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深紫外LED外延片及其制备方法和深紫外LED技术
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文档序号:21836757
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本发明提供一种深紫外LED外延片及其制备方法和深紫外LED。该深紫外LED外延片包括衬底以及自衬底向上依次层叠设置的缓冲层、非掺杂AltGa1‑tN层、N型AlxGa1‑xN层、至少一层电子减速层AlaGa1‑aN、AlyGa1‑yN/Al...
该专利属于马鞍山杰生半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过马鞍山杰生半导体有限公司授权不得商用。
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