一种半导体共晶加热板制造技术

技术编号:21841335 阅读:26 留言:0更新日期:2019-08-10 21:40
本实用新型专利技术提供了一种半导体共晶加热板,包括加热板,所述加热板包括正面和反面,所述加热板的正面均匀分布有多个凸点共晶台,每个所述共晶台上下两侧分别设有上氮气孔、下氮气孔,所述加热板内还设有热电偶安装孔,所述热电偶安装孔的开口端位于所述加热板一侧面,所述热电偶安装孔位于所述凸点共晶台下侧。本实用新型专利技术的半导体共晶加热板,体积较小,结构较薄,导热效率高。

A Semiconductor Eutectic Heating Plate

【技术实现步骤摘要】
一种半导体共晶加热板
本技术涉及半导体加工
,具体涉及一种半导体共晶加热板。
技术介绍
在半导体的加工制造过程中,共晶是一个重要的步骤,关系到产品的质量好坏。现有的共晶方式为:筛选配比合适的锡合金焊料;预热基片;焊料涂布;在共晶温度下将芯片和引线焊接到基片上;在加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。对于上述工艺,由于共晶过程温度较高,而引线表面镀银,引线在高温条件下容易被氧化。另外,为了严格控制共晶过程的温度,一般都需要用热电偶对共晶位置进行温度探测,常规的探测方式是利用人工的方式直接将热电偶的探头伸入共晶位置,误差较大。
技术实现思路
针对以上问题,本技术提供一种半导体共晶加热板,体积较小,结构较薄,导热效率高。为实现上述目的,本技术通过以下技术方案来解决:一种半导体共晶加热板,包括加热板,所述加热板包括正面和反面,所述加热板的正面均匀分布有多个凸点共晶台,每个所述共晶台上下两侧分别设有上氮气孔、下氮气孔,所述加热板内还设有热电偶安装孔,所述热电偶安装孔的开口端位于所述加热板一侧面,所述热电偶安装孔位于所述凸点共晶台下侧。具体的,所述加热板上还设有三个固定孔。具体的,所述固定孔均为椭圆孔。具体的,所述加热板的反面设有“工”型让位槽,所述上氮气孔、下氮气孔均位于所述“工”型让位槽内。具体的,所述凸点共晶台的数量为6个。本技术的有益效果是:第一、本技术的半导体共晶加热板,体积较小,结构较薄,导热效率高;第二、在加热板表面增加了多个均匀分布的凸点共晶台,利用凸点共晶台的凸起结构,将半导体产品的芯片放置于凸点共晶台上,能够避免半导体产品的引脚变形;第三、在凸点共晶台上下两侧都增加了用于供氮气通过的氮气孔,在焊接引线时,通过持续通入氮气,氮气作为保护气体,可避免二极管引线在高温条件下不被氧化;第四、热电偶安装孔的位置设置在凸点共晶台下侧,可将热电偶插入热电偶安装孔中,能够精确的探测共晶时的温度。附图说明图1为本技术的一种半导体共晶加热板的结构示意图一。图2为本技术的一种半导体共晶加热板的结构示意图二。图3为本技术的一种半导体共晶加热板的俯视图。图4为图3中B-B面的剖视图。附图标记为:加热板1、凸点共晶台2、上氮气孔3、下氮气孔4、热电偶安装孔5、固定孔6、“工”型让位槽7。具体实施方式下面结合实施例和附图对本技术作进一步详细的描述,但本技术的实施方式不限于此。如图1-4所示:一种半导体共晶加热板,包括加热板1,加热板1包括正面和反面,加热板1的正面均匀分布有多个凸点共晶台2,每个共晶台上下两侧分别设有上氮气孔3、下氮气孔4,加热板1内还设有热电偶安装孔5,热电偶安装孔5的开口端位于加热板1一侧面,热电偶安装孔5位于凸点共晶台2下侧,可将热电偶插入热电偶安装孔5中,热电偶能够精确的探测共晶时的温度。优选地,加热板1上还设有三个固定孔6,固定孔6的作用是用于固定加热板1。优选地,固定孔6均为椭圆孔,安装加热板1使用圆柱形的螺栓,通过椭圆孔,可微调加热板1的位置,然后锁紧螺栓,固定加热板1的位置。优选地,加热板1的反面设有“工”型让位槽7,上氮气孔3、下氮气孔4均位于“工”型让位槽7内,“工”型让位槽7用于安装供气装置,供气装置的出气口与上氮气孔3、下氮气孔4连接,为上氮气孔3、下氮气孔4提供氮气,在焊接引线时,通过持续通入氮气,氮气作为保护气体,可避免二极管引线在高温条件下不被氧化。优选地,凸点共晶台2的数量为6个。以上实施例仅表达了本技术的一种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本技术的保护范围。因此,本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体共晶加热板,其特征在于,包括加热板(1),所述加热板(1)包括正面和反面,所述加热板(1)的正面均匀分布有多个凸点共晶台(2),每个所述共晶台上下两侧分别设有上氮气孔(3)、下氮气孔(4),所述加热板(1)内还设有热电偶安装孔(5),所述热电偶安装孔(5)的开口端位于所述加热板(1)一侧面,所述热电偶安装孔(5)位于所述凸点共晶台(2)下侧。

【技术特征摘要】
1.一种半导体共晶加热板,其特征在于,包括加热板(1),所述加热板(1)包括正面和反面,所述加热板(1)的正面均匀分布有多个凸点共晶台(2),每个所述共晶台上下两侧分别设有上氮气孔(3)、下氮气孔(4),所述加热板(1)内还设有热电偶安装孔(5),所述热电偶安装孔(5)的开口端位于所述加热板(1)一侧面,所述热电偶安装孔(5)位于所述凸点共晶台(2)下侧。2.根据权利要求1所述的一种半导体共晶加热板,...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘汉贵
申请(专利权)人:中之半导体科技东莞有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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