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一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED技术
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下载一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED的技术资料
文档序号:21836763
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本发明提供一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED。该深紫外LED外延结构,包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层;P型AlGaN层包括第一、第二和第...
该专利属于马鞍山杰生半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过马鞍山杰生半导体有限公司授权不得商用。
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