一种薄膜体声波谐振器及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明专利技术实施例提供的技术方案，可提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。

A Thin Film Bulk Acoustic Resonator and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜体声波谐振器及其制作方法
本专利技术实施例涉及无线通信
，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器及其制作方法。
技术介绍
随着无线通信的迅猛发展，无线信号变得越来越拥挤，对工作在射频频段的滤波器提出了集成化、微型化、低功耗、高性能、低成本等新的要求。传统的声表面波滤波器因为频率及承受功率等的限制，越来越无法达到这样的技术指标。薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，FBAR)由于具有CMOS工艺兼容、高品质因数、低损耗、低温度系数、高功率承载能力等特性逐渐成为射频滤波器研究的热点。薄膜体声波谐振器核心结构包括依次设置的底电极、压电薄膜层、顶电极。传统制作方法为先形成并图形化底电极，然后沉积并图形化压电薄膜层，最后沉积并图形化顶电极。压电薄膜层的材料中，单晶压电材料为常用的压电薄膜材料。单晶压电材料一般通过金属有机化学气象沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD)在高温环境下获得，但铺设的底电极在高温下易融化损坏且不利于单晶压电材料的生长。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，以提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述气腔分别与所述悬浮硅层和所述衬底接触；所述衬底设置有至少一个第一通孔，所述第一通孔与所述气腔连通。3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述气腔分别与所述悬浮硅层和所述绝缘层接触；所述衬底和所述绝缘层设置有至少一个第二通孔，所述第二通孔与所述气腔连通。4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述悬浮硅层的阻抗率小于或者等于0.1Ω·cm。5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述悬浮硅层掺杂的杂质材料包括第三主族元素或第五主族元素。6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述悬浮硅层的厚度范围为20nm～2μm。7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜层的材料为氮化铝、氧化锌、镍酸锂或钽酸锂。8.一种薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，适用于上述权利要求1-7任一项所述的薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器的制作方法包括：提供一绝缘体上硅基片；所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亮，程凯，于洪宇，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：广东,44