一种薄膜晶体管基板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管基板的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在所述基板上沉积遮光层，刻蚀后形成遮光层图案；沉积缓冲层和有源层，刻蚀后形成有源层图案；在所述有源层图案上依次沉积栅极绝缘层和栅极层，对所述栅极层湿法刻蚀后形成栅极层图案；剥离掉光阻后，对所述栅极层图案表面干法刻蚀处理并在其表面生成保护层；然后以栅极层为掩模版干法刻蚀所述栅极绝缘层形成栅极绝缘层图案，并且对所述有源层图案非沟道区域进行导体化。此制备方法可以保证栅极层与栅极绝缘层图案在衬底基板上的正投影完全重合，使得有源层图案区域均可以被栅极层调控，提升了薄膜晶体管的开启电流，增强了薄膜晶体管的电学特性。

A Method of Fabricating Thin Film Transistor Substrate

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管基板的制备方法
本专利技术涉及显示面板
，特别涉及一种薄膜晶体管基板的制备方法。
技术介绍
顶栅结构的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)具有较低的寄生电容，较优良的电学特性，因此被广泛应用于显示装置中。现有技术中在制作顶栅结构的TFT时，由于要采用到栅极与栅极绝缘图案的自对准工艺，而栅极通常采用湿法刻蚀工艺制作，栅极绝缘图案通过干法刻蚀工艺制作，在利用湿法刻蚀工艺刻蚀栅极时，由于刻蚀液会在光刻胶下面多刻蚀一小段距离，这样导致栅极相比栅极绝缘图案图案短出一小段距离，即栅极与栅极绝缘图案在衬底基板上的正投影不能完全重合。由于两侧均有一小段距离没有栅极在上方，导致缺少栅极覆盖的栅极绝缘图案下方的有源层图案没有被栅极调控，进而导致顶栅结构的TFT的开启电流不足，从而影响顶栅TFT的电学特性，使得显示装置的显示效果也受到影响。因此，确有必要来开发一种新型的薄膜晶体管基板的制备方法，以克服现有技术的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种薄膜晶体管基板的制备方法，其能够解决现有技术中栅极绝缘层图案边缘处的上方一小段距离无栅极导致的薄膜晶体管的开启电流不足的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种薄膜晶体管基板的制备方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一基板，在所述基板上沉积遮光层，刻蚀后形成遮光层图案；步骤S2：沉积缓冲层和有源层，刻蚀后形成有源层图案；步骤S3：在所述有源层图案上依次沉积栅极绝缘层和栅极层，对所述栅极层湿法刻蚀后形成栅极层图案；步骤S4：剥离掉光阻后，对所述栅极层图案表面干法刻蚀处理并在其表面生成保护层；然后干法刻蚀所述栅极绝缘层形成栅极绝缘层图案，并且对所述有源层图案非沟道区域进行导体化；步骤S5：沉积层间介质层，在所述层间介质层上设置第一过孔；步骤S6：沉积源漏极层，刻蚀后形成源漏极层图案；步骤S7：沉积有机层，在所述有机层上设置第二过孔；步骤S8：沉积像素电极层，通过刻蚀形成像素电极。其中，在所述步骤S4中，所述干法刻蚀所述栅极绝缘层形成栅极绝缘层图案，并且对所述有源层图案非沟道区域进行导体化包括：以所述栅极层图案为掩模版干法法刻蚀所述栅极绝缘层形成栅极绝缘层图案，并且对所述有源层图案非沟道区域进行导体化。此制备方法可以保证栅极层与栅极绝缘层图案在衬底基板上的正投影完全重合，即整个有源层图案均在栅极绝缘层下方，使得有源层图案区域均可以被栅极金属层调控，弥补了现有技术中栅极绝缘层图案边缘处的上方一小段距离无栅极的缺陷，提升了薄膜晶体管的开启电流，增强了薄膜晶体管的电学特性，提高了显示装置的显示效果。进一步的，在其他实施方式中，其中所述有源层为氧化物半导体。进一步的，在其他实施方式中，其中所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物。进一步的，在其他实施方式中，其中所述有源层的厚度为进一步的，在其他实施方式中，其中所述栅极绝缘层采用的材料包括氧化硅或氮化硅。进一步的，在其他实施方式中，其中在所述步骤S4中，对所述栅极层图案表面干法刻蚀处理采用氟系刻蚀气体。进一步的，在其他实施方式中，其中所述氟系刻蚀气体为三氟化氮和氧气。进一步的，在其他实施方式中，其中在所述步骤S4中，对有源层非沟道区域进行导体化采用氩或氦离子轰击的方法形成。进一步的，在其他实施方式中，其中在所述步骤S4中，对所述有源层图案非沟道区域进行导体化采用铝或钙离子注入的方法形成。进一步的，在其他实施方式中，其中所述保护层的厚度范围为相对于现有技术，本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供一种薄膜晶体管基板的制备方法，依次沉积有源层、栅极绝缘层和栅极层后，湿法蚀刻栅极层形成栅极层图案，然后对栅极层图案进行表面生成一层保护层，之后以栅极层为掩模版对栅极绝缘层蚀刻及裸漏的有源层进行导体化处理，此制备方法可以保证栅极层与栅极绝缘层图案在衬底基板上的正投影完全重合，即整个有源层图案均在栅极绝缘层下方，使得有源层图案区域均可以被栅极层调控，弥补了现有技术中栅极绝缘层图案边缘处的上方一小段距离无栅极的缺陷，提升了薄膜晶体管的开启电流，增强了薄膜晶体管的电学特性，提高了显示装置的显示效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例1提供的薄膜晶体管基板的制备方法的流程图；图2为本专利技术实施例1提供的制备方法中步骤S1时薄膜晶体管基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例1提供的制备方法中步骤S2时薄膜晶体管基板的结构示意图；图4为本专利技术实施例1提供的制备方法中步骤S3时薄膜晶体管基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例1提供的制备方法中步骤S4时薄膜晶体管基板的结构示意图；图6为本专利技术实施例1提供的制备方法中步骤S5时薄膜晶体管基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例1提供的制备方法中步骤S6时薄膜晶体管基板的结构示意图；图8为本专利技术实施例1提供的制备方法中步骤S7时薄膜晶体管基板的结构示意图；图9为本专利技术实施例1提供的制备方法中步骤S8时薄膜晶体管基板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本专利技术的示例性实施例的目的。但是本专利技术可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。实施例1本实施例提供一种薄膜晶体管基板的制备方法，请参阅图1，图1所示为本实施例提供的薄膜晶体管基板的制备方法的流程图，包括以下步骤：步骤S1：提供一基板100，在基板100上沉积遮光层11，刻蚀后形成遮光层图案；请参阅图2，图2所示为本实施例提供的制备方法中步骤S1时薄膜晶体管基板的结构示意图。步骤S2：沉积缓冲层12和有源层13，刻蚀后形成有源层图案；请参阅图3，图3所示为本实施例提供的制备方法中步骤S2时薄膜晶体管基板的结构示意图。在本实施例中，有源层13具体可以采用氧化铟锡(ITO,IndiumTinOxides)或氧化铟锌(IZO,IdiumZincOxides)或氧化铟镓锌(IGZO,IndiumGalliumZincOxides)等制作，在此不做限定。在本实施例中，有源层13的厚度为步骤S3：在有源层13图案上依次沉积栅极绝缘层14和栅极层15，对栅极层15湿法刻蚀后形成栅极层图案；请参阅图4，图4所示为本实施例提供的制备方法中步骤S3时薄膜晶体管基板的结构示意图。在本实施例中，栅极绝缘层14采用的材料可以氧化硅或氮化硅，在此不做限定。步骤S4：剥离掉光阻后，对栅极层15图案表面干法刻蚀处理并在其表面生成保护层151；然后以栅极层15图案为掩模版干法刻蚀栅极绝缘层14形成栅极绝缘层14图案，并且对有源层13图案非沟道区域131进行导体化；请参阅图5，图5所示为本实施例提供的制备方法中步骤S4时薄膜晶体管基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板的制备方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一基板，在所述基板上沉积遮光层，刻蚀后形成遮光层图案；步骤S2：沉积缓冲层和有源层，刻蚀后形成有源层图案；步骤S3：在所述有源层图案上依次沉积栅极绝缘层和栅极层，对所述栅极层湿法刻蚀后形成栅极层图案；步骤S4：剥离掉光阻后，对所述栅极层图案表面干法刻蚀处理并在其表面生成保护层；然后干法刻蚀所述栅极绝缘层形成栅极绝缘层图案，并且对所述有源层图案非沟道区域进行导体化；步骤S5：沉积层间介质层，在所述层间介质层上设置第一过孔；步骤S6：沉积源漏极层，刻蚀后形成源漏极层图案；步骤S7：沉积有机层，在所述有机层上设置第二过孔；步骤S8：沉积像素电极层，通过刻蚀形成像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板的制备方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一基板，在所述基板上沉积遮光层，刻蚀后形成遮光层图案；步骤S2：沉积缓冲层和有源层，刻蚀后形成有源层图案；步骤S3：在所述有源层图案上依次沉积栅极绝缘层和栅极层，对所述栅极层湿法刻蚀后形成栅极层图案；步骤S4：剥离掉光阻后，对所述栅极层图案表面干法刻蚀处理并在其表面生成保护层；然后干法刻蚀所述栅极绝缘层形成栅极绝缘层图案，并且对所述有源层图案非沟道区域进行导体化；步骤S5：沉积层间介质层，在所述层间介质层上设置第一过孔；步骤S6：沉积源漏极层，刻蚀后形成源漏极层图案；步骤S7：沉积有机层，在所述有机层上设置第二过孔；步骤S8：沉积像素电极层，通过刻蚀形成像素电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4中，对所述栅极层图案表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：李子然，章仟益，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44