基板外壳制造技术

技术编号:21785287 阅读:60 留言:0更新日期:2019-08-04 03:15
本实用新型专利技术涉及基板外壳领域,公开了一种基板外壳;其中,该该基板外壳包括:基板(1)和依次附着在所述基板(1)上的底层(2)、中间层(3)和面层(4),所述底层(2)为SiO2层,所述中间层(3)为Al2O3层,以及所述面层(4)为Nb2O5层。该基板外壳的底层(2)、中间层(3)和面层(4)在确保基板的颜色没有变化的同时还能够保护基板的性能。

Substrate Shell

【技术实现步骤摘要】
基板外壳
本技术涉及基板外壳领域,具体涉及一种基板外壳。
技术介绍
目前铝合金手机后壳为满足表面的颜色及耐缓冲盐雾等性能,会在金属表面进行阳极氧化处理。由于现有阳极氧化部分性能的不完善,导致在金属壳在水煮及盐雾测试方面的表现不完美。目前市场上的部分阳极氧化黑色金属壳耐缓冲测试及水煮盐雾测试中性能不能满足,存在风险,常规厂商为了加强金属表面的性能,会在上面镀一层SiO2+AL2O3+AF药丸(anti-figure技术),目前市场其余的采用现有的af镀膜技术十分成熟,操作流程及工艺水平都在生产线中,此技术不影响金属壳的颜色可加强金属表面的各项性能。但是,af真空镀膜技术的药丸单价十分高昂,正常的1650cm的真空镀膜机,不计算其他成本光药丸的价格在200-500左右。CN203433138U公开了一种低翘曲度的红外截止滤光片,包括基底层,所述基底层的两侧面上分别镀有由高折射率材料膜层和低折射率材料膜层交替形成的复合膜层。所述高折射率材料膜层是由二氧化钛、五氧化二肽、氧化锆、五氧化二钽、五氧化二铌、硫化锌中的一种或一种以上组成,所述低折射率材料膜层是由二氧化硅、氟化镁、三氧化二铝中的一种或一种以上组成。CN107573104A公开了一种陶瓷零件制备方法,其特征在于,包括:准备陶瓷基体;在所述陶瓷基体表面形成颜色膜层,得到彩色陶瓷零件,其中,所述颜色膜层包括至少一层二氧化硅膜层、以及至少一层折射率超过二氧化硅的材料对应的膜层,并且所述二氧化硅膜层与所述折射率超过二氧化硅的材料对应的膜层交替设置,所述颜色膜层的表层为二氧化硅膜层;对所述彩色陶瓷零件进行烧结处理。所述折射率超过二氧化硅的材料对应的膜层包括氮化硅膜层、碳化硅膜层、氧化铌膜层中的至少一种。所述颜色膜层还包括氧化铝膜层、氧化镁膜层或氧化锆膜层中的至少一种。本申请实施例提供一种陶瓷零件制备方法、陶瓷零件、指纹识别模组及电子设备,可以增加颜色膜层与陶瓷基体之间的附着力,有效地提高陶瓷零件的抗腐蚀性及耐磨性。CN106495746A公开了一种增加黑色陶瓷黑度的方法,其特征在于,所述方法是在黑色陶瓷基底层上设置减反射膜。所述低折射率膜层为由二氧化硅、氟化镁、氧化锆中的至少一种组成的膜层,所述高折射率膜层为由五氧化二钽、五氧化三钛、三氧化二钛、二氧化钛、一氧化钛、氧化铌、硫化锌、氧化锆、氮化硅中的至少一种组成的膜层。所述中折射率膜层为氧化铝和一氧化硅中的至少一种组成的膜层。所述低折射率膜层的厚度为1~100nm,所述高折射率膜层的厚度为1~100nm,所述减反射膜的厚度为5~500nm。所述中折射率膜层的厚度为1~100nm。CN206970483U公开了一种黑色陶瓷,其中,所述黑色陶瓷包括黑色陶瓷基底层和设置在所述黑色陶瓷基底层上的减反射膜。所述减反射膜包括交替叠层的低折射率膜层和高折射率膜层,所述减反射膜还包括中折射率膜层,所述中折射率膜层位于所述低折射率膜层和高折射率膜层之间,所述低折射率膜层的厚度为1-100nm,所述高折射率膜层的厚度为1-100nm,所述减反射膜的厚度为5-500nm,所述中折射率膜层的厚度为1-100nm。CN102774084A公开了一种抗紫外并具有隔热作用的减反射镀膜层,其特征在于,可在普通玻璃上涂镀的四层复合的减反射镀膜层,所述减反射镀膜层从普通玻璃表面依次往上为:TiO2或Nb2O5层;第一SiO2层;ZnO和Al2O3层;第二SiO2层。以上膜层在水煮及盐雾测试方面的表现不完美,或者采用的真空镀膜技术的AF药丸单价十分昂贵,因此,开发和研究一种耐磨性能及硬度都有质的提升,并且成本低的膜层(基板外壳)具有重要意义。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术存在的采用直接阳极氧化处理的膜层在水煮及盐雾测试方面存在缺陷,采用真空镀膜技术中需要的AF药丸单价十分昂贵的问题,而提供一种基板外壳,该基板外壳在水煮及盐雾测试方面具有优良的性能,以及该基板外壳的耐磨性能及硬度都有质的提升,并且成本低。为了实现上述目的,本技术第一方面提供了一种基板外壳,其中,该基板外壳包括:基板和依次附着在所述基板上的底层、中间层和面层,所述底层为SiO2层,所述中间层为Al2O3层,以及所述面层为Nb2O5层。优选地,所述底层的厚度为10-250nm,所述中间层的厚度为10-220nm,以及所述面层的厚度为10-200nm。优选地,所述底层的厚度为50-200nm,所述中间层的厚度为10-210nm,以及所述面层的厚度为50-150nm。优选地,所述底层、所述中间层、以及所述面层的厚度的比为(0.6-3):(0.05-2):1。优选地,所述底层、所述中间层、以及所述面层的厚度的比为(0.625-2):(0.05-1.5):1。优选地,所述基板的表面粗糙度为3-100nm。优选地,所述基板的表面粗糙度为4-10nm。优选地,所述基板为陶瓷基板、及玻璃基板或金属基板表面。通过上述技术方案,本技术具有的优势如下:(1)相比直接阳极氧化后,镀一层面的基板外壳的耐腐蚀,耐缓冲性能能进一步提升。因为镀膜之后,基板外壳阳极氧化层多了一层保护,而且SiO2与那Nb2O5常规的酸碱不反应。这样整个金属包围在一个惰性膜系内,各种性能会有一个提升;(2)相比现有的AF镀膜技术,每炉产品的单价大大降低。一炉AF药丸在50-500元不等(视产能而定),而常规材料的SiO2,AL2O3,Nb2O5价格低,一般在5-10元;(3)由于膜层的耐磨性能及硬度都有了质的提升,可以运用在一些外观表面上。附图说明图1是本技术的实施例1制备的一种基板外壳的横截面示意图。附图标记说明1、基板2、底层3、中间层4、面层具体实施方式在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值,这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说,各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间,以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围,这些数值范围应被视为在本文中具体公开。本技术第一方面提供了一种基板外壳,该基板外壳包括:基板1和依次附着在所述基板1上的底层2、中间层3和面层4,所述底层2可以为SiO2层,所述中间层3可以为Al2O3层,以及所述面层4可以为Nb2O5层。根据本技术,所述底层2的厚度为10-250nm(如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm、200nm、210nm、220nm、230nm、240nm、250nm或上述数值之间的任意值),所述中间层3的厚度为10-220nm(如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm、200nm、210nm、220nm或上述数值之间的任意值),以及所述面层4的厚度为10-200nm(如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60n本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种基板外壳,其特征在于,该基板外壳包括:基板(1)和依次附着在所述基板(1)上的底层(2)、中间层(3)和面层(4),所述底层(2)为SiO2层,所述中间层(3)为Al2O3层,以及所述面层(4)为Nb2O5层。

【技术特征摘要】
1.一种基板外壳,其特征在于,该基板外壳包括:基板(1)和依次附着在所述基板(1)上的底层(2)、中间层(3)和面层(4),所述底层(2)为SiO2层,所述中间层(3)为Al2O3层,以及所述面层(4)为Nb2O5层。2.根据权利要求1所述的基板外壳,其中,所述底层(2)的厚度为10-250nm,所述中间层(3)的厚度为10-220nm,以及所述面层(4)的厚度为10-200nm。3.根据权利要求2所述的基板外壳,其中,所述底层(2)的厚度为50-200nm,所述中间层(3)的厚度为10-210nm,以及所述面层(4)的厚度为50-150nm。4...

【专利技术属性】
技术研发人员:田彪吴金龙谢作平庄晓灵任鹏段水亮
申请(专利权)人:韶关比亚迪电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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