发光二极管制造技术

一种发光二极管，包括：基板；半导体层叠体，配置于基板上且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽，活性层夹设于下部半导体层与上部半导体层之间，并且分离槽通过上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出基板；第一电极板；上部延伸部，上部延伸部和第一电极板电连接到上部半导体层；第二电极板；下部延伸部，下部延伸部和第二电极板电连接到下部半导体层；连接部，横穿分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，连接部的宽度大于上部延伸部和下部延伸部的宽度；第一电流阻挡层，配置于下部延伸部之下；第一绝缘层，夹设于连接部与隔离槽之间，第一绝缘层的宽度大于连接部的宽度，其中，第一电流阻挡层连接到第一绝缘层。

light-emitting diode

【技术实现步骤摘要】
发光二极管本申请是申请日为2017年04月18日、申请号为201710252668.9、题为“发光二极管”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光二极管，更为具体地涉及一种高效发光二极管。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电能转换为光的固态发光元件。发光二极管在背光单元、照明装置、信号机、大型显示器等中作为光源而广为利用。随着照明用LED市场扩大且照明用LED的应用范围向大电流密度、大功率输出领域方向扩大，要求改善在大电流驱动时的用于稳定的驱动的发光二极管的特性。通常，如果增加施加到发光二极管的电流密度，则从发光二极管发射出的光量也会增加。然而，随着电流密度的增加，发生外部量子效率下降的下垂(droop)现象。下垂现象意味着光损耗比率随着电流密度的增加而增加，下垂现象阻碍提高由lm/W表示的发光效率(efficacy)。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题是提供一种适合提供高效发光元件的发光二极管。本专利技术所要解决的另一课题是提供一种下垂现象得到改善的发光二极管。本专利技术所要解决的又一课题是提供一种电连接两个以上的发光单元的连接部的断开故障得到改善的发光二极管。根据本专利技术的一实施例，提供一种半导体二极管，其包括：基板；半导体层叠体，配置于所述基板上并且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽，其中，所述活性层夹设于所述下部半导体层与所述上部半导体层之间，并且所述分离槽通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板；第一电极板；上部延伸部，其中，所述上部延伸部和第一电极板电连接到所述上部半导体层；第二电极板；下部延伸部，其中，所述下部延伸部和第二电极板电连接到所述下部半导体层；连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，所述连接部的宽度大于所述上部延伸部和下部延伸部的宽度；第一电流阻挡层，配置于所述下部延伸部之下；第一绝缘层，夹设于所述连接部与所述隔离槽之间，其中，所述第一绝缘层的宽度大于所述连接部的宽度，其中，第一电流阻挡层连接到所述第一绝缘层。根据本专利技术的另一实施例，提供一种发光二极管，其特征在于，包括：基板；半导体层叠体，位于所述基板上，包括下部半导体层、上部半导体层以及配置于所述下部半导体层和所述上部半导体层之间的活性层，具有通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板的分离槽；第一电极板以及上部延伸部，与所述上部半导体层电连接；第二电极板以及下部延伸部，与所述下部半导体层电连接；连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，具有比所述上部延伸部和下部延伸部的宽度宽的宽度；第一电流阻挡层，夹设于所述下部延伸部和所述下部半导体层之间；以及第二电流阻挡层，夹设于所述第二电极板和所述下部半导体层之间，其中，所述第一电流阻挡层包括互相隔开的多个点，各点的宽度比所述下部延伸部的宽度更宽，所述第二电流阻挡层的宽度比所述第二电极板的宽度窄，从所述分离槽至所述第一电流阻挡层的最短距离比所述多个点之间的间隔距离大。在基板上配置多个发光单元，从而可以串联或者并联连接发光单元而使用。通过串联连接发光单元，可以减少发光二极管的驱动电流，由此可以减少电流密度，因此能够改善发光效率。另外，通过并联连接发光单元，可以使输入到发光单元的电流均匀地分散到发光单元，因此可以改善下垂现象。另外，通过在下部半导体层和下部延伸部之间采用具有比下部延伸部的宽度更大的宽度的电流阻挡层，可以防止电流集中在特定的区域而使其均匀地分散到发光单元的宽广的区域，因此进一步能够改善下垂现象。附图说明图1是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光二极管的平面图；图2是沿着图1的截取线A-A截取的剖面图；图3是沿着图1的截取线B-B截取的剖面图；图4是沿着截取线C-C截取的剖面图。图5是放大显示图1的第一电极板的平面图；图6是沿着图5的截取线D-D截取的剖面图。图7是放大显示图1的第二电极板的平面图；图8是沿着图7的截取线E-E截取的剖面图。图9是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光二极管的平面图；图10是沿着图9的截取线F-F截取的剖面图；图11是沿着图9的截取线G-G截取的剖面图；图12是沿着图9的截取线H-H截取取的剖面图。图13a是放大显示根据一实施例的图9的连接部的平面图；图13b是沿着截取线I-I截取的剖面图。图14a是放大显示根据另一实施例的图9的连接部的平面图；图14b是沿着图14a的截取线I’-I’截取的剖面图。图15至图17是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光二极管的平面图。图18是显示对根据本专利技术的发光二极管的侧面形状的各种实施例的剖面图。图19示出根据本专利技术的各种实施例的发光二极管的部件封装形式。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例。下文中说明的实施例是为了使本专利技术所属
的一般技术人员能够充分理解本专利技术的宗旨而举例说明的实施例。因此，本专利技术并不限定于以下说明的实施例，也可以具体化为其他形式。并且，在附图中，为了便于说明组件的宽度、长度以及厚度等，有时会采用夸张的描述方式。另外，在记载为一个组件位于另一组件的“上部”或者“上方”的情况下，不仅包括各部分位于另一部分的“正上部”或者“正上方”的情况，而且还包括在各组件与其他组件之间还夹设有其他组件的情况。在整个说明书中，相同的符号表示相同的组件。根据本专利技术的一实施例的发光二极管包括：基板；配置于所述基板上的第一至第四发光单元；第一电极板；以及第二电极板。在这里，各发光单元包括下部半导体层、上部半导体层以及夹设于所述下部半导体层和上部半导体层之间的活性层，所述下部半导体层包括相互隔开的第一下部半导体层以及第二下部半导体层，所述第一发光单元和第二发光单元共享第一下部半导体层，所述第三发光单元和所述第四发光单元共享第二下部半导体层，所述第一发光单元与所述第三发光单元串联连接，所述第二发光单元与所述第四发光单元串联连接，所述第一电极板电连接于所述第一发光单元和所述第二发光单元的上部半导体层，所述第二电极板电连接于所述第三发光单元和所述第四发光单元的下部半导体层。据此，提供具有串并联连接的发光单元的发光二极管，因此，可以降低用于驱动的电流密度，使电流均匀地分散到发光单元，因此可以改善发光效率。此外，由于第一及第二发光单元和第三及第四发光单元共享第一下部半导体层以及第二下部半导体层，因此制造工序简单，且可以使因发光单元的分离而造成的发光面积的减少最小化。具体地说，所述第一下部半导体层和所述第二下部半导体层可以通过露出所述基板的上面的分离槽而分离，所述第一发光单元和所述第二发光单元以及所述第三发光单元和所述第四发光单元，可以分别通过露出第一下部半导体层以及第二下部半导体层的台面分离槽而分离。在部分实施例中，所述发光二极管还可以包括配置于所述各发光单元的上部半导体层上的透明电极层。另外，所述第一电极板可以配置于所述台面(mesa)分离槽上，并且，可以经由所述第一发光单元和第二发光单元而配置。此时，所述透明电极层可以分别配置于所述第一及第二发光单元和所述第一电极板之间。另外，所述发光二极管还可以包括配置于所述第一电极板下部的电流阻挡层。为使所述第一电极板只限于所述电流阻挡层的上部地配置，所述电流阻挡层可以具有比所述第一电极板大的横宽及竖本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：基板；半导体层叠体，配置于所述基板上并且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽，其中，所述活性层夹设于所述下部半导体层与所述上部半导体层之间，并且所述分离槽通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板；第一电极板；上部延伸部，其中，所述上部延伸部和第一电极板电连接到所述上部半导体层；第二电极板；下部延伸部，其中，所述下部延伸部和第二电极板电连接到所述下部半导体层；连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，所述连接部的宽度大于所述上部延伸部和下部延伸部的宽度；第一电流阻挡层，配置于所述下部延伸部之下；第一绝缘层，夹设于所述连接部与所述隔离槽之间，其中，所述第一绝缘层的宽度大于所述连接部的宽度，其中，第一电流阻挡层连接到所述第一绝缘层。

【技术特征摘要】
2016.04.18 KR 10-2016-0047054;2016.11.10 KR 10-2011.一种发光二极管，其特征在于，包括：基板；半导体层叠体，配置于所述基板上并且包括下部半导体层、上部半导体层、活性层和分离槽，其中，所述活性层夹设于所述下部半导体层与所述上部半导体层之间，并且所述分离槽通过所述上部半导体层、活性层以及下部半导体层而露出所述基板；第一电极板；上部延伸部，其中，所述上部延伸部和第一电极板电连接到所述上部半导体层；第二电极板；下部延伸部，其中，所述下部延伸部和第二电极板电连接到所述下部半导体层；连接部，横穿所述分离槽而连接上部延伸部和下部延伸部，所述连接部的宽度大于所述上部延伸部和下部延伸部的宽度；第一电流阻挡层，配置于所述下部延伸部之下；第一绝缘层，夹设于所述连接部与所述隔离槽之间，其中，所述第一绝缘层的宽度大于所述连接部的宽度，其中，第一电流阻挡层连接到所述第一绝缘层。2.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：第二电流阻挡层，夹设于所述下部延伸部与所述下部半导体层之间。3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第二电流阻挡层包括：相互隔开的多个点，每个点的宽度大于所述下部延伸部的宽度。4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，从所述分离槽至最接近所述分离槽的点的最短距离与相邻两个点之间的隔开距离不同。5.如权利要求3所述的发光二极管，其中，所述连接部的宽度大于点之间的下部延伸部的宽度。所述第一电流阻挡层的最短距离比所述多个点之间的隔开的距离大。6.如权利要求5所述的发光二极管，其中，所述下部延伸部连接到两个相邻点之间的下部半导体层，所述下部延伸部的端部连接到所述下部半导体层。7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，所述下部延伸部的端部被所述上部延伸部包围。8.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第一电流阻挡层和第二电流阻挡层包括SiO2层。9.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：透明电极层，配置于所述上部半导体层上，其中，所述透明电极层的一部分配置于所述上部半导体层与所述第一电极板...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锦珠，李剡劤，金京完，柳龙禑，张美萝，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR