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本发明涉及应用于闪存存储器的升压电路,涉及存储器电路设计,通过升压电路中的逻辑控制模块产生第一控制信号和第二控制信号,并经第一控制信号和第二控制信号控制使升压电路模块输出3VDD‑VTH的电压,从而满足了存储器对更高驱动电压的需求,并可以提...该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。
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本发明涉及应用于闪存存储器的升压电路,涉及存储器电路设计,通过升压电路中的逻辑控制模块产生第一控制信号和第二控制信号,并经第一控制信号和第二控制信号控制使升压电路模块输出3VDD‑VTH的电压,从而满足了存储器对更高驱动电压的需求,并可以提...