第五绝缘层;所述测试像素电路中晶体管的栅极位于所述第一栅极电极层,源漏极位于有源层;所述源漏电极层具有栅极连接垫和源漏极连接垫;所述栅极连接垫通过贯穿第三绝缘层和第二绝缘层的过孔与所述栅极电连接,且所述第二栅极电极层具有避让栅极连接垫的通孔;所述源漏极连接垫通过贯穿第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层的过孔与所述源漏极电连接,且所述第二栅极电极层具有避让源漏极连接垫的通孔;所述测试电极层包括栅极测试垫和源漏极测试垫;所述栅极测试垫通过贯穿所述第四绝缘层的过孔与所述栅极连接垫电连接;所述源漏极测试垫通过贯穿所述第四绝缘层的过孔与所述源漏极连接垫电连接;所述第五绝缘层具有暴露所述栅极测试垫和所述源漏极测试垫的过孔。本申请实施例提供的显示面板,待检测晶体管的各电极通过电极连接垫引出,即使得待检测晶体管的各电极通过电极连接垫与测试垫电连接,从而使得电学测试设备与测试垫连接便可以对待检测晶体管进行电学检测,并且由于在第二栅极电极层形成通孔,这样,第三绝缘层填充通孔,通孔覆盖的区域第三绝缘层与第二绝缘层接触,这样便可以直接对通孔覆盖区域的绝缘层进行打孔,从而在通孔覆盖的区域形成露出待检测晶体管电极的工艺简单易于实现,后续使得电极连接垫与晶体管各电极电连接的同时还可以避免电极连接垫与第二栅极电极层短路。可选地,所述测试像素电路包括:第一开关晶体管,第二开关晶体管,第三开关晶体管,第四开关晶体管,第五开关晶体管,第六开关晶体管,驱动晶体管以及电容;其中,所述驱动晶体管的栅极与所述电容的第一电极、所述第一开关晶体管的漏极电连接,所述第一开关晶体管的漏极还与所述第二开关晶体管的源极电连接,所述驱动晶体管的源极与所述第二开关晶体管的漏极以及所述第五开关晶体管的源极电连接,所述驱动晶体管的漏极与所述第三开关晶体管的漏极以及所述四开关晶体管的漏极电连接,所述电容的第二电极与所述第四开关晶体管的源极电连接,所述第五开关晶体管的漏极与所述第六开关晶体管的漏极电连接。可选地,所述非显示区划分为测试区以及与所述测试区相邻的边框区,所述测试像素电路和环境像素电路位于所述测试区和/或所述边框区。本申请实施例提供的一种上述显示面板的检测方法,所述方法包括:控制电学测试设备与所述测试垫电连接,并对与所述测试垫电连接的所述晶体管的电极进行电学测试。本申请实施例提供的显示面板的检测方法,由于测试像素电路中待检测晶体管的电极通过测试垫引出,因此可以直接利用电学测试设备与测试垫电连接,便可以对待检测晶体管的电极进行电学测试,实现对待检测晶体管电学特性的自动检测,并且,本申请实施例提供的检测方法由于在对待检测晶体管进行检测之前无需对增加任何额外处理,还可以很容易实现批量数据检测。可选地,控制电学测试设备与所述测试垫电连接,具体包括:控制电学测试设备中的牛毛针与所述测试垫电连接。本申请实施例提供的显示面板的检测方法,由于采用电学测试设备中的牛毛针与测试垫电连接,牛毛针直径小且材质软,从而可以避免使用硬针检测对测试垫造成损伤。本申请实施例提供的一种上述显示面板的制备方法,所述方法包括:在衬底基板上形成所述显示像素电路各膜层,以及在衬底基板上形成所述测试像素电路各膜层;形成与所述测试像素电路中至少一个所述晶体管的电极分别电连接的所述测试垫。可选地,该方法还包括:在衬底基板上形成测试像素电路各膜层的同时,形成所述环境像素电路各膜层。可选地,形成所述测试像素电路各膜层,具体包括:在衬底基板上依次形成的有源层的图案,第一绝缘层,第一栅极电极层的图案,第二绝缘层,第二栅极电极层的图案;所述第二栅极电极层包括通孔;在所述第二栅极电极层之上形成第三绝缘层;在贯穿所述第二栅极电极层的通孔覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有显示区和包围所述显示区的非显示区;所述显示区包括显示像素电路;所述非显示区包括至少一个测试像素电路,所述测试像素电路与所述显示像素电路的电路结构相同,所述测试像素电路包括多个晶体管,至少一个所述晶体管的电极分别与不同的测试垫电连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有显示区和包围所述显示区的非显示区;所述显示区包括显示像素电路;所述非显示区包括至少一个测试像素电路,所述测试像素电路与所述显示像素电路的电路结构相同,所述测试像素电路包括多个晶体管,至少一个所述晶体管的电极分别与不同的测试垫电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述非显示区还包括:环境像素电路,所述环境像素电路与所述显示像素电路的电路结构相同,多个所述环境像素电路包围一个所述测试像素电路。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每个所述测试像素电路被八个所述环境像素电路包围,一个所述测试像素电路和包围的八个所述环境像素电路呈3乘3的阵列排布,且所述测试像素电路位于阵列中心位置。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述测试像素电路中的每一所述晶体管的电极分别与不同的测试垫电连接。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述测试像素电路的数量与包含的晶体管数量相同,不同的测试像素电路中的一个不同所述晶体管的电极分别与不同的测试垫电连接。6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述测试像素电路包括:在衬底基板上依次层叠设置的有源层,第一绝缘层,第一栅极电极层,第二绝缘层,第二栅极电极层,第三绝缘层,源漏电极层,第四绝缘层,测试电极层,以及第五绝缘层;所述测试像素电路中晶体管的栅极位于所述第一栅极电极层,源漏极位于有源层;所述源漏电极层具有栅极连接垫和源漏极连接垫;所述栅极连接垫通过贯穿第三绝缘层和第二绝缘层的过孔与所述栅极电连接,且所述第二栅极电极层具有避让栅极连接垫的通孔;所述源漏极连接垫通过贯穿第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层的过孔与所述源漏极电连接,且所述第二栅极电极层具有避让源漏极连接垫的通孔;所述测试电极层包括栅极测试垫和源漏极测试垫;所述栅极测试垫通过贯穿所述第四绝缘层的过孔与所述栅极连接垫电连接;所述源漏极测试垫通过贯穿所述第四绝缘层的过孔与所述源漏极连接垫电连接;所述第五绝缘层具有暴露所述栅极测试垫和所述源漏极测试垫的过孔。7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述测试像素电路包括:第一开关晶体管,第二开关晶体管,第三开关晶体管,第四开关晶体管,第五开关晶体管,第六开关晶体管,驱动晶体管以及电容;其中,所述驱动晶体管的栅极与所述电容的第一电极、所述第一开关晶体管的漏极电连接,所述第一开关晶体管的漏极还与所述第二开关晶体管的源极电连接,所述驱动晶体管的源极与所述第二开关晶体管的漏极以及所述第五开关晶体管的源极电连接,所述驱动晶体管的漏极与所述第三开关晶体管的漏极以及...

【专利技术属性】
技术研发人员:包征夏亚琴辛燕霞陈功胡红伟吴奕昊李雪萍
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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