【技术实现步骤摘要】
一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘
本技术涉及半导体设备设计和制造的
，尤其是指一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘。
技术介绍
金属有机物化学汽相沉积(Metal-organicChemicalVaporDeposition，简写M0CVD)设备是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的外延生长技术，是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术。它不仅是生长制备化合物半导体光电子、微电子器件材料的主要方法，而且还是制备化合物半导体量子阱、超晶格、异质结等低维结构的重要手段。到目前为止，利用MOCVD生长半导体激光器、发光二极管、太阳电池、光探测器等光电器件和高频、高速电子器件等都已实现了产业化。在MOCVD外延生长半导体材料过程中，衬底放置于载片盘上，载片盘高速旋转以保证外延生长的均匀性和一致性。目前，石墨盘材质多选用石墨，也称石墨盘，是MOCVD设备中非常重要的配件，由高纯石墨制成，石墨盘有些表面包裹特殊材料涂层，如SiC镀层等，有些则没有涂层，直接由特种石墨材料制作而成。石墨材质的载片盘硬度很高，在外延过程中，即使加热到很高的温度，依然可...
【技术保护点】
1.一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个带有一平边的衬底凹槽，用于放置衬底，其特征在于：所述衬底凹槽的槽底上设置有一个平行靠近于平边的长条形凸条，所述长条形凸条的高度低于衬底凹槽深度，长度要求不大于衬底凹槽的平边长度，与衬底的平边长度相匹配，放置在衬底凹槽中的衬底的平边与长条形凸条对齐，通过长条形凸条对衬底起到限位固定的作用。
【技术特征摘要】
1.一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个带有一平边的衬底凹槽，用于放置衬底，其特征在于：所述衬底凹槽的槽底上设置有一个平行靠近于平边的长条形凸条，所述长条形凸条的高度低于衬底凹槽深度，长度要求不大于衬底凹槽的平边长度，与衬底的平边长度相匹配，放置在衬底凹槽中的衬底的平边与长条形凸条对齐，通过长条形凸条对衬底起到限位固定的作用。2.根据权利要求1所述的一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘，其特征在于：所述衬底凹槽的槽底有防滑设计，为在槽底上做条纹状凹槽或条纹状凸起，以起到防滑的作用。3.根据权利要求1所述的一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘，其特征在于：所述长条形凸条的高度为20-100um，宽度为0.5-1.5mm，长度...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘建庆，文宏，刘雪珍，高熙隆，肖林林，丁杰，杨溢，
申请(专利权)人：中山德华芯片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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