一种平面微小极距多极充磁方法技术

本发明专利技术公开了一种平面微小极距多极充磁方法，包括以下步骤：将需要充磁的磁体放入充磁线圈进行单向饱和充磁，在磁体待充磁面形成单一磁极；在磁体待充磁面上放置齿形导磁模具，对与齿形导磁模具接触的P个区域进行反向充磁，其余没接触的P个区域磁极不变；平面形成2P个磁极，完成平面多极充磁。本发明专利技术的优点是：采用齿形导磁模具进行充磁，利用磁场传导的方式对部分区域进行反向充磁，获得相反磁极，形成多极充磁，并且不用在模具的齿上布置导线，从而可以极大的降低导磁模具齿形的宽度，可以适应磁极宽度小于2mm的磁面充磁。

A Planar Micro Pole Distance Multipole Magnetization Method

【技术实现步骤摘要】
一种平面微小极距多极充磁方法
本专利技术涉及一种平面微小极距多极充磁方法。
技术介绍
现有的多磁极充磁方式，都是采用导线镶嵌的方法对磁极分割，通过电流产生磁场，形成平面多极充磁，但是在微小极距的情况下，没有足够的空间来布置导线和绝缘，使得微小极距情况下的多磁极充磁非常困难。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种平面微小极距多极充磁方法，能够有效解决现有微小极距多极充磁困难的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种平面微小极距多极充磁方法，包括以下步骤：A、将需要充磁的磁体放入充磁线圈进行单向饱和充磁，在磁体待充磁面形成单一磁极；B、在磁体待充磁面上放置齿形导磁模具，对与齿形导磁模具接触的P个区域进行反向充磁，其余没接触的P个区域磁极不变；C、平面形成2P个磁极，完成平面多极充磁。优选的，所述步骤B中，P个区域的每个区域宽度为0.3-2mm，导磁模具对应的宽度为该区域宽度的50％-90％。优选的，所述步骤A中采用电容式充磁机配适当的空心线圈，进行单向充磁。与现有技术相比，本专利技术的优点是：采用齿形导磁模具进行充磁，利用磁场传导的方式对部分区域进行反向充磁，获得相反磁极，形成多极充磁，并且不用在模具的齿上布置导线，可以满足极距微小产品的多极充磁要求。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。一种平面微小极距多极充磁方法，包括以下步骤：A、将需要充磁的磁体放入充磁线圈进行单向饱和充磁，在磁体待充磁面形成单一磁极；B、在磁体待充磁面上放置齿形导磁模具，对与齿形导磁模具接触的P个区域进行反向充磁，其余没接触的P个区域磁极不变；C、平面形成2P个磁极，完成平面多极充磁。其中步骤A中采用电容式充磁机配空心线圈进行单向饱和充磁，或者其他方式进行充磁，而步骤B中P个区域的宽度为0.3-2mm，齿形导磁模具中每一个齿的端面宽度为磁极宽度的50％-90％，采用齿形导磁模具利用磁场传导的方式对部分区域进行反向充磁，获得相反磁极，形成多极充磁，并且不用在模具的齿上布置导线，可以满足0.3-2mm极距微小产品的多极充磁要求。具体实施例，产品外径117mm，内径109mm，厚度2mm，材料粘结钕铁硼，平面296极充磁，极宽1.16－1.24mmA、先将磁体用D120*80空心线圈，电容式充磁机3000uf2000V沿轴向单向充磁；B、将N极平面贴在148齿形导磁模具工装上，齿宽为磁极宽度的75％；用电磁铁20A，1.5T进行148个区域局部反向充磁；C、平面形成296极。以上所述仅为本专利技术的具体实施例，但本专利技术的技术特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本专利技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本专利技术的专利范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面微小极距多极充磁方法，其特征在于：包括以下步骤：A、将需要充磁的磁体放入充磁线圈进行单向饱和充磁，在磁体待充磁面形成单一磁极；B、在磁体待充磁面上放置齿形导磁模具，对与齿形导磁模具接触的P个区域进行反向充磁，其余没接触的P个区域磁极不变；C、平面形成2P个磁极，完成平面多极充磁。

【技术特征摘要】
1.一种平面微小极距多极充磁方法，其特征在于：包括以下步骤：A、将需要充磁的磁体放入充磁线圈进行单向饱和充磁，在磁体待充磁面形成单一磁极；B、在磁体待充磁面上放置齿形导磁模具，对与齿形导磁模具接触的P个区域进行反向充磁，其余没接触的P个区域磁极不变；C、平面形成2P个磁极，完成平面多极充磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏中华，何剑锋，吕婷茹，
申请(专利权)人：浙江英洛华磁业有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33