【技术实现步骤摘要】
一种横流式原子层沉积腔室
本技术属于半导体薄膜沉积
，具体为一种横流式原子层沉积腔室。
技术介绍
原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)技术,与传统的薄膜制备技术相比优势明显。传统的薄膜技术包括溅射或蒸镀等物理方法（PVD）缺少精确的表面控制性或阴影区的存在而不能在三维复杂的结构衬底表面实现有效地制膜。化学气相沉积（CVD）方法制膜需对前驱体扩散以及反应室温度均匀性严格控制，难以满足薄膜均匀性和薄厚精确控制的要求。相比之下，原子层沉积技术基于表面自限制、自饱和吸附反应，具有表面控制性，所制备薄膜具有优异的三维共形性、大面积的均匀性等特点，适应于复杂高深宽比衬底表面沉积制膜，同时还能保证精确的亚单层膜厚控制。同时原子沉积技术可以在基底表面沉积致密的金属氧化物薄膜，这种方法沉积的薄膜具有良好的均匀性和结构一致性。因此，原子层沉积技术在微电子、能源、信息等领域应用广泛。现有的原子层沉积腔室采用顶端流动沉积模式，前驱体化学品在反应腔中流动方向类似花洒喷射，垂直沉积于基体上，沉积速度快但成膜不均匀。
技术实现思路
针对现有的原子层沉积腔室成膜不均匀的问题，本技术提出一种横流式原子层沉积腔室。本技术的横流式原子层沉积腔室，其特征在于由外腔室和内腔室构成：外腔室同时与保护气体输入管道及真空泵连接，一侧设置有外腔室门；内腔室由上盖板和下盖板扣合而成，扣合处设置紧固件固定，并使用密封胶圈进行密封；下盖板一端与至少三个前驱体源输入管道连接，作为进气端，另一端设置出气端，出气端通过管道与真空泵连接进气端和出气端等距设置有若干分流柱；上盖板和下盖板外表...
【技术保护点】
1.一种横流式原子层沉积腔室，其特征在于由外腔室(1)和内腔室(2)构成：外腔室(1)同时与保护气体输入管道(3)及真空泵（4）连接，一侧设置有外腔室门(5)；内腔室(2)由上盖板和下盖板扣合而成，扣合处设置紧固件固定，并使用密封胶圈(6)进行密封；下盖板一端与至少三个前驱体源输入管道(7)连接，作为进气端，另一端设置出气端，出气端通过管道与真空泵(4)连接进气端和出气端等距设置有若干分流柱(8)；上盖板和下盖板外表面覆盖有加热板(9)；内腔室(2)一侧设置有内腔室门(10)，内腔室门(10)与外腔室门(5)对应。
【技术特征摘要】
1.一种横流式原子层沉积腔室，其特征在于由外腔室(1)和内腔室(2)构成：外腔室(1)同时与保护气体输入管道(3)及真空泵（4）连接，一侧设置有外腔室门(5)；内腔室(2)由上盖板和下盖板扣合而成，扣合处设置紧固件固定，并使用密封胶圈(6)进行密封；下盖板一端与至少三个前驱体源输入管道(7)连接，作为进气端，另一端设置出气端，出气端通过管道与真空泵(4)连接进气端和出气端等距设置有若干分流柱(8)；上盖板和下盖板外表面覆盖有加热板(9)；内腔室(...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡松文，周允红，金景一，陈雪梅，张磊，陈鹏远，粟俊文，
申请(专利权)人：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：云南,53
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