一种碳化硅二极管的耐高温封装方法技术

本发明专利技术系提供一种碳化硅二极管的耐高温封装方法，包括以下步骤：在引脚框架的表面镀防腐导电材料；在陶瓷板上扣合导电层成型模具；先向环形槽中注入导热硅胶，再向中心孔中注入导电银胶；撤去导电层成型模具，将第一导线放置到导热硅胶和导电银胶上；贴芯片，导热硅胶和导电银胶被压扁；在芯片的顶部涂布导电材料，将第二导线压入；固化；第一引脚与第一引脚键合，第二引脚与第二引脚键合；塑封。本发明专利技术将热超声焊接的作用区域远离芯片设置，同时能够有效保护芯片免受高温的影响，位于芯片下方的第一导电层包括导电银胶层以及围绕于其四周的导热硅胶层，能有效避免芯片顶部点胶接线的过程中因导电材料的溢流而发生短路。的过程中因导电材料的溢流而发生短路。的过程中因导电材料的溢流而发生短路。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅二极管的耐高温封装方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅二极管的加工，具体公开了一种碳化硅二极管的耐高温封装方法。

技术介绍

[0002]碳化硅二极管是采用碳化硅晶片封装获得的半导体器件，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率大、饱和电子偏移速度高和介电常数低等优点。
[0003]碳化硅二极管主要包括直插式和贴片式的两种封装结构，贴片式的碳化硅二极管常用于现代便携电子产品中，碳化硅二极管主要包括封装体、芯片以及两个引脚，为提高内部结构的牢固性，碳化硅二极管中芯片与两个引脚之间通过热超声焊接的方式进行键合，键合过程中会产生大量热量，容易影响碳化硅二极管中芯片的性能。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种碳化硅二极管的耐高温封装方法，能够有效保护芯片免受高温的影响，最终所获碳化硅二极管内部结构稳定可靠。
[0005]为解决现有技术问题，本专利技术公开一种碳化硅二极管的耐高温封装方法，包括以下步骤：S1、覆膜，将引脚框架放入真空室中，向真空室中填充入惰性气体后，在引脚框架的表面镀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅二极管的耐高温封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、覆膜，将引脚框架放入真空室中，向真空室中填充入惰性气体后，在引脚框架的表面镀防腐导电材料形成防腐导电层；S2、热板，对陶瓷板进行加热，在陶瓷板上扣合导电层成型模具，导电层成型模具中设有环形槽和中心孔，环形槽围绕于中心孔四周；S3、注胶，先向环形槽中注入导热硅胶，再向中心孔中注入导电银胶；S4、一次接线，撤去导电层成型模具，将第一导线放置到导热硅胶和导电银胶上，第一导线的一端位于导电银胶中；S5、贴芯片，将芯片压于导热硅胶和导电银胶上，导热硅胶和导电银胶被压扁平铺于芯片与陶瓷板之间，形成导电银胶层以及导热硅胶层，导热硅胶层围绕连接于导电银胶层的四周，导电银胶层位于芯片在陶瓷板上的投影中，芯片在陶瓷板上的投影位于导热硅胶层中；S6、二次接线，在芯片的顶部涂布导电材料形成导电材料层，将第二导线的一端压入导电材料层中；S7、固化，对导热硅胶层、导电银胶层和导电材料层进行固化，导电硅胶层和导电银胶层形成第一导电层，导电材料层形成第二导电层；S8、键合，将引脚框架中的第一引脚和第二引脚放在陶瓷板的两侧，通过热超声焊接的方式将第一引脚远离芯片的一端与第一引脚键合连接，通过热超声焊接的方式...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄景扬，
申请(专利权)人：中之半导体科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：