一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED技术

本发明专利技术提供一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED。该深紫外LED外延结构，包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；P型AlGaN层包括第一、第二和第三子层；第一子层为P型AlxGa1‑xN层；第二子层包括交替层叠设置的非掺杂AlyGa1‑yN层与掺杂AlyGa1‑yN层，交替次数≥1；第三子层为P型AlzGa1‑zN层，1＞x＞y＞z＞0。本发明专利技术提供的深紫外LED外延结构，通过改变P型AlGaN层的结构，提高了紫外LED的发光效率和内量子效率，从而改善了紫外LED的性能。

A Deep Ultraviolet LED Epitaxy Structure and Its Preparation Method and Deep Ultraviolet LED

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED
本专利技术涉及半导体光电子
，具体涉及一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED。
技术介绍
深紫外LED作为一种新型的紫外光源，具有能耗低、体积小、集成性好、寿命长、环保无毒等优点，在杀菌、印刷、通讯、探测、紫外固化等领域具有广泛的应用前景，是当前III-族氮化物半导体最有发展潜力的领域和产业之一。虽然深紫外LED市场潜力和应用前景十分巨大，但是由于其发光效率较低，严重制约了其商业化的发展。鉴于此，如何提供一种深紫外LED外延结构，使深紫外LED的发光效率得以提升，仍旧是目前有待解决的技术问题。
技术实现思路
针对上述缺陷，本专利技术提供一种深紫外LED外延结构，能够用于提高深紫外LED的发光效率。本专利技术提供一种深紫外LED外延结构的制备方法，能够制得上述深紫外LED外延结构。本专利技术提供一种深紫外LED，包括前述深紫外LED外延结构，该深紫外LED具有较高的发光效率。为实现上述目的，本专利技术提供一种深紫外LED外延结构，包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、电子阻挡层、P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外LED外延结构，其特征在于，包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，自衬底向上，所述P型AlGaN层包括依次层叠设置的第一子层、第二子层和第三子层：所述第一子层为P型AlxGa1‑xN层；所述第二子层包括交替层叠设置的非掺杂AlyGa1‑yN层与掺杂AlyGa1‑yN层，交替次数≥1；所述第三子层为P型AlzGa1‑zN层，1＞x＞y＞z＞0。

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED外延结构，其特征在于，包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，自衬底向上，所述P型AlGaN层包括依次层叠设置的第一子层、第二子层和第三子层：所述第一子层为P型AlxGa1-xN层；所述第二子层包括交替层叠设置的非掺杂AlyGa1-yN层与掺杂AlyGa1-yN层，交替次数≥1；所述第三子层为P型AlzGa1-zN层，1＞x＞y＞z＞0。2.根据权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，0.1≤x-z≤0.4。3.根据权利要求1或2所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层包括至少一层AlGaN层，且所述电子阻挡层中的Al含量不低于所述第一子层中的Al含量。4.根据权利要求1所述的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述第二子层中掺杂元素的掺杂量不低于所述第一子层中掺杂元素的掺杂量；和/或，所述第二子层中掺杂元素的掺杂量不...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐孝灵，黄小辉，王小文，康健，郑远志，陈向东，
申请(专利权)人：马鞍山杰生半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34