片式电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种片式电阻器，在上述片式电阻器中，上表面电极配置在基片的主面上。电阻体配置于上述主面，且与上述上表面电极导通。保护层覆盖上述电阻体。保护电极与上述上表面电极导通。侧面电极具有侧部、顶部和底部，且与上述上表面电极导通。关于上述侧面电极，上述侧部配置于上述侧面，在俯视时，上述顶部和上述底部分别与上述主面和上述背面重叠。中间电极覆盖上述保护电极和上述侧面电极。外部电极覆盖上述中间电极。上述保护电极与上述上表面电极和上述保护层两者相接触，且覆盖上述上表面电极及上述保护层各自的一部分。

Chip Resistor and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】片式电阻器及其制造方法
本专利技术涉及片式电阻器及其制造方法。
技术介绍
构成片式电阻器的电极的一部分的上表面电极是与电阻体导通，且配置于基片的上面的电极。上表面电极通常含有Ag颗粒。在搭载有片式电阻器的电路基片的周边环境中存在硫化气体(H2S、SO2等)的情况下，该上表面电极中所含的Ag颗粒与硫化气体化合而成为黑色的硫化银(Ag2S)。因为硫化银具有电绝缘性，所以当该上表面电极的硫化进展时，片式电阻器的电极有可能断路。某片式电阻器包括：基片(绝缘基片)、配置于基片的上表面电极(上部端子电极)、与上表面电极导通的电阻体(电阻元件)、覆盖电阻体的保护层(保护性涂层)、覆盖上表面电极的中间电极(镀镍层)。在片式电阻器的长度方向上的基片的两侧面和保护层的两端部，通过溅射法形成有金属层。中间电极与上表面电极和覆盖上表面电极且形成有金属层的保护层的端部两者相接触地形成。通过采用这种结构，位于与上表面电极的交界的保护层的端部成为由中间电极牢固地覆盖的状态，所以能够防止硫化气体沿着保护层的端部侵入上表面电极。因此，能够实现上表面电极的耐硫化性的提高。这里，专利技术人发现，在某片式电阻器中，形成于保护层的两端部的金属层有时会因形成条件产生剥离。在形成于保护层的端部的金属层产生了剥离的情况下，与该金属层接触地形成的中间电极也从保护层的端部剥离。在这种状态下，硫化气体容易沿着保护层的端部侵入到上表面电极。因此，在形成于保护层的两端部的金属层产生了剥离的情况下，上表面电极的耐硫化性有可能降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种实现了耐硫化性提高的片式电阻器及其制造方法。根据本专利技术的第一方面，提供一种片式电阻器。所述片式电阻器包括基片、上表面电极、电阻体、保护层、保护电极、侧面电极、中间电极和外部电极。所述基片具有在厚度方向上彼此隔开间隔的主面和背面、位于所述主面与所述背面之间的侧面。所述上表面电极配置于所述主面。所述电阻体配置于所述主面、且与所述上表面电极导通。所述保护层覆盖所述电阻体。所述保护电极与所述上表面电极导通。所述侧面电极具有侧部、顶部和底部，且与所述上表面电极导通。就所述侧面电极而言，所述侧部配置于所述侧面，在俯视时，所述顶部和所述底部分别与所述主面和所述背面重叠。所述中间电极覆盖所述保护电极和所述侧面电极。所述外部电极覆盖所述中间电极。所述保护电极与所述上表面电极和所述保护层两者相接触，且覆盖所述上表面电极和所述保护层各自的一部分。根据本专利技术的第二方面，提供一种片式电阻器的制造方法。所述片式电阻器的制造方法包括：在具有在厚度方向上彼此隔开间隔的主面和背面的片状基材中，形成与所述主面相接触且包括彼此隔开间隔的两个区域的上表面电极的步骤；形成电阻体的步骤，所述电阻体具有与所述上表面电极接触的第一端和第二端，形成覆盖所述电阻体的保护层的步骤；形成与所述上表面电极和所述保护层两者相接触的保护电极的步骤；将所述基材分割为多个带状体的步骤，且所述多个带状体分别具有位于所述主面和所述背面之间的侧面；形成侧面电极的步骤，该侧面电极与所述多个带状体的任意一者的所述侧面相接触，并且在俯视时分别具有与所述主面和所述背面重叠的部分；形成覆盖所述保护电极和所述侧面电极的中间电极的步骤；和形成覆盖所述中间电极的外部电极的步骤。本专利技术的其他特征及优点通过以下基于附图进行的详细说明，即可更加明了。附图说明图1是本专利技术第一实施方式的片式电阻器的平面图(透过中间电极和中间电极)。图2是图1所示的片式电阻器的底面图。图3是图1所示的片式电阻器的平面图(透过侧面电极、中间电极和外部电极)。图4是沿着图1的IV－IV线的截面图。图5是图4的局部放大图。图6是图1所示的片式电阻器的背面电极的局部放大截面图。图7是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的平面图。图8是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的平面图。图9是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的平面图。图10是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的平面图。图11是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的平面图。图12是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的平面图。图13是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的平面图。图14是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的立体图。图15是沿着图14的XV－XV线的截面图。图16是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的截面图。图17是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的立体图。图18是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的截面图。图19是对图1所示的片式电阻器的制造方法进行说明的截面图。图20是本专利技术第二实施方式的片式电阻器的截面图。图21是图20的局部放大图。图22是本专利技术第三实施方式的片式电阻器的平面图(透过中间电极和中间电极)。图23是图22所示的片式电阻器的平面图(透过侧面电极、中间电极和外部电极)。图24是沿着图22的XXIV－XXIV线的截面图。图25是图24的局部放大图。具体实施方式下面，基于附图对用于实施的方式(以下，称为“实施方式”)进行说明。〔第一实施方式〕基于图1～图6对本专利技术的第一实施方式的片式电阻器A10进行说明。片式电阻器A10包括基片1、电阻体2、电极3和保护层4。图1是片式电阻器A10的平面图。图2是片式电阻器A10的底面图。为了便于理解，图1和图2中透过了后述的电极3的中间电极35和外部电极36。图3是相对于图1进一步透过了后述的电极3的侧面电极34的平面图。图4是沿着图1的IV－IV线的截面图。图5是图4的局部放大图。图6是片式电阻器A10的后述的电极3的背面电极32的局部放大截面图。这些图所示的片式电阻器A10是表面安装在各种电子设备的电路基片上的形式的片式电阻器。片式电阻器A10是所谓的厚膜(金属釉覆膜)片式电阻器。如图1所示，片式电阻器A10的基片1的厚度方向Z视时(以下，称为“俯视”)的形状为矩形形状。这里，为了便于说明，将与基片1的厚度方向Z正交的片式电阻器A10的长边方向称为第一方向X。另外，将与基片1的厚度方向Z和第一方向X两者正交的片式电阻器A10的短边方向称为第二方向Y。如图1～图4所示，基片1是用于搭载电阻体2且将片式电阻器A10安装于电路基片的部件。基片1的俯视时的形状为矩形形状。另外，基片1是电绝缘体。本实施方式的基片1由氧化铝(Al2O3)构成。在使用片式电阻器A10时，为了容易将由电阻体2产生的热量散发到外部，基片1优选由导热率高的材料构成。基片1具有主面11、背面12和侧面13。如图1～图4所示，主面11和背面12是在基片1的厚度方向Z上彼此隔开间隔的面。主面11是图4所示的基片1的上表面，且是搭载电阻体2的面。背面12是图4所示的基片1的下表面，且是在将片式电阻器A10安装于电路基片时与该电路基片相对的面。如图1～图4所示，侧面13是位于主面11和背面12之间的面。本实施方式的侧面13是在第一方向X上彼此隔开间隔的一对面。以覆盖侧面13的方式配置有电极3。如图1、图3和图4所示，电阻体2是配置在基片1的主面11上的、且与后述的电极3的上表面电极31导通的元件。电阻体2发挥限制电流或检测电流等的功能。本实施方式的电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式电阻器，其特征在于，包括：基片，其具有在厚度方向上彼此隔开间隔的主面和背面、以及位于所述主面与所述背面之间的侧面；配置于所述主面的上表面电极；配置于所述主面的电阻体，该电阻体与所述上表面电极导通；覆盖所述电阻体的保护层；与所述上表面电极导通的保护电极；侧面电极，其包括侧部、顶部和底部，并且与所述上表面电极导通，而且所述侧部配置于所述侧面，在俯视时，所述顶部和所述底部分别与所述主面和所述背面重叠；覆盖所述保护电极和所述侧面电极的中间电极；和覆盖所述中间电极的外部电极，所述保护电极与所述上表面电极和所述保护层两者相接触，并且覆盖所述上表面电极和所述保护层各自的一部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.27 JP 2016-2527771.一种片式电阻器，其特征在于，包括：基片，其具有在厚度方向上彼此隔开间隔的主面和背面、以及位于所述主面与所述背面之间的侧面；配置于所述主面的上表面电极；配置于所述主面的电阻体，该电阻体与所述上表面电极导通；覆盖所述电阻体的保护层；与所述上表面电极导通的保护电极；侧面电极，其包括侧部、顶部和底部，并且与所述上表面电极导通，而且所述侧部配置于所述侧面，在俯视时，所述顶部和所述底部分别与所述主面和所述背面重叠；覆盖所述保护电极和所述侧面电极的中间电极；和覆盖所述中间电极的外部电极，所述保护电极与所述上表面电极和所述保护层两者相接触，并且覆盖所述上表面电极和所述保护层各自的一部分。2.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于：所述保护电极具有在俯视时与所述基片的所述侧面平行的第一端和第二端，所述第一端与所述保护层相接触，所述第二端与所述上表面电极相接触。3.根据权利要求2所述的片式电阻器，其特征在于：在俯视时，在所述基片的所述侧面与所述保护电极的所述第二端之间形成有间隙。4.根据权利要求2或3所述的片式电阻器，其特征在于：所述侧面电极的所述顶部与所述保护电极相接触。5.根据权利要求2～4中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：所述侧面电极由Ni－Cr合金形成。6.根据权利要求1～5中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：所述保护电极由含有金属颗粒的合成树脂形成。7.根据权利要求6所述的片式电阻器，其特征在于：所述金属颗粒包含Ag颗粒。8.根据权利要求1～5中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：所述保护电极由包含薄片状的碳颗粒的合成树脂形成。9.根据权利要求1～8中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：所述上表面电极含有Ag颗粒。10.根据权利要求1～9中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：还包括配置于所述基片的所述背面的背面电极，该背面电极与所述侧面电极导通，并且包含含有导电性颗粒的合成树脂，所述侧面电极的所述底部与所述背面电极相接触，所述中间电极覆盖所述背面电极。11.根据权利要求10所述的片式电阻器，其特征在于：所述背面电极包括：第一层，其与所述基片的所述背面相接触，且由电绝缘体形成的合成树脂构成；和第二层，其层叠在所述第一层上，且由含有导电性颗粒的合成树脂形成。12.根据权利要求10或11所述的片式电阻器，其特征在于：所述导电性颗粒的形状为薄片状，并且是由金属构成的颗粒。13.根据权利要求12所述的片式电阻器，其特征在于：所述金属为Ag。14.根据权利要求1～13中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：所述电阻体含有RuO2或Ag－Pd合金和玻璃。15.根据权利要求14所述的片式电阻器，其特征在于：在所述电阻体上形成有在所述基片的厚度方向上贯通的调整槽。16.根据权利要求15所述的片式电...

【专利技术属性】
技术研发人员：今桥涉，篠浦高德，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP