【技术实现步骤摘要】
深紫外LED外延片及其制备方法和深紫外LED
本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种深紫外LED外延片及其制备方法和深紫外LED，尤其涉及一种具有电子减速作用的深紫外LED外延结构及深紫外LED芯片。
技术介绍
深紫外杀菌技术是利用发光二极管(LED)产生的某一特定波长下的高强度深紫外线(200nm～350nm)，通过破坏病毒、寄生虫、水藻以及其他病原体等细菌及真菌的脱氧核糖核酸和核糖核酸的分子结构，从而抑制细菌及真菌繁殖，达到杀菌消毒的效果。目前深紫外杀菌技术已被广泛应用于民生、医疗以及生产制造行业。现阶段深紫外LED的生长材料主要是AlGaN，并外延出所需要的发光结构。但是AlGaN基LED在实际应用上还存在着诸多问题，比如droop效应，即在高电流驱动下，由于芯片电流密度增加导致光效快速降低，使深紫外LED发光效率下降。
技术实现思路
针对上述缺陷，本专利技术提供一种深紫外LED外延片，能够提高深紫外LED的发光效率。本专利技术提供一种深紫外LED外延片的制备方法，采用该制备方法所获得的深紫外LED外延片能够具有电子减速作用，提高深紫外LED芯片的发光效...
【技术保护点】
1.一种深紫外LED外延片，其特征在于，包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的缓冲层、非掺杂AltGa1‑tN层、N型AlxGa1‑xN层、至少一层电子减速层AlaGa1‑aN、AlyGa1‑yN/AlzGa1‑zN多量子阱有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层以及P型GaN层，其中0＜t＜1、0＜x＜1、0＜y＜z＜1，0＜a＜1。
【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED外延片，其特征在于，包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的缓冲层、非掺杂AltGa1-tN层、N型AlxGa1-xN层、至少一层电子减速层AlaGa1-aN、AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层以及P型GaN层，其中0＜t＜1、0＜x＜1、0＜y＜z＜1，0＜a＜1。2.根据权利要求1所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述电子减速层AlaGa1-aN的层数为1～20层；每层电子减速层AlaGa1-aN的厚度为1～10nm。3.根据权利要求1或2所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述电子减速层AlaGa1-aN为单层结构或双层结构，0.3＜a＜0.9。4.根据权利要求1或2所述的深紫外LED外延片，其特征在于，所述电子减速层AlaGa1-aN的层数不少于3层，且自衬底向上的方向，电子减速层AlaGa1-aN中Al含量渐变。5.根据权利要求4所述的深紫外LED外延片，其特征在于，自衬底向上的方向，电子减速层AlaGa1-aN中Al含量呈先递增后递减的趋势；并且，与N型AlxGa1-xN层接触的电子减速层AlaGa1-aN中，a≥x；与AlyGa1-yN/...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐孝灵，黄小辉，王小文，康健，郑远志，陈向东，
申请(专利权)人：马鞍山杰生半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。