【技术实现步骤摘要】
应用于闪存存储器的升压电路
本专利技术涉及存储器电路设计，尤其涉及一种应用于闪存存储器的升压电路。
技术介绍
在如今的系统级单晶片(SOC，Systemonachip)中，非挥发性存储器扮演着一个重要角色，比如基本的系统存储需求、传感器感测、生医检测、触控应用等等。这些产品应用的共同特点是极低的工作频率以及对于产品待机模式(stand-bymode)的低功耗目标，这样的系统将有助于减小产品对于电池容量的需求，还能帮助缩小产品的模组尺寸。在非挥发性闪存存储器电路设计中，当存储器单元(bitcell)的操作条件高于电源电压(VDD)的电位时，电荷泵是一种常用的电路类型，再比如应用于存储器字线(word-line)上的的高压需求，就需要用升压(boost)电路来产生这个电位。请参阅图1，图1为现有技术的应用于闪存存储器电位的升压电路示意图，如图1所示，升压电路中包括耦合电容CAP，电容CAP能够对电路中某一固定电位充电，从而达到升压的效果，其原理为电容具有隔绝直流成分，通交流信号的特性。现有的升压电路电压只能被抬升至2倍VDD左右，然而存储器中存储器单元(bitcell...
【技术保护点】
1.一种应用于闪存存储器的升压电路，其特征在于，包括：逻辑控制模块，包括使能信号端、第一时钟信号端、第二时钟信号端和系统重置信号端，分别用于接收使能信号Enable、第一时钟信号Clk1、第二时钟信号Clk2和系统重置信号Reset，并包括用于输出第一控制信号In的第一控制信号端和用于输出第二控制信号Inb的第二控制信号端；以及升压电路模块，包括第三P型功率开关管MP3，第三P型功率开关管MP3的源端S连接电源电压VDD，第三P型功率开关管MP3的漏端D连接第一电容CAP1的第一端,并连接第三P型功率开关管MP3的门极G，第一电容CAP1的第二端连接逻辑控制模块的第二控制信...
【技术特征摘要】
1.一种应用于闪存存储器的升压电路，其特征在于，包括：逻辑控制模块，包括使能信号端、第一时钟信号端、第二时钟信号端和系统重置信号端，分别用于接收使能信号Enable、第一时钟信号Clk1、第二时钟信号Clk2和系统重置信号Reset，并包括用于输出第一控制信号In的第一控制信号端和用于输出第二控制信号Inb的第二控制信号端；以及升压电路模块，包括第三P型功率开关管MP3，第三P型功率开关管MP3的源端S连接电源电压VDD，第三P型功率开关管MP3的漏端D连接第一电容CAP1的第一端,并连接第三P型功率开关管MP3的门极G，第一电容CAP1的第二端连接逻辑控制模块的第二控制信号端Inb，第一电容CAP1的第一端还连接一第四P型功率开关管MP4的漏端D，第二控制信号端Inb还连接一第一N型功率开关管MN1的门极G和第一P型功率开关管MP1的门极G，第一P型功率开关管MP1的源端S连接电源电压VDD，第一N型功率开关管MN1的源端S接地，第一N型功率开关管MN1的漏端D连接第一P型功率开关管MP1的漏端D，以使第一N型功率开关管MN1和第一P型功率开关管MP1构成第一反相器，并第一N型功率开关管MN1的门极G和第一P型功率开关管MP1的门极G构成第一反相器的输入端以接收第二控制信号Inb，第一N型功率开关管MN1的漏端D和第一P型功率开关管MP1的漏端D构成第一反相器的输出端以输出控制信号Pull_down，第一反相器的输出端连接第四P型功率开关管MP4的门极G和第三N型功率开关管MN3的门极G，以使第四P型功率开关管MP4和第三N型功率开关管MN3接收控制信号Pull_down，第三N型功率开关管MN3的源端S接地，第三N型功率开关管MN3的漏端D连接第四P型功率开关管MP4的源端S，并连接第二电容CAP2的第一端，逻辑控制模块的第一控制信号端In连接第二N型功率开关管MN2的门极G和第二P型功率开关管MP2的门极G，第二P型功率开关管MP2的源端S连接第二电容CAP2的第二端，第二N型功率开关管MN2的源端S接地，第二N型功率开关管MN2的漏端D连接第二P型功率开关管MP2的漏端D，以使第二N型功率开关管MN2和第二P型功率开关管MP2构成第二反相器，并第二N型功率开关管MN2的门极G和第二P型功率开关管MP2的门极G构成第二反相器的输入端以接收第一控制信号In，第二N型功率开关管MN2的漏端D和第二P型功率开关管MP2的漏端D构成第二反相器的输出端以输出控制信号Ctrl_P，第二反相器的输出端连接第五P型功率开关管MP5的门极G，以使第五P型功率开关管MP5接收控制信号Ctrl_P，并第五P型功率开...
【专利技术属性】
技术研发人员：权力，金建明，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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