一种低压降镜像电流源电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低压降镜像电流源电路,包括镜像对称的第一PMOS管P1和第二PMOS管P2、以及第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2；第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，第二参考电流源I2的一端接地，第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，第一PMOS管P1的漏极连接到第二NMOS管N2的栅极并作为电流输出端，第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管N1的漏极和栅极。本实用新型专利技术能够实现更稳定输出电流的同时降低所需电流源压降。

A Low Voltage Drop Mirror Current Source Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种低压降镜像电流源电路
本技术涉及集成电路设计领域，具体涉及一种低压降镜像电流源电路。
技术介绍
CMOS工艺中，传统镜像电流源由两个相互匹配的MOS管组成，其中一个MOS管按照二极管方式连接并接入参考电流源，另一个MOS管的漏极为电流输出端，其高输出电阻主要是通过电流输出MOS管较大的漏源电压（即电流源压降）和较长的沟道长度保证的。深亚微米CMOS工艺的电源电压已降至1.2V甚至更低，电压裕度对于模拟电路来说十分紧张，对于电压缓冲器等处理大信号（输入信号幅度大于300mV）的模拟电路来说，情况更加严峻，保证每个MOS管都始终充分工作在饱和区已越来越困难。电流源广泛应用于模拟集成电路中，紧张的电压裕度使得共源共栅等具有高输出电阻特点的镜像电流源结构不再适用。传统镜像电流源需要较大的压降和较长的沟道长度以保证较高的输出电阻，采用长沟道长度导致镜像电流源较大的尺寸，其引入的寄生电容导致电流源的高频输出阻抗下降。传统镜像电流源由两个栅极、源极分别互连且尺寸相互匹配的MOS管组成，其中一个MOS管的漏极和栅极相连，并且接入参考电流；另一个MOS管只要工作在饱和区（即其输出压降大于漏源饱和压降VDSAT），其漏极就可以输出近似等于参考电流的稳定电流。要实现输出恒流源的效果，传统电流镜中的MOS管需要采用较长的沟道长度，而且输出电流的MOS管必须保证足够的漏源压降才能输出较为稳定的电流。实际上，传统电流镜的输出电阻是比较有限的，输出电流对电流源压降仍然有较强的依赖性。选用较长的沟道长度能够缓解这一问题，但是会引入较大的寄生电容，导致高频输出阻抗下降，使得模拟集成电路无法从先进CMOS工艺的进步中受益；此外，深亚微米CMOS工艺的电源电压的降低也使得传统电流源往往缺乏足够的漏源电压来保证其正常工作。对传统电流源的改进主要包括威尔逊镜像电流源、共源共栅（cascode）镜像电流源、低压共源共栅镜像电流源等。它们较传统镜像电流源提高了输出阻抗，能够提供更为稳定的输出电流。但是它们正常工作所需要的电流源压降更大：威尔逊镜像电流源和共源共栅镜像电流源的最小压降等于栅源电压和漏源饱和电压之和（VGS+VDSAT），改进型的低压共源共栅镜像电流源的最小压降理论上也有2VDSAT这么大，即这三种改进结构均是以增大电流源压降为代价改进传统镜像电流源的，这是不符合先进CMOS工艺发展的要求的。实际上，工作在最小压降附近时的这些镜像电流源的性能是较差的，深亚微米CMOS工艺下正常工作的传统镜像电流源所需压降至少为250mV左右。
技术实现思路
本技术的专利技术目的是提供一种低压降镜像电流源电路，能够实现更稳定输出电流的同时降低所需电流源压降，便利了深亚微米CMOS工艺下的模拟电路设计，使得模拟集成电路也可以从工艺进步中受益，并且促进先进CMOS工艺下片上系统的实现。为达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案是：一种低压降镜像电流源电路,包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2；所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2镜像对称，所述第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，所述第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，所述第二参考电流源I2的一端接地，所述第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，所述第一PMOS管P1的漏极连接到第二NMOS管N2的栅极并作为电流输出端，所述第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管N1的漏极和栅极。上文中，所述第一参考电流源I1和第二参考电流源I2均镜像自传统电流源，本技术的特点使之具有充裕的压降以保证输出恒流源的效果，所述第一参考电流源I1和第二参考电流源I2的偏置电流比值为1:2。上述技术方案中，所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2的尺寸相匹配，且所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2的尺寸比为1:1；所述第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的尺寸相匹配，且所述第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的尺寸比为1:1。上述技术方案中，所述第一NMOS管N1为二极管连接的NMOS管，所述第二NMOS管N2工作在饱和区。本技术的工作原理为：本技术的第一PMOS管P1的漏极与第二NMOS管N2的栅极连接在一起，只要第二NMOS管N2工作在饱和区，那么第二PMOS管P2的漏极电压将跟随第一PMOS管P1的漏极电压，这是因为第一NMOS管N1和第二NMOS管N2的尺寸相同，而且偏置电流相同，同时，第二NMOS管N2和第一PMOS管P1构成了负反馈环路，即：当第一PMOS管P1的漏极电压发生变化时，由于第一参考电流源I1的作用，第二NMOS管N2的漏极电压会呈现相反的变化，又因为第二NMOS管N2的漏极和第一PMOS管P1的栅极连接在一起，也即第一PMOS管P1的栅极电压与第一PMOS管P1的漏极电压呈相反的变化，形成了负反馈，保证了稳定的输出电流。第一PMOS管P1和第二PMOS管P2之间是电流镜的关系，因为其栅极、源极、漏极电压均相等，即使输出电流源的压降（即第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的漏源压降）降低至使第一PMOS管P1和第二PMOS管P2进入线性区，这一条件也是满足的，即：输出电流始终等于第二参考电流源I2和第一参考电流源I1之差。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：1．本技术所提出的镜像电流源在较低压降下仍然能够输出较为恒定的电流，从而受到应用环境更小的限制，尤其适用于先进的深亚微米CMOS工艺下的模拟电路设计；2、本技术无需依赖较长的沟道来维持高输出阻抗，所以电流源的尺寸可以大幅度的缩小，这样就大大降低电流源的输出寄生电容，能够提高电流源的高频输出阻抗。除此之外，由于沟道长度的减小，电路的面积也会缩小。这一优点使得模拟电路也可以从CMOS工艺进步中受益；3、由于负反馈机制，本技术的输出电阻相比较传统镜像电流源大大提高，即便在较小电流源压降时仍然能够维持更高的输出电阻。附图说明图1是本技术实施例一的电路结构示意图。图2是本技术与传统镜像电流源在不同漏源电压下的输出电流对比示意图。图3是本技术与传统镜像电流源在不同漏源电压下的输出电阻对比示意图。图4是对图3的纵坐标作对数压缩后的示意图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述：实施例一：参见图1所示，一种低压降镜像电流源电路,包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2；所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2镜像对称，所述第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，所述第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，所述第二参考电流源I2的一端接地，所述第二参考电流源I2的输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压降镜像电流源电路,其特征在于：包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2；所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2镜像对称，所述第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，所述第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，所述第二参考电流源I2的一端接地，所述第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，所述第一PMOS管P1的漏极连接到第二NMOS管N2的栅极并作为电流输出端，所述第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管N1的漏极和栅极。

【技术特征摘要】
1.一种低压降镜像电流源电路,其特征在于：包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1和第二NMOS管N2；所述第一PMOS管P1与第二PMOS管P2镜像对称，所述第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，所述第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，所述第二参考电流源I2的一端接地，所述第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，所述第一PMOS管P1的漏极连接到第二NMOS管N2的栅极并作为电流输出端，所述第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：白春风，张威，乔东海，赵鹤鸣，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：新型
国别省市：江苏,32