一种刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种刻蚀设备。该刻蚀设备包括反应腔室以及设置在反应腔室内的下部电极，下部电极包括多个子电极，子电极包括子底板以及设置在子底板上的支撑凸起，子底板上设置有气孔，待刻蚀基板放置在支撑凸起上，刻蚀设备还包括电压调节装置和气体流量调节装置，电压调节装置与多个子电极电连接，用于调节子电极的吸附电压，气体流量调节装置与多个子电极对应的气孔连通，用于调节向子电极输出的气体流量。该刻蚀设备可以按照子电极位置分区域调节下部电极的气体流量和吸附电压的配比，使得每个子电极区域均具有良好的冷却效果，保证基板整体温度分布的均匀性，进而保证刻蚀速率的均一性，避免显示缺陷。

An Etching Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀设备
本技术涉及干法刻蚀
，具体涉及一种刻蚀设备。
技术介绍
干法刻蚀在显示基板的制作中有着不可替代的作用，在干法刻蚀工艺中，一般采用等离子体对基板进行刻蚀。现有的干法刻蚀设备包括反应腔室、位于反应腔室内的下部电极，待刻蚀的基板放置在下部电极的上方。刻蚀过程中，等离子体对基板表面的持续轰击会使基板温度上升，影响刻蚀反应的速率，因此，需要对基板的温度进行冷却控制。现有技术中，通常采用气体对基板进行冷却，具体冷却过程为使冷却气体在下部电极和基板之间的间隙中流动以对基板各个部位进行冷却，实现对基板整体的控温。但是，基板尺寸的增大以及刻蚀设备的长期使用，会导致冷却气体无法在下部电极和基板之间有效均匀地流通，从而，无法实现对基板整体的均匀降温，导致基板温度分布不均匀，降低了刻蚀速率的均一性，致使基板出现显示不良。
技术实现思路
本技术实施例的目的是，提供一种刻蚀设备，以实现基板整体温度分布均匀，保证刻蚀速率的均一性。为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种刻蚀设备，包括反应腔室以及设置在所述反应腔室内的下部电极，所述下部电极包括多个子电极，所述子电极包括子底板以及设置在所述子底板上的支撑凸起，所述子底板上设置有气孔，待刻蚀基板放置在所述支撑凸起上，所述刻蚀设备还包括电压调节装置和气体流量调节装置，所述电压调节装置与多个子电极电连接，用于调节子电极的吸附电压，所述气体流量调节装置与多个子电极对应的气孔连通，用于调节向子电极输出的气体流量。可选地，所述电压调节装置包括多个电压调节单元，所述电压调节单元与所述子电极一一对应，所述电压调节单元用于调节对应子电极的吸附电压。可选地，所述气体流量调节装置包括多个气体流量调节单元，所述气体流量调节单元与所述子电极一一对应，所述气体流量调节单元用于调节向对应子电极输出的气体流量。可选地，所述刻蚀设备还包括电连接的温度检测单元和处理单元，所述温度检测单元用于对基板进行扫描，以获得基板的能量分布图，所述处理单元用于根据所述能量分布图获得基板的表面温度分布信息，所述电压调节装置根据基板的表面温度分布信息调节对应子电极的吸附电压，所述气体流量调节装置根据基板的表面温度分布信息调节向对应子电极输出的气体流量。可选地，所述温度检测单元包括红外线热成像探头。可选地，所述反应腔室的相对的两个侧壁上分别设置有第一视窗和第二视窗，所述温度检测单元包括第一红外线热成像探头和第二红外线热成像探头，第一红外线热成像探头和第二红外线热成像探头分别通过第一视窗和第二视窗对基板进行扫描，并分别获得第一红外辐射能量分布图和第二红外辐射能量分布图，所述处理单元用于根据第一红外辐射能量分布图和第二红外辐射能量分布图获得基板的表面温度分布信息。可选地，所述气体包括氦气。可选地，所述子电极的数量为9个，9个子电极以3行3列的形式排列。可选地，所述支撑凸起的朝向基板的表面呈球面状。可选地，所述刻蚀设备还包括电压发生装置和气体生成装置，所述电压发生装置用于向每个子电极提供电压，所述气体生成装置用于向每个子电极输出气体。本技术实施例提出的刻蚀设备，下部电极包括多个子电极，通过电压调节装置可以按照子电极的分布分区域调节对应子电极的吸附电压，从而分区域调节下部电极对基板的吸附电压；通过气体流量调节装置可以按照子电极的分布分区域调节向对应子电极输出的气体流量，从而分区域调节下部电极各个气孔的气体流量，进而实现分区域调节下部电极各个区域的气体流量与吸附电压的配比，使得每个子电极区域均具有良好的冷却效果，保证基板整体温度分布的均匀性，进而保证刻蚀速率的均一性，避免显示缺陷。另外，这样的刻蚀设备，由于每个子电极区域都有对应的电压调节单元和气体流量调节单元，当通过电压调节单元调节该子电极区域的吸附电压以及气体流量调节单元调节该子电极区域的气体流量时，不会影响到其它区域的吸附电压和气体流量，从而也就不会对其他区域造成影响，避免了基板位置偏移或下部电极的异常放电。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本技术的技术方案，并不构成对本技术技术方案的限制。图1为一种刻蚀设备的结构示意图；图2为本技术第一实施例刻蚀设备的结构示意图；图3为图2所示刻蚀设备的俯视结构示意图；图4为本技术实施例刻蚀设备的电气结构示意图。附图标记说明：10—反应腔室；111—第一视窗；112—第二视窗；20—下部电极；21—电极底板；211—气孔；22—支撑凸起；23—子电极；231—子底板；30—电压调节装置；31—电压调节单元；40—气体流量调节装置；41—气体流量调节单元511—第一红外线热成512—第二红外线热成像探头；像探头；51—温度检测单元；52—处理单元；70—气体生成装置；100—基板。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。图1为一种刻蚀设备的结构示意图。刻蚀设备包括反应腔室10，反应腔室10内设置有下部电极20，下部电极20包括电极底板21以及设置在电极底板21上的多个支撑凸起22。电极底板21上设置有贯穿的气孔211。刻蚀设备还包括与下部电极20电连接的电压调节装置30，以及与气孔211连通的气体流量调节装置40。待刻蚀基板100放置在支撑凸起22上。电压调节装置30调节下部电极20对基板的吸附电压，使得下部电极20对基板100施加静电吸附力F1。气体流量调节装置40用于调节气孔211输出的气体流量，气体在基板100与电极底板21的间隙中流动而对基板100的各个部位进行冷却，从而实现对基板100整体均匀控温。在正常工作情况下，下部电极20对基板100施加的静电吸附力F1与气体对基板100产生的浮力F2是相等的，即F1＝F2。当基板尺寸增大后，随着传送过程中基板100与支撑凸起22的不断接触以及工艺副产物在支撑凸起22表面附着，下部电极20的某一位置的支撑凸起22的粗糙度下降。这就使得基板100与下部电极在该位置的接触面积增大，从而，在该位置，基板100与下部电极20之间由点接触变成了面接触。在下部电极吸附电压不变的情况下，基板100与下部电极20之间由点接触变成面接触，在该位置，下部电极20对基板100的静电吸附力F1会大于气体对基板100产生的浮力F2，即F1>F2。当F1>F2后，基板100会被紧紧地吸附在下部电极20表面，导致气体无法在该位置区域有效地流通，从而，下部电极20表面在该位置处的热导率大于气体的冷却，致使该位置处的冷却效果不佳，基板温度分布不均匀，进而导致刻蚀速率均一性不佳，产生显示缺陷。专利技术人在研究过程中，采用增大气体流量与下部电极的吸附电压的比值来提高冷却效果，但是，当气体流量过大时会导致其他位置的F1<F2，进而导致基板位置发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括反应腔室以及设置在所述反应腔室内的下部电极，所述下部电极包括多个子电极，所述子电极包括子底板以及设置在所述子底板上的支撑凸起，所述子底板上设置有气孔，待刻蚀基板放置在所述支撑凸起上，所述刻蚀设备还包括电压调节装置和气体流量调节装置，所述电压调节装置与多个子电极电连接，用于调节子电极的吸附电压，所述气体流量调节装置与多个子电极对应的气孔连通，用于调节向子电极输出的气体流量。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括反应腔室以及设置在所述反应腔室内的下部电极，所述下部电极包括多个子电极，所述子电极包括子底板以及设置在所述子底板上的支撑凸起，所述子底板上设置有气孔，待刻蚀基板放置在所述支撑凸起上，所述刻蚀设备还包括电压调节装置和气体流量调节装置，所述电压调节装置与多个子电极电连接，用于调节子电极的吸附电压，所述气体流量调节装置与多个子电极对应的气孔连通，用于调节向子电极输出的气体流量。2.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述电压调节装置包括多个电压调节单元，所述电压调节单元与所述子电极一一对应，所述电压调节单元用于调节对应子电极的吸附电压。3.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述气体流量调节装置包括多个气体流量调节单元，所述气体流量调节单元与所述子电极一一对应，所述气体流量调节单元用于调节向对应子电极输出的气体流量。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的刻蚀设备，其特征在于，所述刻蚀设备还包括电连接的温度检测单元和处理单元，所述温度检测单元用于对基板进行扫描，以获得基板的能量分布图，所述处理单元用于根据所述能量分布图获得基板的表面温度分布信息，所述电压调节装置根据基板的表面温...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐守宇，刘杰，曲泓铭，张光明，
申请(专利权)人：北京京东方显示技术有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11