半导体装置制造方法及图纸

技术编号:21852787 阅读:35 留言:0更新日期:2019-08-14 00:52
本发明专利技术提供一种半导体装置。该半导体装置具备:第一导体板;多个半导体元件,其被配置于第一导体板上;第一外部连接端子,其与第一导体板连接。多个半导体元件包括第一半导体元件、第二半导体元件以及第三半导体元件。第二半导体元件被配置于第一半导体元件与第三半导体元件之间。在第一导体板中连接有第一外部连接端子的范围在第一半导体元件、第二半导体元件以及第三半导体元件中最接近于第二半导体元件。而且,在第一导体板中,在连接有第一外部连接端子的范围与连接有第二半导体元件的范围之间设置有孔。

Semiconductor Device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本说明书所公开的技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
在日本特开2013-93343号公报中公开了一种半导体装置。该半导体装置具备导体板、被配置于导体板上的多个半导体元件、和与导体板连接的外部连接端子。
技术实现思路
在并联地连接有多个半导体元件的半导体装置中,期望电流均等地流向各个半导体元件。但是,当在公共的导体板上配置有三个以上的半导体元件时,和导体板连接的外部连接端子与各个半导体元件之间的距离并不完全一致。例如设为,在共用的导体板上,三个半导体元件沿着直线而被配置。在该情况下,无论使外部连接端子与导体板的那哪个位置连接,均无法使外部连接端子与各个半导体元件之间的距离互为相等。如果存在这种距离的不同,则在外部连接端子与各个半导体元件之间的电阻上也会产生无法忽视的差值。其结果为,在各个半导体元件中,电流不均等地流动。本说明书提供一种能够解决或改善这样的问题的技术。本说明书所公开的半导体装置具备:第一导体板;多个半导体元件,其被配置于第一导体板上;第一外部连接端子,其与第一导体板连接。多个半导体元件包括第一半导体元件、第二半导体元件以及第三半导体元件,第二半导体元件被配置于第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置,具备:第一导体板;多个半导体元件,其被配置于所述第一导体板上;第一外部连接端子,其与所述第一导体板连接,所述多个半导体元件包括第一半导体元件、第二半导体元件以及第三半导体元件,所述第二半导体元件被配置于所述第一半导体元件与所述第三半导体元件之间,在所述第一导体板中连接有所述第一外部连接端子的范围在所述第一半导体元件、所述第二半导体元件以及所述第三半导体元件中最接近于所述第二半导体元件,在所述第一导体板中,在连接有所述第一外部连接端子的范围与连接有所述第二半导体元件的范围之间设置有孔。

【技术特征摘要】
2018.02.06 JP 2018-019594;2018.04.11 JP 2018-076181.一种半导体装置,具备:第一导体板;多个半导体元件,其被配置于所述第一导体板上;第一外部连接端子,其与所述第一导体板连接,所述多个半导体元件包括第一半导体元件、第二半导体元件以及第三半导体元件,所述第二半导体元件被配置于所述第一半导体元件与所述第三半导体元件之间,在所述第一导体板中连接有所述第一外部连接端子的范围在所述第一半导体元件、所述第二半导体元件以及所述第三半导体元件中最接近于所述第二半导体元件,在所述第一导体板中,在连接有所述第一外部连接端子的范围与连接有所述第二半导体元件的范围之间设置有孔。2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述孔被形成为,在所述第一外部连接端子与所述第二半导体元件之间流动的电流的至少一部分迂回过所述孔。3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,所述孔被形成为,在所述第一外部连接端子与所述第二半导体元件之间流动的电流全部迂回过所述孔。4.如权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第一半导体元件、所述第二半导体元件以及所述第三半导体元件将与所述第一导体板垂直的平面作为对称面而实质上被左右对称地排列配置。5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述第一外部连接端子在与所述对称面交叉的范围内与所述第一导体板连接。6.如权利要求4或5所述的半导体装置,其特征在于,所述孔具有关于所述对称面而左右对称的开口形状。7.如权利要求4至6中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,所述孔具有长孔形状,所述长孔形状的长边轴与所述对称面垂直。8.如权利要求4至7中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,关于与所述对称面垂直的方向,所述孔的尺寸大于所述第二半导体元件的尺寸。9.如权利要求4至8中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,关于与所述对称面垂直的方向,所述孔的尺寸小于所述第一半导体元件与所述第三半导体元件之间的中心距。10.如权利要求4至9中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,在所述第一导体板中连接有所述第一外部连接端子的所述范围关于所述对称面而左右对称。11.如权利要求4至10中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,关于与所述对称面垂直的方向,所述孔的尺寸大于在所述第一导体板中连接有所述第一外部连接端子的所述范围的尺寸。12.如权利要求4至11中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第一导体板具有扩大部分,所述扩大部分的与所述对称面垂直的方向上的尺寸从连接有所述第一外部连接端子的所述范围起向连接有所述多个半导体元件的范围而扩大,所述孔的至少一部分位于所述扩大部分处。13.如权利要求4至12中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第一半导体元件、所述第二半导体元件以及所述第三半导体元件沿着与所述对称面垂直的方向而被直线地排列配置。14.如权利要求1至13中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第一导体板为,具有内侧导体层、外侧导体层、以及位于所述内侧导体层与所述外侧导体层之间的绝缘层的绝缘基板,所述第一外部连接端子经由所述内侧导体层而与所述多个半导体元件电连接,所述孔被设置于所述内侧导体层上。15.如权利要求14所述的半导体装置,其特征在于,所述孔仅被设置于所述内侧导体层上,并具有由所述绝缘层划分出的底面。...

【专利技术属性】
技术研发人员:川岛崇功
申请(专利权)人:丰田自动车株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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