多节多波段紫外LED的制备方法及其紫外LED与应用技术

本发明专利技术公开了一种多节多波段紫外LED的制备方法及其紫外LED与应用，涉及紫外发光二极管技术领域。在衬底上预通入金属铝源及V族反应物，固定温度下分解形成AlN缓冲层；提高生长温度，生长非掺的AlN层，并在此基础上生长一层N型AlwGa1

【技术实现步骤摘要】
多节多波段紫外LED的制备方法及其紫外LED与应用


[0001]本专利技术涉及紫外发光二极管
，更具体的说是涉及一种多节多波段紫外LED的制备方法及其紫外LED与应用。

技术介绍

[0002]科技水平的进步引领着生活水平的不断改善，物质生活和精神生活都有大幅的提升。人们更加关注生活的质量，为了去除水中和空气中的有害细菌，各种消毒杀菌装置孕育而生，而这些杀菌装置的最主要杀菌功能部件为200nm～280nm的UVC段紫外灯，目前比较热门的是采用深紫外UVC
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LED灯。同时医学发现，280nm～320nmUVB波段具有优异的光疗作用，尤其对治疗白癜风有非常好的疗效，已经被广泛应用于医学光疗领域。而320nm～365nm波段具有很好的光固化功能，常被用于美甲固化、打印固化等固化领域。因深紫外LED的杀菌的优异功能，使得深紫外LED的研究和使用不断深入和广泛。目前深紫外LED主要采用AlGaN作为主要生长材料，利用CVD外延生长方法生长出所需要的发光结构。最基本的结构包含AlN缓冲层，AlGaN非掺层，n型AlGaN层，AlGa本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多节多波段紫外LED的制备方法，其特征在于，具体步骤包括如下：在衬底上预通入金属铝源及V族反应物，固定温度下分解形成AlN缓冲层；提高生长温度，生长非掺的AlN层，并在此基础上生长一层N型AlwGa1
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wN层；将温度调至生长量子阱的温度，在所述N型AlwGa1
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wN层上生长AlGaN/AlGaN多量子阱结构；在已经长好的所述AlGaN/AlGaN多量子阱结构上生长一层P型AlGaN电子阻挡层和空穴注入层；重复多次生长所述AlGaN/AlGaN多量子阱结构和所述P型AlGaN电子阻挡层，形成多个[AlGaN/AlGaN多量子阱+P型AlGaN层]组合的多节紫外LED结构。2.根据权利要求1所述的一种多节多波段紫外LED的制备方法，其特征在于，还包括在所述多节紫外LED结构上生长P型GaN层。3.根据权利要求1所述的一种多节多波段紫外LED的制备方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为0
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5000nm，所述AlGaN/AlGaN多量子阱结构的周期厚度为5
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30nm，其中，阱宽为1
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨天鹏，康建，郑远志，陈向东，
申请(专利权)人：马鞍山杰生半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：