【技术实现步骤摘要】
用于图案化非挥发性金属的室本申请是申请号为201710061612.5、申请日为2017年1月26日、专利技术名称为“用于图案化非挥发性金属的室”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体处理领域，具体涉及用于图案化非挥发性金属的室。
技术介绍
半导体处理通常涉及蚀刻非挥发性金属。然而，因为非挥发性金属难以形成挥发性金属副产物，因此其通常难以使用常规干式等离子体蚀刻反应器来被图案化。结果，常规蚀刻处理常常导致金属在衬底的表面上再沉积，从而导致可靠性问题和性能问题。
技术实现思路
本文提供了用于处理半导体衬底的装置。一个方面涉及一种用于处理半导体衬底的装置，所述装置包括：处理室，该处理室包括：喷头，其用于将处理气体分配到所述装置，能移动基座，其用于保持所述半导体衬底，所述能移动基座能够定位在升高位置或降低位置，使得处于所述升高位置的所述能移动基座形成所述能移动基座与所述喷头之间的上部室区域以及在所述能移动基座下方的下部室区域，当所述基座移动到所述升高位置时，所述喷头附近的区域能够与所述能移动基座的边缘对准；入口，其耦合到所述喷头，以用于将处理气体朝向所述喷头输...
【技术保护点】
1.一种用于处理半导体衬底的装置，所述装置包括：包围处理区域的处理室，其包括：喷头，其用于将处理气体分配到所述处理区域，具有表面和边缘的能移动基座，所述能移动基座能够将所述半导体衬底保持在所述表面上，并且所述能移动基座能够定位在升高位置或降低位置，其中，处于所述升高位置的所述能移动基座形成所述能移动基座与所述喷头之间的上部室区域以及在所述能移动基座下方的下部室区域，以及邻近所述喷头的区域，当所述基座移动到所述升高位置时，所述区域能够与所述能移动基座的所述边缘对准，以在所述能移动基座的所述边缘和邻近所述喷头的所述区域之间形成可调节间隙；入口，其耦合到所述喷头；等离子体发生器，...
【技术特征摘要】
2016.02.05 US 15/017,4441.一种用于处理半导体衬底的装置，所述装置包括：包围处理区域的处理室，其包括：喷头，其用于将处理气体分配到所述处理区域，具有表面和边缘的能移动基座，所述能移动基座能够将所述半导体衬底保持在所述表面上，并且所述能移动基座能够定位在升高位置或降低位置，其中，处于所述升高位置的所述能移动基座形成所述能移动基座与所述喷头之间的上部室区域以及在所述能移动基座下方的下部室区域，以及邻近所述喷头的区域，当所述基座移动到所述升高位置时，所述区域能够与所述能移动基座的所述边缘对准，以在所述能移动基座的所述边缘和邻近所述喷头的所述区域之间形成可调节间隙；入口，其耦合到所述喷头；等离子体发生器，其用于点燃所述处理室中的等离子体；以及控制器，其用于控制所述装置的操作，所述控制器包括用于将所述能移动基座移动到所述升高位置或降低位置的机器可读指令，其中通过改变所述能移动基座的边缘和与所述喷头相邻的区域之间的可调节间隙的距离，在所述上部室区域和所述下部室区域之间形成压强差。2.根据权利要求1所述的装置，其中，当所述能移动基座处于所述升高位置时，所述能移动基座的所述边缘与所述喷头附近的所述区域之间的距离介于约0.3mm和约3mm之间。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述喷头附近的所述区域包括倾斜的表面，该倾斜的表面相对于与所述喷头垂直的轴线倾斜约45°。4.根据权利要求1所述的装置，其中，当所述基座处于所述升高位置时，所述喷头和所述能移动基座的所述表面之间的距离介于约1mm和约2mm之间。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述能移动基座的所述表面包括邻近所述能移动基座的所述边缘的环形凸起区域。6.根据权利要求5所述的装置，其中当所述能移动基座处于所述升高位置时，所述喷头与所述环形凸起区域的表面之间的距离在约0mm和约1mm之间。7.根据权利要求5所述的装置，其中所述环形凸起区域包括内拐角和外拐角，并且其中所述喷头的边缘与所述内拐角之间的横向距离为约10mm。8.一种用于处理半导体衬底的装置，所述装置包括：包围处理区域的处理室，该处理室包括：喷头，其用于将处理气体分配到所述处理区域，具有表面和边缘的能移动基座，所述能移动基座能够将所述半导体衬底保持在所述表面上，并且所述能移动基座能够定位在升高位置或降...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈美华，黄硕刚，索斯藤·利尔，西奥·帕纳戈波罗斯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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