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本申请公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极和设置在所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层由聚乙烯亚胺制备而成。本申请采用聚乙烯亚胺制备阻变存储器中阻变层的方式，通过将聚乙烯亚胺制备阻变层与顶电极和底电极形成阻...
该专利属于兰州大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州大学授权不得商用。

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