【技术实现步骤摘要】
阻变存储器及其制备方法
本申请涉及存储器领域，具体而言，涉及一种阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，是现代信息技术的核心和基石。开发基于新结构、新原理和新材料的新型存储器，对信息技术的发展至关重要。阻变存储器(RRAM)是一种新兴的信息技术，其工作核心是通过器件电阻状态的精准调控实现信息的编码与存储，具有结构简单、器件单元尺寸小、与CMOS工艺兼容、可与处理器在同一芯片上实现大规模三维集成等优点。阻变存储器的器件结构包含顶电极、底电极以及夹在两者之间的阻变层，阻变层材料是阻变存储器的核心。阻变层通常采用有机材料或无机材料制备而成。无机材料具有耐高温的优点，最高可达370℃，但是由于大多数无机材料是原子晶体或是离子晶体，脆性较大，很难兼容柔性和透光性，故不能作为柔性电子器件和透光性器件的阻变层，制约了无机材料作为阻变层的应用和发展。与无机材料相比，有机材料最大特点就是成膜简单，且可大面积成膜，成本低廉，但是由于大部分有机材料自身的不稳定性，耐高温只能达到80℃，在很大程度上影响了有机材料在阻变层中的应用。...
【技术保护点】
1.一种阻变存储器，包括底电极、顶电极和设置在所述底电极和顶电极之间的阻变层，其特征在于，所述阻变层由聚乙烯亚胺制备而成。
【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器，包括底电极、顶电极和设置在所述底电极和顶电极之间的阻变层，其特征在于，所述阻变层由聚乙烯亚胺制备而成。2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层由聚乙烯亚胺的无水乙醇溶液制备而成，其中，所述聚乙烯亚胺的浓度为8-15mg/ml。3.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于，所述聚乙烯亚胺的浓度为10mg/ml。4.根据权利要求1-3任一项所述的阻变存储器，其特征在于，所述聚乙烯亚胺的分子量为5000-70000。5.根据权利要求1-3任一项所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的厚度为200-500nm。6.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极为Pt电极。7.根据权利要求6所述的阻变存...
【专利技术属性】
技术研发人员：王琦，杨栋梁，杨慧永，贺德衍，
申请(专利权)人：兰州大学，
类型：发明
国别省市：甘肃,62
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。