【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种。
技术介绍
在半导体集成电路或平板显示的制备工艺中，为提高产品良率，污染控制是一个至关重要的环节。掩模版、硅片或玻璃基板等在进行曝光前，都需要进行污染(包括外来颗粒、指纹、划痕、针孔等)检测。基于空间约束、成本及产率的综合考虑，集成在光刻设备中的颗粒检测装置通常采用暗场散射测量技术，例如美国专利US8634054B2、US4999510所披露的技术方案，其检测原理如图1所示。光源1提供照明光束11倾斜入射到待测表面9，如果照射区域没有颗粒，则镜面反射光13将进入吸光装置7，探测系统4检测不到光信号；当照射区域存在颗粒8时，产生的部分散射光12将进入探测系统4，根据探测到的光信号强弱来判断颗粒的大小。暗场散射测量系统可以探测远小于成像分辨率的颗粒，并且具有较高的灵敏度和对比度，但该技术面临的问题是光能利用率很低，光源1提供的光束在被反射或散射后，大量光能被吸光装置7吸收掉。另外，当被检测到的颗粒过小时，会导致散射光过弱(10微米的颗粒散射光约入射光的0.01% )，影响探测系统4的检测和判断。对此，在暗场散射测量系统...
【技术保护点】
一种表面检测系统，其特征在于，包括：载物台，用于承载一待检测物，所述载物台能够带动所述待检测物移动；光源，用于投射光束至所述待检测物表面；探测单元，用于探测来自所述待检测物表面的散射光；以及回收单元，用于收集所述待检测物表面的镜面反射光，并将所述镜面反射光再次投射至所述待检测物表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏黎，徐文，王帆，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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